HgCdTe(MCT) フォトボルテイック赤外検出器　VIGO PHOTONICS

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HgCdTe(MCT) フォトボルテイック赤外検出器　VIGO PHOTONICS

HgCdTe（MCT）Photovoltaic フォトボルテイック赤外検出器

フォトボルテイック検出器（フォトダイオード）は、1つ（PV）または複数（PVM）のホモまたはヘテロ接合を持つ半導体構造です。吸収された光子は電荷キャリアを生成し、接点に集められ、外部光電流を発生させる。フォトダイオードは複雑な電流電圧特性を持っています。フォトダイオードはフリッカーフリーのゼロバイアスでも、逆電圧でも動作することができます。逆バイアス電圧は，応答性の向上，差動抵抗の低減，ショットノイズの低減，高周波特性の改善，ダイナミックレンジの拡大などのために頻繁に印加されます。
　

エンジニアリング　サンプル

Image	型名	冷却	レンズ	ピーク波長 λ_peak, µm	検出 D*(λ_peak), cm·Hz^1/2/W	時定数 τ, ns	パッケージ
	PV-5-AF0.1×0.1-TO39-NW-90	Uncooled	No	4.4±0.2	~3.55×10⁹	~177	TO39
	PV-5-AF1×1-TO39-NW-90	Uncooled	No	4.4±0.2	~1.45×10⁹	~570	TO39

セレクト　ライン

型名	冷却	レンズ	最適波長 λ_opt, µm	検出D*(λ_opt), cm·Hz^1/2/W	時定数 τ, ns	パッケージ
PVI-5-1×1-TO39-NW-36	冷却なし	Yes	5.0	≥ 1.0×10¹⁰	≤ 150	TO39
PVI-4-1×1-TO39-NW-36	冷却なし	Yes	4.0	≥ 3.0×10¹⁰	≤ 150	TO39
PVI-2TE-4-1×1-TO8-wAl2O3-36	二段式TE冷却	Yes	4.0	≥ 3.0×10¹¹	≤ 100	TO8
PVI-2TE-6-1×1-TO8-wZnSeAR-36	二段式TE冷却	Yes	6.0	≥ 4.0×10¹⁰	≤ 50	TO8
PVM-10.6-1×1-TO39-NW-90	冷却なし	No	10.6	≥ 1.0×10⁷	≤ 1.5	TO39

