光起電検出器(フォトダイオード)は、1つ(PV)または複数(PVM)のホモ接合またはヘテロ接合を備えた半導体構造です。吸収された光子は電荷キャリアを生成し、それが接点に集められ、外部光電流が発生します。フォトダイオードは複雑な電流電圧特性を持っています。デバイスは、ちらつきのないゼロバイアスまたは逆電圧のいずれかで動作できます。逆バイアス電圧は、応答性、微分抵抗の増加、ショットノイズの低減、高周波性能の向上、およびダイナミックレンジの拡大のために頻繁に適用されます。
PVI-5-1×1-TO39-NW-36は、最高の性能と安定性を実現する洗練されたHgCdTeヘテロ構造に基づく非冷却IR光起電力検出器です。このデバイスは、λopt = 5 µmで最大のパフォーマンスが得られるように最適化されています。検出器エレメントは、デバイスの性能を向上させるために、超半球型GaAsマイクロレンズとモノリシックに統合されています。逆バイアスV bが著しく応答速度とダイナミックレンジを増加させることができます。また、高周波数でのパフォーマンスが向上しますが、バイアスされたデバイスに発生する1 / fノイズは、低周波数でのパフォーマンスを低下させる可能性があります。
カタログ ダウンロード PDFスペクトル応答(Ta = 20°C、Vb = 0 mV)
特徴
アプリケーション
仕様(Ta = 20°C、Vb = 0 mV)
Parameter |
PVI-5-1×1-TO39-NW-36 |
|
Active element material | epitaxial HgCdTe heterostructure | |
Cut-on wavelength λcut-on (10%) µm | 2.4±0.5 | |
Peak wavelength λpeak, µm | 4.2±0.5 | |
Optimum wavelength λopt, µm | 5.0 | |
Cut-off wavelength λcut-off (10%) µm | 5.5±0.3 | |
Detectivity D*(λpeak), cm![]() |
≥3.0×1010 | |
Detectivity D*(λopt), cm![]() |
≥1.0×1010 | |
Current responsivity Ri(λpeak), A/W | ≥2.0 | |
Current responsivity Ri(λopt), A/W | ≥1.0 | |
Time constant τ, ns | ≤150 | |
Resistance R, Ω | ≥100 | |
Optical area AO, mm×mm | 1×1 | |
Package | TO39 | |
Acceptance angle, Φ | ~36° | |
Window | none |
機械的レイアウト、mm
関連資料
PVI-5-1×1-TO39-NW-36検出器データシート
TO39パッケージ製図
完全なVIGOカタログをダウンロードする
PVI-4-1×1-TO39-NW-36は、最高の性能と安定性を実現する高度なHgCdTeヘテロ構造に基づく非冷却IR光起電力検出器です。このデバイスは、4 µmで最大のパフォーマンスが得られるように最適化されています。検出器エレメントは、デバイスの性能を向上させるために、超半球型GaAsマイクロレンズとモノリシックに統合されています。逆バイアスは、応答速度とダイナミックレンジを大幅に向上させる可能性があります。また、高周波数でのパフォーマンスが向上しますが、バイアスされたデバイスに発生する1 / fノイズは、低周波数でのパフォーマンスを低下させる可能性があります。
カタログ ダウンロード PDFスペクトル応答(Ta = 20°C、Vb = 0 mV)
特徴
アプリケーション
仕様(Ta = 20°C、Vb = 0 mV)
Parameter |
PVI-4-1×1-TO39-NW-36 |
|
Active element material | epitaxial HgCdTe heterostructure | |
Cut-on wavelength λcut-on (10%) µm | 2.4±0.5 | |
Peak wavelength λpeak, µm | 3.4±0.5 | |
Optimum wavelength λopt, µm | 4.0 | |
Cut-off wavelength λcut-off (10%) µm | 4.5±0.3 | |
Detectivity D*(λpeak), cm![]() |
≥4.0×1010 | |
Detectivity D*(λopt), cm![]() |
≥3.0×1010 | |
Current responsivity Ri(λpeak), A/W | ≥2.0 | |
Current responsivity Ri(λopt), A/W | ≥1.0 | |
Time constant τ, ns | ≤150 | |
Resistance R, Ω | ≥600 | |
Optical area AO, mm×mm | 1×1 | |
Package | TO39 | |
Acceptance angle, Φ | ~36° | |
Window | none |
機械的レイアウト、mm
関連資料
PVI-4-1×1-TO39-NW-36検出器データシート