すべての HgCdTe (MCT) フォトボルテイック赤外検出器

型名	冷却	レンズ	波長 λ_opt, µm	検出 D*(λ_opt), cm·Hz^1/2/W	時定数 τ, ns	パッケージ
PV-3	冷却なし	No	3.0	≥ 6.5×10⁹	≤ 350	BNC, TO39
PV-3.4	冷却なし	No	3.4	≥ 5.0×10⁹	≤ 260	BNC, TO39
PV-4	冷却なし	No	4.0	≥ 3.0×10⁹	≤ 150	BNC, TO39
PV-5	冷却なし	No	5.0	≥ 1.0×10⁹	≤ 120	BNC, TO39
PV-6	冷却なし	No	6.0	≥ 5.0×10⁸	≤80	BNC, TO39
PV-2TE-3	二段式TE冷却	No	3.0	≥ 7.0×10¹⁰	≤ 280	TO8, TO66
PV-2TE-3.4	二段式TE冷却	No	3.4	≥ 4.0×10¹⁰	≤ 200	TO8, TO66
PV-2TE-4	二段式TE冷却	No	4.0	≥ 3.0×10¹⁰	≤ 100	TO8, TO66
PV-2TE-5	二段式TE冷却	No	5.0	≥ 9.0×10⁹	≤ 80	TO8, TO66
PV-2TE-6	二段式TE冷却	No	6.0	≥ 2.0×10⁹	≤ 50	TO8, TO66
PV-2TE-8	二段式TE冷却	No	8.0	≥ 2.0×10⁸	≤ 45	TO8, TO66
PV-2TE-10.6	二段式TE冷却	No	10.6	≥ 1.0×10⁸	≤ 10	TO8, TO66
PV-3TE-3	三段式TE冷却	No	3.0	≥ 1.0×10¹¹	≤ 280	TO8, TO66
PV-3TE-3.4	三段式TE冷却	No	3.4	≥ 7.0×10¹⁰	≤ 200	TO8, TO66
PV-3TE-4	三段式TE冷却	No	4.0	≥ 4.0×10¹⁰	≤ 100	TO8, TO66
PV-3TE-5	三段式TE冷却	No	5.0	≥ 1.0×10¹⁰	≤ 80	TO8, TO66
PV-3TE-6	三段式TE冷却	No	6.0	≥ 4.0×109	≤ 50	TO8, TO66
PV-3TE-8	三段式TE冷却	No	8.0	≥ 3.0×10⁸	≤ 45	TO8, TO66
PV-3TE-10.6	三段式TE冷却	No	10.6	≥ 1.5×10⁸	≤ 10	TO8, TO66
PV-4TE-3	四段式TE冷却	No	3.0	≥ 1.5×10¹¹	≤ 280	TO8, TO66
PV-4TE-3.4	四段式TE冷却	No	3.4	≥ 1.0×10¹¹	≤ 200	TO8, TO66
PV-4TE-4	四段式TE冷却	No	4.0	≥ 6.0×10¹⁰	≤ 100	TO8, TO66
PV-4TE-5	四段式TE冷却	No	5.0	≥ 1.5×10¹⁰	≤ 80	TO8, TO66
PV-4TE-6	四段式TE冷却	No	6.0	≥ 5.0×10⁹	≤ 50	TO8, TO66
PV-4TE-8	四段式TE冷却	No	8.0	≥ 4.0×10⁸	≤ 45	TO8, TO66
PV-4TE-10.6	冷却なし	No	10.6	≥ 2.0×10⁸	≤ 25	TO8, TO66
PVI-3	冷却なし	Yes	3.0	≥ 5.0×10¹⁰	≤ 350	TO39, BNC
PVI-3.4	冷却なし	Yes	3.4	≥ 4.5×10¹⁰	≤ 260	TO39, BNC
PVI-4	冷却なし	Yes	4.0	≥ 2.0×10¹⁰	≤ 150	TO39, BNC
PVI-5	冷却なし	Yes	5.0	≥ 9.0×10¹⁰	≤ 120	TO39, BNC
PVI-6	冷却なし	Yes	6.0	≥ 4.0×10⁹	≤ 80	TO39, BNC
PVI-2TE-3	二段式TE冷却	Yes	3.0	≥ 5.5×10¹¹	≤ 280	TO8, TO66
PVI-2TE-3.4	二段式TE冷却	Yes	3.4	≥ 3.0×10¹¹	≤ 200	TO8, TO66
PVI-2TE-4	二段式TE冷却	Yes	4.0	≥ 2.0×10¹¹	≤ 100	TO8, TO66
PVI-2TE-5	二段式TE冷却	Yes	5.0	≥ 6.0×10¹⁰	≤ 80	TO8, TO66
PVI-2TE-6	二段式TE冷却	Yes	6.0	≥ 2.0×10¹⁰	≤ 50	TO8, TO66
PVI-2TE-8	二段式TE冷却	Yes	8.0	≥ 2.0×10⁹	≤ 45	TO8, TO66
PVI-2TE-10.6	二段式TE冷却	Yes	10.6	≥ 1.0×10¹⁰	≤ 10	TO8, TO66
PVI-3TE-3	三段式TE冷却	Yes	3.0	≥ 7.0×10¹¹	≤ 280	TO8, TO66
PVI-3TE-3.4	三段式TE冷却	Yes	3.4	≥ 5.0×10¹¹	≤ 200	TO8, TO66
PVI-3TE-4	三段式TE冷却	Yes	4.0	≥ 3.0×10¹¹	≤ 100	TO8, TO66
PVI-3TE-5	三段式TE冷却	Yes	5.0	≥ 8.0×10¹⁰	≤ 80	TO8, TO66
PVI-3TE-6	三段式TE冷却	Yes	6.0	≥ 3.0×10¹⁰	≤ 50	TO8, TO66
PVI-3TE-8	三段式TE冷却	Yes	8.0	≥ 3.0×10⁹	≤ 45	TO8, TO66
PVI-3TE-10.6	三段式TE冷却	Yes	10.6	≥ 1.5×10⁹	≤ 10	TO8, TO66
PVI-4TE-3	四段式TE冷却	Yes	3.0	≥ 8.0×10¹¹	≤ 280	TO8, TO66
PVI-4TE-3.4	四段式TE冷却	Yes	3.4	≥ 7.0×10¹¹	≤ 200	TO8, TO66
PVI-4TE-4	四段式TE冷却	Yes	4.0	≥ 4.0×10¹¹	≤ 100	TO8, TO66
PVI-4TE-5	四段式TE冷却	Yes	5.0	≥ 1.0×10¹¹	≤ 80	TO8, TO66
PVI-4TE-6	四段式TE冷却	Yes	6.0	≥ 4.0×10¹⁰	≤ 50	TO8, TO66
PVI-4TE-8	四段式TE冷却	Yes	8.0	≥ 4.0×10⁹	≤ 45	TO8, TO66
PVI-4TE-10.6	四段式TE冷却	Yes	10.6	≥ 2.0×10⁹	≤ 25	TO8, TO66
PVM-8	冷却なし	No	8.0	≥ 6.5×10⁷	≤ 4	TO39, BNC
PVM-10.6	冷却なし	No	10.6	≥ 1.0×10⁷	≤ 1.5	TO39, BNC
PVM-2TE-8	二段式TE冷却	No	8.0	≥ 3.0×10⁸	≤ 4	TO8, TO66
PVM-2TE-10.6	二段式TE冷却	No	10.6	≥ 1.0×10⁸	≤ 3	TO8, TO66
PVMI-8	冷却なし	Yes	8.0	≥ 3.0×10⁸	≤ 4	TO39, BNC
PVMI-10.6	冷却なし	Yes	10.6	≥ 1.0×10⁸	≤ 1.5	TO39, BNC
PVMI-2TE-8	二段式TE冷却	Yes	8.0	≥ 2.0×10⁹	≤ 4	TO8, TO66
PVMI-2TE-10.6	二段式TE冷却	Yes	10.6	≥ 1.0×10⁹	≤ 3	TO8, TO66
PVMI-3TE-8	三段式TE冷却	Yes	8.0	≥ 3.0×10⁹	≤ 4	TO8, TO66
PVMI-3TE-10.6	三段式TE冷却	Yes	10.6	≥ 1.5×10⁹	≤ 3	TO8, TO66
PVMI-4TE-8	四段式TE冷却	Yes	8.0	≥ 6.0×10⁹	≤ 4	TO8, TO66
PVMI-4TE-10.6	四段式TE冷却	Yes	10.6	≥ 2.5×10⁹	≤ 3	TO8, TO66
PEM-10.6	冷却なし	No	10.6	≥ 1.0×10⁷	≤ 1.2	PEM-SMA, PEM-TO8
PEMI-10.6	冷却なし	Yes	10.6	≥ 1.0×10⁸	≤ 1.2	PEM-SMA, PEM-TO8

PVI-5-1×1-TO39-NW-36　HgCdTe（MCT）Photovoltaic 光起電赤外検出器

2.4 – 5.5 µm、周囲温度 (室温動作)、半球型GaAsマイクロレンズ　

PVI-5-1×1-TO39-NW-36は、最高の性能と安定性を実現する洗練されたHgCdTeヘテロ構造に基づく非冷却IR光起電力検出器です。このデバイスは、λopt = 5 µmで最大のパフォーマンスが得られるように最適化されています。検出器エレメントは、デバイスの性能を向上させるために、超半球型GaAsマイクロレンズとモノリシックに統合されています。逆バイアスV bが著しく応答速度とダイナミックレンジを増加させることができます。また、高周波数でのパフォーマンスが向上しますが、バイアスされたデバイスに発生する1 / fノイズは、低周波数でのパフォーマンスを低下させる可能性があります。

スペクトル応答（Ta = 20°C、Vb = 0 mV）

特徴

スペクトル範囲　2.4〜5.5 µm
周囲温度動作 (室温動作)
ハイパーヘミマージョンマイクロレンズテクノロジー　半球型GaAsマイクロレンズ
バイアスは必要ありません。
1 / fノイズなし
使い勝手の良さ
小さいサイズ
費用効果の高いソリューション
数量割引価格
迅速な納期

アプリケーション

非接触温度測定（鉄道輸送、産業および実験室プロセスの監視）
炎と爆発の検出
警報システム
ガス検知、監視、分析（CO、CO₂、NOx）
呼気分析
固体分析
ガスパイプラインの漏れ制御
燃焼プロセス制御

仕様（Ta = 20°C、Vb = 0 mV）

Parameter	PVI-5-1×1-TO39-NW-36
Active element material	epitaxial HgCdTe heterostructure
Cut-on wavelength λ_cut-on (10%) µm	2.4±0.5
Peak wavelength λ_peak, µm	4.2±0.5
Optimum wavelength λ_opt, µm	5.0
Cut-off wavelength λ_cut-off (10%) µm	5.5±0.3
Detectivity D*(λ_peak), cm⋅Hz^1/2/W	≥3.0×10¹⁰
Detectivity D*(λ_opt), cm⋅Hz^1/2/W	≥1.0×10¹⁰
Current responsivity Ri(λ_peak), A/W	≥2.0
Current responsivity Ri(λ_opt), A/W	≥1.0
Time constant τ, ns	≤150
Resistance R, Ω	≥100
Optical area AO, mm×mm	1×1
Package	TO39
Acceptance angle, Φ	~36°
Window	none

機械的レイアウト、mm

PVI-4-1×1-TO39-NW-36　HgCdTe（MCT）光起電赤外検出器

2.4 – 4.5 µm、周囲温度 (室温動作)、半球GaAsマイクロレンズ付き

PVI-4-1×1-TO39-NW-36は、最高の性能と安定性を実現する高度なHgCdTeヘテロ構造に基づく非冷却IR光起電力検出器です。このデバイスは、4 µmで最大のパフォーマンスが得られるように最適化されています。検出器エレメントは、デバイスの性能を向上させるために、超半球型GaAsマイクロレンズとモノリシックに統合されています。逆バイアスは、応答速度とダイナミックレンジを大幅に向上させる可能性があります。また、高周波数でのパフォーマンスが向上しますが、バイアスされたデバイスに発生する1 / fノイズは、低周波数でのパフォーマンスを低下させる可能性があります。