TO39パッケージ製図
完全なVIGOカタログをダウンロードする
PVI-2TE-4-1×1-TO8-36-wAL 2 O 3 2ステージTE冷却は、熱電最高の性能と安定性のための洗練されたのHgCdTeヘテロ構造に基づくIR光起電力検出器を冷却します。このデバイスは、λopt = 4.0 µmで最大のパフォーマンスが得られるように最適化されています。検出器エレメントは、デバイスの性能を向上させるために、超半球型GaAsマイクロレンズとモノリシックに統合されています。逆バイアスV bが著しく応答速度とダイナミックレンジを増加させることができます。また、高周波数でのパフォーマンスが向上しますが、バイアスされたデバイスに発生する1 / fノイズは、低周波数でのパフォーマンスを低下させる可能性があります。3°ウェッジサファイア(wAl 2 O 3)ウィンドウは、不要な干渉の影響を防ぎます。
カタログ ダウンロード PDFスペクトル応答(Ta = 20°C、Vb = 0 mV)
特徴
アプリケーション
Parameter |
PVI-2TE-4-1×1-TO8-wAl2O3-36 |
|
Active element material | epitaxial HgCdTe heterostructure | |
Cut-on wavelength λcut-on (10%) µm | 2.4±0.5 | |
Peak wavelength λpeak, µm | 3.5±0.5 | |
Optimum wavelength λopt, µm | 4.0 | |
Cut-off wavelength λcut-off (10%) µm | 4.3±0.3 | |
Detectivity D*(λpeak), cm![]() |
≥4.0×1011 | |
Detectivity D*(λopt), cm![]() |
≥3.0×1011 | |
Current responsivity Ri(λpeak), A/W | ≥2.0 | |
Current responsivity Ri(λopt), A/W | ≥1.3 | |
Time constant τ, ns | ≤100 | |
Resistance R, Ω | ≥20000 | |
Active element temperature Tdet, K | ~230 | |
Optical area AO, mm×mm | 1×1 | |
Package | TO8 | |
Acceptance angle, Φ | ~36° | |
Window | wAl2O3 |
機械的レイアウト、mm
2TE-TO8パッケージ
関連資料
PVI-2TE-4-1×1-TO8-wAl2O3-36検出器データシート
TO8パッケージ製図
完全なVIGOカタログをダウンロードする
PVI-2TE-5-1×1-TO8-wAL 2 O 3 -36 2ステージTE冷却は、熱電最高の性能と安定性のための洗練されたのHgCdTeヘテロ構造に基づくIR光起電力検出器を冷却します。このデバイスは、λopt = 5.0 µmで最大のパフォーマンスが得られるように最適化されています。検出器エレメントは、デバイスの性能を向上させるために、超半球型GaAsマイクロレンズとモノリシックに統合されています。逆バイアスV bが著しく応答速度とダイナミックレンジを増加させることができます。また、高周波数でのパフォーマンスが向上しますが、バイアスされたデバイスに発生する1 / fノイズは、低周波数でのパフォーマンスを低下させる可能性があります。3°ウェッジサファイア(wAl 2 O 3)ウィンドウは、不要な干渉の影響を防ぎます。
カタログ ダウンロード PDF
スペクトル応答(Ta = 20°C、Vb = 0 mV)
特徴
アプリケーション
仕様(Ta = 20°C、Vb = 0 mV)
Parameter |
PVI-2TE-5-1×1-TO8-wAl2O3-36 |
|
Active element material | epitaxial HgCdTe heterostructure | |
Cut-on wavelength λcut-on (10%) µm | 2.9±1.0 | |
Peak wavelength λpeak, µm | 4.2±0.5 | |
Optimum wavelength λopt, µm | 5.0 | |
Cut-off wavelength λcut-off (10%) µm | 5.5±0.3 | |
Detectivity D*(λpeak), cm![]() |
≥2.0×1011 | |
Detectivity D*(λopt), cm![]() |
≥9.0×1010 | |
Current responsivity Ri(λpeak), A/W | ≥2.0 | |
Current responsivity Ri(λopt), A/W | ≥1.3 | |
Time constant τ, ns | ≤80 | |
Resistance R, Ω | ≥1000 | |
Active element temperature Tdet, K | ~230 | |
Optical area AO, mm×mm | 1×1 | |
Package | TO8 | |
Acceptance angle, Φ | ~36° | |