スペクトル応答（Ta = 20°C、Vb = 0 mV）

特徴

スペクトル範囲 2.4〜4.5 µm
周囲温度動作　(室温動作)
ハイパーヘミマージョンマイクロレンズテクノロジー(半球型GaAsマイクロレンズ)
バイアスは必要ありません
1 / fノイズなし
使い勝手
小さいサイズ
費用効果の高いソリューション
数量割引価格
迅速な納期

アプリケーション

ガス検知、監視、分析（CH₄、C₂H₂、CH₂O、HCl、NH₃、SO₂、C₂H₆）
呼気分析
防爆
煙道ガス脱窒
排出制御（排気ガス、温室効果ガス）

仕様（Ta = 20°C、Vb = 0 mV）

Parameter	PVI-4-1×1-TO39-NW-36
Active element material	epitaxial HgCdTe heterostructure
Cut-on wavelength λ_cut-on (10%) µm	2.4±0.5
Peak wavelength λ_peak, µm	3.4±0.5
Optimum wavelength λ_opt, µm	4.0
Cut-off wavelength λ_cut-off (10%) µm	4.5±0.3
Detectivity D*(λ_peak), cm⋅Hz^1/2/W	≥4.0×10¹⁰
Detectivity D*(λ_opt), cm⋅Hz^1/2/W	≥3.0×10¹⁰
Current responsivity Ri(λ_peak), A/W	≥2.0
Current responsivity Ri(λ_opt), A/W	≥1.0
Time constant τ, ns	≤150
Resistance R, Ω	≥600
Optical area AO, mm×mm	1×1
Package	TO39
Acceptance angle, Φ	~36°
Window	none

機械的レイアウト、mm

PVI-2TE-4-1×1-TO8-wAl₂O₃-36　HgCdTe（MCT）　光起電赤外検出器

2.4 – 4.3 µm、2ステージTE冷却、半球GaAsマイクロレンズ付き

PVI-2TE-4-1×1-TO8-36-wAL₂O₃ 2ステージTE冷却は、熱電最高の性能と安定性のための洗練されたのHgCdTeヘテロ構造に基づくIR光起電力検出器を冷却します。このデバイスは、λopt = 4.0 µmで最大のパフォーマンスが得られるように最適化されています。検出器エレメントは、デバイスの性能を向上させるために、超半球型GaAsマイクロレンズとモノリシックに統合されています。逆バイアスV bが著しく応答速度とダイナミックレンジを増加させることができます。また、高周波数でのパフォーマンスが向上しますが、バイアスされたデバイスに発生する1 / fノイズは、低周波数でのパフォーマンスを低下させる可能性があります。3°ウェッジサファイア（wAl 2 O 3）ウィンドウは、不要な干渉の影響を防ぎます。

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スペクトル応答（Ta = 20°C、Vb = 0 mV）

特徴

2.4〜4.3 µmのスペクトル範囲で高性能
2ステージ熱電冷却
ハイパーヘミマージョンマイクロレンズテクノロジー　半球GaAsマイクロレンズ付き
バイアスは必要ありません
1 / fノイズなし
同じタイプの非冷却検出器と比較して、D *が1桁優れています
広いダイナミックレンジ
数量割引価格
迅速な納期

アプリケーション

ガス検知、監視、分析（CH₄、C₂H₂、CH₂O、HCl、NH₃、SO₂、C₂H₆）
呼気分析
防爆
煙道ガス脱窒
排出制御（排気ガス、温室効果ガス）

仕様（Ta = 20°C、Vb = 0 mV）

Parameter	PVI-2TE-4-1×1-TO8-wAl2O3-36
Active element material	epitaxial HgCdTe heterostructure
Cut-on wavelength λ_cut-on (10%) µm	2.4±0.5
Peak wavelength λ_peak, µm	3.5±0.5
Optimum wavelength λ_opt, µm	4.0
Cut-off wavelength λ_cut-off (10%) µm	4.3±0.3
Detectivity D*(λ_peak), cm⋅Hz^1/2/W	≥4.0×10¹¹
Detectivity D*(λ_opt), cm⋅Hz^1/2/W	≥3.0×10¹¹
Current responsivity Ri(λ_peak), A/W	≥2.0
Current responsivity Ri(λ_opt), A/W	≥1.3
Time constant τ, ns	≤100
Resistance R, Ω	≥20000
Active element temperature Tdet, K	~230
Optical area AO, mm×mm	1×1
Package	TO8
Acceptance angle, Φ	~36°
Window	wAl₂O₃

機械的レイアウト、mm

2TE-TO8パッケージ

PVI-2TE-5-1×1-TO8-wAl2O3-36　HgCdTe（MCT）光起電赤外検出器

2.9 – 5.5 µm、2ステージTE冷却、半球型GaAsマイクロレンズ付き

PVI-2TE-5-1×1-TO8-ｗAL₂ O₃ -36　2ステージTE冷却は、熱電最高の性能と安定性のための洗練されたのHgCdTeヘテロ構造に基づくIR光起電力検出器を冷却します。このデバイスは、λopt = 5.0 µmで最大のパフォーマンスが得られるように最適化されています。検出器エレメントは、デバイスの性能を向上させるために、超半球型GaAsマイクロレンズとモノリシックに統合されています。逆バイアスV bが著しく応答速度とダイナミックレンジを増加させることができます。また、高周波数でのパフォーマンスが向上しますが、バイアスされたデバイスに発生する1 / fノイズは、低周波数でのパフォーマンスを低下させる可能性があります。3°ウェッジサファイア（wAl₂ O₃）ウィンドウは、不要な干渉の影響を防ぎます。

スペクトル応答（Ta = 20°C、Vb = 0 mV）

特徴

2.9〜5.5 µmのスペクトル範囲で高性能
2ステージ熱電冷却
ハイパーヘミマージョンマイクロレンズテクノロジー　半球GaAsレンズ付き
バイアスは必要ありません
1 / fノイズなし
同じタイプの非冷却検出器と比較して、D *が1桁優れています
広いダイナミックレンジ
数量割引価格
迅速な納期

アプリケーション

非接触温度測定（鉄道輸送、産業および実験室プロセスの監視）
炎と爆発の検出
警報システム
ガス検知、監視、分析（CO、CO₂、NOx）
インビボアルコール検出
呼気分析
固体分析
ガスパイプラインの漏れ制御
燃焼プロセス制御

仕様（Ta = 20°C、Vb = 0 mV）

Parameter	PVI-2TE-5-1×1-TO8-wAl2O3-36
Active element material	epitaxial HgCdTe heterostructure
Cut-on wavelength λ_cut-on (10%) µm	2.9±1.0
Peak wavelength λ_peak, µm	4.2±0.5
Optimum wavelength λ_opt, µm	5.0
Cut-off wavelength λ_cut-off (10%) µm	5.5±0.3
Detectivity D*(λ_peak), cm⋅Hz^1/2/W	≥2.0×10¹¹
Detectivity D*(λ_opt), cm⋅Hz^1/2/W	≥9.0×10¹⁰
Current responsivity Ri(λ_peak), A/W	≥2.0
Current responsivity Ri(λ_opt), A/W	≥1.3
Time constant τ, ns	≤80
Resistance R, Ω	≥1000
Active element temperature Tdet, K	~230
Optical area AO, mm×mm	1×1
Package	TO8
Acceptance angle, Φ	~36°
Window	wAl₂O₃

機械的レイアウト、mm

2TE-TO8パッケージ

PVI-2TE-6-1×1-TO8-wZnSeAR-36　HgCdTe（MCT）光起電赤外検出器

3.0 – 6.7 µm、2ステージTE冷却、半球型GaAsマイクロレンズ

PVI-2TE-6-1×1-TO8-wZnSeAR-36は、最高の性能と安定性を実現する高度なHgCdTeヘテロ構造に基づく2ステージTE冷却IR光起電力検出器です。このデバイスは、λopt = 6 µmで最大のパフォーマンスが得られるように最適化されています。検出器エレメントは、デバイスの性能を向上させるために、超半球型マイクロレンズとモノリシックに結合されています。逆バイアスV bが著しく応答速度とダイナミックレンジを増加させることができます。3°ウェッジセレン化亜鉛反射防止コーティング（wZnSeAR）ウィンドウは、不要な干渉効果を防ぎます。

スペクトル応答（Ta = 20°C、Vb = 0 mV）

特徴

3.0〜6.7 µmのスペクトル範囲で高性能
2ステージ熱電冷却
ハイパーヘミマージョンマイクロレンズテクノロジー半球マイクロレンズ付き
バイアスは必要ありません
1 / fノイズなし
広いダイナミックレンジ
多様性
数量割引価格
迅速な納期
アプリケーション
ガス検知、監視、分析（CO、CO₂、NH₃、NOx）
煙道ガス脱窒
発電所やその他の産業施設での燃料燃焼モニタリング
非接触温度測定

仕様（Ta = 20°C、Vb = 0 mV）

Parameter	PVI-2TE-6-1×1-TO8-wZnSeAR-36
Active element material	epitaxial HgCdTe heterostructure
Cut-on wavelength λ_cut-on (10%) µm	3.0±1.0
Peak wavelength λ_peak, µm	5.2±0.5
Optimum wavelength λ_opt, µm	6.0
Cut-off wavelength λ_cut-off (10%) µm	6.7±0.3
Detectivity D*(λ_peak), cm⋅Hz^1/2/W	≥7.0×10¹⁰
Detectivity D*(λ_opt), cm⋅Hz^1/2/W	≥4.0×10¹⁰
Current responsivity Ri(λ_peak), A/W	≥2.7
Current responsivity Ri(λopt_{), A/W}	≥1.5
Time constant τ, ns	≤50
Resistance R, Ω	≥200
Active element temperature Tdet, K	~230
Optical area AO, mm×mm	1×1
Package	TO8
Acceptance angle, Φ	~36°
Window	wZnSeAR