Window | wAl2O3 |
機械的レイアウト、mm
2TE-TO8パッケージ
関連資料
PVI-2TE-5-1×1-TO8-wAl2O3-36検出器データシート
TO8パッケージ製図
完全なVIGOカタログをダウンロードする
PVI-2TE-6-1×1-TO8-wZnSeAR-36は、最高の性能と安定性を実現する高度なHgCdTeヘテロ構造に基づく2ステージTE冷却IR光起電力検出器です。このデバイスは、λopt = 6 µmで最大のパフォーマンスが得られるように最適化されています。検出器エレメントは、デバイスの性能を向上させるために、超半球型マイクロレンズとモノリシックに結合されています。逆バイアスV bが著しく応答速度とダイナミックレンジを増加させることができます。3°ウェッジセレン化亜鉛反射防止コーティング(wZnSeAR)ウィンドウは、不要な干渉効果を防ぎます。
カタログ ダウンロード PDF
スペクトル応答(Ta = 20°C、Vb = 0 mV)
特徴
アプリケーション
仕様(Ta = 20°C、Vb = 0 mV)
Parameter |
PVI-2TE-6-1×1-TO8-wZnSeAR-36 |
|
Active element material | epitaxial HgCdTe heterostructure | |
Cut-on wavelength λcut-on (10%) µm | 3.0±1.0 | |
Peak wavelength λpeak, µm | 5.2±0.5 | |
Optimum wavelength λopt, µm | 6.0 | |
Cut-off wavelength λcut-off (10%) µm | 6.7±0.3 | |
Detectivity D*(λpeak), cm![]() |
≥7.0×1010 | |
Detectivity D*(λopt), cm![]() |
≥4.0×1010 | |
Current responsivity Ri(λpeak), A/W | ≥2.7 | |
Current responsivity Ri(λopt), A/W | ≥1.5 | |
Time constant τ, ns | ≤50 | |
Resistance R, Ω | ≥200 | |
Active element temperature Tdet, K | ~230 | |
Optical area AO, mm×mm | 1×1 | |
Package | TO8 | |
Acceptance angle, Φ | ~36° | |
Window | wZnSeAR |
機械的レイアウト、mm
関連資料
PVI-2TE-6-1×1-TO8-wZnSeAR-36検出器データシート
TO8パッケージ製図
完全なVIGOカタログをダウンロードする
PVI-4TE-6-1×1-TO8-wZnSeAR-36は、最高の性能と安定性を実現する高度なHgCdTeヘテロ構造に基づく4段熱電冷却IR光起電力検出器です。このデバイスは、λopt = 6 µmで最大のパフォーマンスが得られるように最適化されています。検出器エレメントは、デバイスの性能を向上させるために、超半球型マイクロレンズとモノリシックに統合されています。逆バイアスV bが著しく応答速度とダイナミックレンジを増加させることができます。3°ウェッジセレン化亜鉛反射防止コーティング(wZnSeAR)ウィンドウは、不要な干渉効果を防ぎます。
カタログ ダウンロード PDFスペクトル応答(Ta = 20°C、Vb = 0 mV)
特徴
アプリケーション
仕様(Ta = 20°C、Vb = 0 mV)
Parameter |
PVI-4TE-6-1×1-TO8-wZnSeAR-36 |
|
Active element material | epitaxial HgCdTe heterostructure | |
Cut-on wavelength λcut-on (10%) µm | 3.0±1.0 | |
Peak wavelength λpeak, µm | 5.5±0.5 | |
Optimum wavelength λopt, µm | 6.0 | |
Cut-off wavelength λcut-off (10%) µm | 6.9±0.3 | |
Detectivity D*(λpeak), cm![]() |
≥8.0×1010 | |
Detectivity D*(λopt), cm![]() |
≥6.0×1010 | |
Current responsivity Ri(λpeak), A/W | ≥2.7 | |
Current responsivity Ri(λopt), A/W | ≥1.5 | |
Time constant τ, ns | ≤50 | |
Resistance R, Ω | ≥300 | |
Active element temperature Tdet, K | ~195 | |
Optical area AO, mm×mm | 1×1 | |
Package | TO8 | |
Acceptance angle, Φ | ~36° | |
Window | wZnSeAR |
機械的レイアウト、mm
4TE-TO8パッケージ
関連資料
PVI-4TE-6-1×1-TO8-wZnSeAR-36検出器データシート
TO8パッケージ製図
完全なVIGOカタログをダウンロードする
PVM-10.6-1×1-TO39-NW-90は、最高のパフォーマンスと安定性を実現する高度なHgCdTeヘテロ構造に基づく非冷却IR光起電性多重接合検出器です。このデバイスは、λopt = 10.6 µmで最大の性能を発揮するように設計されており、CWおよび低周波変調放射を検出するための大活性領域検出器として特に役立ちます。
カタログ ダウンロード PDF
スペクトル応答(Ta = 20°C)
特徴
アプリケーション
仕様(Ta = 20°C)
Parameter |
PVM-10.6-1×1-TO39-NW-90 |
|
Active element material | epitaxial HgCdTe heterostructure | |
Cut-on wavelength λcut-on (10%) µm | ≤2.0 | |
Peak wavelength λpeak, µm | 8.5±1.5 | |
Optimum wavelength λopt, µm | 10.6 | |
Cut-off wavelength λcut-off (10%) µm | ≥12.0 | |
Detectivity D*(λpeak), cm![]() |
≥2.0×107 | |
Detectivity D*(λopt), cm![]() |
≥1.0×107 | |
Current responsivity Ri(λpeak), A/W | ≥0.004 | |
Current responsivity Ri(λopt), A/W | ≥0.002 | |
Time constant τ, ns | ≤1.5 | |
Resistance R, Ω | ≥30 | |
Active area A, mm×mm | 1×1 | |
Package | TO39 | |
Acceptance angle, Φ | ~90° | |
Window |
機械的レイアウト、mm
関連資料
PVM-10.6-1×1-TO39-NW-90検出器データシート
TO39パッケージ製図
完全なVIGOカタログをダウンロードする
PVM-2TE-10.6-1×1-TO8-wZnSeAR-70は、最高の性能と安定性を実現するために洗練されたHgCdTeヘテロ構造をベースにした2段熱電子冷却型IR光起電力多重接合検出器です。
このデバイスは、λopt = 10.6 µmで最大の性能を発揮するように設計されており、特にCWや低周波変調された放射線を検出するための大面積検出器として有用です。
3°ウェッジ付きセレン化亜鉛反射防止コーティング(wZnSeAR)窓が、不要な干渉効果を防止します。
カタログ ダウンロード PDF
スペクトル応答(Ta = 20°C)
特徴
アプリケーション
仕様(Ta = 20°C)
Parameter |
PVM-2TE-10.6-1×1-TO8-wZnSeAR-70 |
|
Active element material | epitaxial HgCdTe heterostructure | |
Cut-on wavelength λcut-on (10%) µm | ≤2.0 | |
Peak wavelength λpeak, µm | 8.5±2.0 | |
Optimum wavelength λopt, µm | 10.6 | |
Cut-off wavelength λcut-off (10%) µm | ≥12.0 | |
Detectivity D*(λpeak), cm![]() |
≥2.0×108 | |
Detectivity D*(λopt), cm![]() |
≥1.0×108 | |
Current responsivity Ri(λpeak), A/W | ≥0.015 | |
Current responsivity Ri(λopt), A/W | ≥0.01 | |
Time constant τ, ns | ≤4 | |
Resistance R, Ω | ≥90 | |
Active element temperature Tdet, K | ~230 | |
Active area A, mm×mm | 1×1 | |
Package | TO8 | |
Acceptance angle, Φ | ~70° | |
Window | wZnSeAR |
機械的レイアウト、mm
2TE-TO8パッケージ
関連資料
PVM-2TE-10.6-1×1-TO8-wZnSeAR-70検出器データシート
TO8パッケージ製図
完全なVIGOカタログをダウンロードする
PVMI-2TE-10.6-1×1-TO8-wZnSeAR-36は、最高の性能と安定性を実現するために洗練されたHgCdTeヘテロ構造をベースにした2ステージTE冷却赤外光起電力多重接合検出器です。
このデバイスは、λopt = 10.6 µmで最大の性能を発揮するように設計されており、特にCWや低周波変調された放射線を検出するための大面積検出器として有用です。
3°ウェッジ付きセレン化亜鉛反射防止コーティング(wZnSeAR)窓が、不要な干渉効果を防ぎます。
カタログ ダウンロード PDF
スペクトル応答(Ta = 20°C)
特徴
仕様(Ta = 20°C)
Parameter |
PVMI-2TE-10.6-1×1-TO8-wZnSeAR-36 |
|