機械的レイアウト、mm

2TE-TO8パッケージ

PVI-4TE-6-1×1-TO8-wZnSeAR-36　HgCdTe（MCT）光起電赤外検出器

3.0 – 6.9 µm、4ステージTE冷却、半球型ZnSeマイクロレンズ

PVI-4TE-6-1×1-TO8-wZnSeAR-36は、最高の性能と安定性を実現する高度なHgCdTeヘテロ構造に基づく4段熱電冷却IR光起電力検出器です。このデバイスは、λopt = 6 µmで最大のパフォーマンスが得られるように最適化されています。検出器エレメントは、デバイスの性能を向上させるために、超半球型マイクロレンズとモノリシックに統合されています。逆バイアスV bが著しく応答速度とダイナミックレンジを増加させることができます。3°ウェッジセレン化亜鉛反射防止コーティング（wZnSeAR）ウィンドウは、不要な干渉効果を防ぎます。

スペクトル応答（Ta = 20°C、Vb = 0 mV）

特徴

3.0〜6.9 µmのスペクトル範囲で非常に高性能
4ステージ熱電冷却
ハイパーヘミマージョンマイクロレンズテクノロジー　半球面マイクロレンズ
バイアスは必要ありません
1 / fノイズなし
広いダイナミックレンジ
多様性
数量割引価格
迅速な納期

アプリケーション

ガス検知、監視、分析（CO、CO₂、NH₃、NOx）
煙道ガス脱窒
発電所やその他の産業施設での燃料燃焼モニタリング
非接触温度測定

仕様（Ta = 20°C、Vb = 0 mV）

Parameter	PVI-4TE-6-1×1-TO8-wZnSeAR-36
Active element material	epitaxial HgCdTe heterostructure
Cut-on wavelength λ_cut-on (10%) µm	3.0±1.0
Peak wavelength λ_peak, µm	5.5±0.5
Optimum wavelength λ_opt, µm	6.0
Cut-off wavelength λ_cut-off (10%) µm	6.9±0.3
Detectivity D*(λ_peak), cm⋅Hz^1/2/W	≥8.0×10¹⁰
Detectivity D*(λ_opt), cm⋅Hz^1/2/W	≥6.0×10¹⁰
Current responsivity Ri(λ_peak), A/W	≥2.7
Current responsivity Ri(λ_opt), A/W	≥1.5
Time constant τ, ns	≤50
Resistance R, Ω	≥300
Active element temperature Tdet, K	~195
Optical area AO, mm×mm	1×1
Package	TO8
Acceptance angle, Φ	~36°
Window	wZnSeAR

機械的レイアウト、mm

4TE-TO8パッケージ

PVM-10.6-1×1-TO39-NW-90　HgCdTe（MCT）光起電10.6μm検出器

2.0 – 12.0 µm、周囲温度(室温動作)、複数接合

PVM-10.6-1×1-TO39-NW-90は、最高のパフォーマンスと安定性を実現する高度なHgCdTeヘテロ構造に基づく非冷却IR光起電性多重接合検出器です。このデバイスは、λopt = 10.6 µmで最大の性能を発揮するように設計されており、CWおよび低周波変調放射を検出するための大活性領域検出器として特に役立ちます。

スペクトル応答（Ta = 20°C）

特徴

2.0〜12.0 µmの広いスペクトル範囲
広いアクティブエリア1×1mm²
周囲温度動作　(室温動作)
バイアスは必要ありません
1 / fノイズなし
短い時定数≤1.5ns
DCから高周波動作
赤外放射偏光に敏感
容易な使用
多様性
小さいサイズ
費用効果の高いソリューション
数量割引価格
迅速な納期

アプリケーション

CO₂レーザー（10.6 µm）測定
レーザー出力の監視と制御
レーザービームのプロファイリングとポジショニング
レーザーキャリブレーション
歯科

仕様（Ta = 20°C）

Parameter	PVM-10.6-1×1-TO39-NW-90
Active element material	epitaxial HgCdTe heterostructure
Cut-on wavelength λ_cut-on (10%) µm	≤2.0
Peak wavelength λ_^peak, µm	8.5±1.5
Optimum wavelength λ_opt, µm	10.6
Cut-off wavelength λ_cut-off (10%) µm	≥12.0
Detectivity D*(λpeak), cm⋅Hz^1/2/W	≥2.0×10⁷
Detectivity D*(λ_opt), cm⋅Hz^1/2/W	≥1.0×10⁷
Current responsivity Ri(λ_peak), A/W	≥0.004
Current responsivity Ri(λ_opt), A/W	≥0.002
Time constant τ, ns	≤1.5
Resistance R, Ω	≥30
Active area A, mm×mm	1×1
Package	TO39
Acceptance angle, Φ	~90°
Window