Active element material | epitaxial HgCdTe heterostructure | |
Cut-on wavelength λcut-on (10%) µm | ≤2.0 | |
Peak wavelength λpeak, µm | 8.5±1.5 | |
Optimum wavelength λopt, µm | 10.6 | |
Cut-off wavelength λcut-off (10%) µm | ≥12.0 | |
Detectivity D*(λpeak), cm![]() |
≥1.5×109 | |
Detectivity D*(λopt), cm![]() |
≥1.0×109 | |
Current responsivity Ri(λpeak), A/W | ≥0.15 | |
Current responsivity Ri(λopt), A/W | ≥0.1 | |
Time constant τ, ns | ≤3 | |
Resistance R, Ω | ≥90 | |
Active element temperature Tdet, K | ~230 | |
Active area A, mm×mm | 1×1 | |
Package | TO8 | |
Acceptance angle, Φ | ~36° | |
Window | wZnSeAR |
機械的レイアウト、mm
2TE-TO8パッケージ
関連資料
PVMI-2TE-10.6-1×1-TO8-wZnSeAR-36検出器データシート
TO8パッケージ製図
完全なVIGOカタログをダウンロードする
スペクトル応答(Ta = 20°C)
特徴
アプリケーション
仕様(Ta = 20°C)
Parameter |
PVMI-4TE-10.6-1×1-TO8-wZnSeAR-36 |
|
Active element material | epitaxial HgCdTe heterostructure | |
Cut-on wavelength λcut-on (10%) µm | ≤2.0 | |
Peak wavelength λpeak, µm | 8.5±2.0 | |
Optimum wavelength λopt, µm | 10.6 | |
Cut-off wavelength λcut-off (10%) µm | ≥12.0 | |
Detectivity D*(λpeak), cm![]() |
≥3.0×109 | |
Detectivity D*(λopt), cm![]() |
≥2.5×109 | |
Current responsivity Ri(λpeak), A/W | ≥0.25 | |
Current responsivity Ri(λopt), A/W | ≥0.18 | |
Time constant τ, ns | ≤3 | |
Resistance R, Ω | ≥120 | |
Active element temperature Tdet, K | ~195 | |
Active area A, mm×mm | 1×1 | |
Package | TO8 | |
Acceptance angle, Φ | ~36° | |
Window | wZnSeAR |
機械的レイアウト、mm
4TE-TO8パッケージ
関連資料
PVMI-4TE-10.6-1×1-TO8-wZnSeAR-36検出器データシート
TO8パッケージ製図
完全なVIGOカタログをダウンロードする
関連商品
LabM-I-10.6
スペクトル応答(Ta = 20°C)
特徴
アプリケーション
仕様(Ta = 20°C)
Parameter |
PEM-10.6-2×2-PEM-SMA-wZnSeAR-48 |
|
Active element material | epitaxial HgCdTe heterostructure | |
Cut-on wavelength λcut-on (10%) µm | ≤2.0 | |
Peak wavelength λpeak, µm | 8.5±1.5 | |
Optimum wavelength λopt, µm | 10.6 | |
Cut-off wavelength λcut-off (10%) µm | ≥12.0 | |
Detectivity D*(λpeak), cm![]() |
≥2.0×107 | |
Detectivity D*(λopt), cm![]() |
≥1.0×107 | |
Current responsivity Ri(λpeak), A/W | ≥0.002 | |
Current responsivity Ri(λopt), A/W | ≥0.001 | |
Time constant τ, ns | ≤1.2 | |
Resistance R, Ω | ≥40 | |
Active area A, mm×mm | 2×2 | |
Package | PEM-SMA | |
Acceptance angle, Φ | ~48° | |
Window | wZnSeAR |
機械的レイアウト、mm
PEM-SMAパッケージ
関連資料
PEM-10.6-2×2-PEM-SMA-wZnSeAR-48検出器データシート
PEM-SMAパッケージの製図
完全なVIGOカタログをダウンロードする