機械的レイアウト、mm

PVM-2TE-10.6-1×1-TO8-wZnSeAR-70　HgCdTe（MCT）光起電10.6μm検出器

2.0 – 12.0 µm、2ステージTE冷却、複数接合

PVM-2TE-10.6-1×1-TO8-wZnSeAR-70は、最高の性能と安定性を実現するために洗練されたHgCdTeヘテロ構造をベースにした2段熱電子冷却型IR光起電力多重接合検出器です。

このデバイスは、λopt = 10.6 µmで最大の性能を発揮するように設計されており、特にCWや低周波変調された放射線を検出するための大面積検出器として有用です。

3°ウェッジ付きセレン化亜鉛反射防止コーティング（wZnSeAR）窓が、不要な干渉効果を防止します。

スペクトル応答（Ta = 20°C）

特徴

2.0〜12.0 µmの広いスペクトル範囲
広いアクティブエリア1×1mm²
2ステージTE冷却
バイアスは必要ありません
1 / fノイズなし
DCから高周波動作
IR放射偏光に敏感
多様性
数量割引価格
迅速な納期

アプリケーション

CO₂レーザー（10.6 µm）測定
レーザー出力の監視と制御
レーザービームのプロファイリングとポジショニング
レーザーキャリブレーション
歯科

仕様（Ta = 20°C）

Parameter	PVM-2TE-10.6-1×1-TO8-wZnSeAR-70
Active element material	epitaxial HgCdTe heterostructure
Cut-on wavelength λ_cut-on (10%) µm	≤2.0
Peak wavelength λ_peak, µm	8.5±2.0
Optimum wavelength λ_opt, µm	10.6
Cut-off wavelength λ_cut-off (10%) µm	≥12.0
Detectivity D*(λ_peak), cm⋅Hz^1/2/W	≥2.0×10⁸
Detectivity D*(λ_opt), cm⋅Hz^1/2/W	≥1.0×10⁸
Current responsivity Ri(λ_peak), A/W	≥0.015
Current responsivity Ri(λ_opt), A/W	≥0.01
Time constant τ, ns	≤4
Resistance R, Ω	≥90
Active element temperature Tdet, K	~230
Active area A, mm×mm	1×1
Package	TO8
Acceptance angle, Φ	~70°
Window	wZnSeAR

機械的レイアウト、mm

2TE-TO8パッケージ

PVMI-2TE-10.6-1×1-TO8-wZnSeAR-36　HgCdTe（MCT）光起電10.6μm検出器

2.0 – 12.0 µm、2ステージTE冷却、半球レンズ付き、複数接合

PVMI-2TE-10.6-1×1-TO8-wZnSeAR-36は、最高の性能と安定性を実現するために洗練されたHgCdTeヘテロ構造をベースにした2ステージTE冷却赤外光起電力多重接合検出器です。
このデバイスは、λopt = 10.6 µmで最大の性能を発揮するように設計されており、特にCWや低周波変調された放射線を検出するための大面積検出器として有用です。
3°ウェッジ付きセレン化亜鉛反射防止コーティング（wZnSeAR）窓が、不要な干渉効果を防ぎます。

スペクトル応答（Ta = 20°C）

特徴

2.0〜12.0 µmの広いスペクトル範囲
ステージTE冷却
ハイパーヘミマージョンマイクロレンズテクノロジー　半球マイクロレンズ付き
バイアスは必要ありません
1 / fノイズなし
DCから高周波動作
赤外放射偏光に敏感
多様性
数量割引価格
迅速な納期

アプリケーション

CO₂レーザー（10.6 µm）測定
レーザー出力の監視と制御
レーザービームのプロファイリングとポジショニング
レーザーキャリブレーション
歯科

仕様（Ta = 20°C）

Parameter	PVMI-2TE-10.6-1×1-TO8-wZnSeAR-36
Active element material	epitaxial HgCdTe heterostructure
Cut-on wavelength λ_cut-on (10%) µm	≤2.0
Peak wavelength λ_peak, µm	8.5±1.5
Optimum wavelength λ_opt, µm	10.6
Cut-off wavelength _λcut-off(10%) µm	≥12.0
Detectivity D*(λ_peak), cm⋅Hz^1/2/W	≥1.5×10⁹
Detectivity D*(λ_opt), cm⋅Hz^1/2/W	≥1.0×10⁹
Current responsivity Ri(λ_peak), A/W	≥0.15
Current responsivity Ri(λ_opt), A/W	≥0.1
Time constant τ, ns	≤3
Resistance R, Ω	≥90
Active element temperature Tdet, K	~230
Active area A, mm×mm	1×1
Package	TO8
Acceptance angle, Φ	~36°
Window	wZnSeAR

機械的レイアウト、mm

2TE-TO8パッケージ

PVMI-4TE-10.6-1×1-TO8-wZnSeAR-36　HgCdTe（MCT）光起電10.6μm検出器

2.0 – 12.0 µm、4ステージTE冷却、半球レンズ付き、複数接合

PVMI-4TE-10.6-1×1-TO8-wZnSeAR-36は、最高の性能と安定性を実現する高度なHgCdTeヘテロ構造に基づく4ステージTE冷却IR光起電性多重接合検出器です。このデバイスは、λopt = 10.6 µmで最大の性能を発揮するように設計されています。検出器エレメントは、デバイスの性能を向上させるために、超半球型GaAsマイクロレンズとモノリシックに統合されています。3°ウェッジセレン化亜鉛反射防止コーティング（wZnSeAR）ウィンドウは、不要な干渉効果を防ぎます。

スペクトル応答（Ta = 20°C）

特徴

2.0〜12.0 µmの広いスペクトル範囲で高性能
4ステージTE冷却
ハイパーヘミマージョンマイクロレンズテクノロジー半球レンズ付き
バイアスは必要ありません
1 / fノイズなし
DCから高周波動作
赤外放射偏光に敏感
多様性
数量割引価格
迅速な納期

アプリケーション

CO₂レーザー（10.6 µm）測定
レーザー出力の監視と制御
レーザービームのプロファイリングとポジショニング
レーザーキャリブレーション
歯科

仕様（Ta = 20°C）

Parameter	PVMI-4TE-10.6-1×1-TO8-wZnSeAR-36
Active element material	epitaxial HgCdTe heterostructure
Cut-on wavelength λ_cut-on (10%) µm	≤2.0
Peak wavelength λ_peak, µm	8.5±2.0
Optimum wavelength λ_opt, µm	10.6
Cut-off wavelength λ_cut-off(10%) µm	≥12.0
Detectivity D*(λ_peak), cm⋅Hz^1/2/W	≥3.0×10⁹
Detectivity D*(λ_opt), cm⋅Hz^1/2/W	≥2.5×10⁹
Current responsivity R_i(λ_peak), A/W	≥0.25
Current responsivity Ri(λ_opt), A/W	≥0.18
Time constant τ, ns	≤3
Resistance R, Ω	≥120
Active element temperature Tdet, K	~195
Active area A, mm×mm	1×1
Package	TO8
Acceptance angle, Φ	~36°
Window	wZnSeAR

機械的レイアウト、mm

4TE-TO8パッケージ

PEM-10.6-2×2-PEM-SMA-wZnSeAR-48　HgCdTe（MCT）光起電10.6μm検出器

2.0 – 12.0 µm、室温動作、複数接合

PEM-10.6-2×2-PEM-SMA-wZnSeAR-48は、半導体の光電磁効果に基づく非冷却IR光起電性多重接合HgCdTe検出器であり、光学的に生成された電子と磁場内の正孔の空間的分離です。このデバイスは、λopt = 10.6 µmで最大の性能を発揮するように設計されており、CWおよび低周波変調放射を検出するための大活性領域検出器として特に役立ちます。このデバイスは、内部に磁気回路とSMA信号出力コネクタが組み込まれた専用パッケージに取り付けられています。3°くさび形のセレン化亜鉛反射防止コーティングされたウィンドウは、不要な干渉効果を防ぎ、汚染から保護します。

スペクトル応答（Ta = 20°C）

特徴

2.0〜12.0 µmの広いスペクトル範囲
広いアクティブエリア2×2mm²
周囲温度動作　室温動作
広いダイナミックレンジ
バイアスは必要ありません
1 / fノイズなし
短い時定数≤1.2ns
赤外放射偏光に敏感
取扱容易
多様性
小さいサイズ
費用効果の高いソリューション
数量割引価格
迅速な納期

アプリケーション

CO₂レーザー（10.6 µm）測定
レーザー出力の監視と制御
レーザービームのプロファイリングとポジショニング
レーザーキャリブレーション
歯科

仕様（Ta = 20°C）

Parameter	PEM-10.6-2×2-PEM-SMA-wZnSeAR-48
Active element material	epitaxial HgCdTe heterostructure
Cut-on wavelength λ_cut-on (10%) µm	≤2.0
Peak wavelength λ_peak, µm	8.5±1.5
Optimum wavelength λ_opt, µm	10.6
Cut-off wavelength λ_cut-off (10%) µm	≥12.0
Detectivity D*(λ_peak), cm⋅Hz^1/2/W	≥2.0×10⁷
Detectivity D*(λ_opt), cm⋅Hz^1/2/W	≥1.0×10⁷
Current responsivity Ri(λ_peak), A/W	≥0.002
Current responsivity Ri(λ_opt), A/W	≥0.001
Time constant τ, ns	≤1.2
Resistance R, Ω	≥40
Active area A, mm×mm	2×2
Package	PEM-SMA
Acceptance angle, Φ	~48°
Window	wZnSeAR

機械的レイアウト、mm

PEM-SMAパッケージ