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光関連装置と部品、研究開発のための装置と部品の販売

Optics and Optical Instruments

HgCdTe(MCT) フォトコンダクティブ赤外検出器 VIGO PHOTONCS


VIGO PHOTONICS

 
HgCdTe (MCT) フォトコンダクティブ(光伝導性)赤外検出器

HgCdTe (MCT) Photoconductive Detectors
光伝導効果を利用した光電変換素子。赤外線を照射すると、半導体の活性領域で電荷キャリアが生成され、抵抗値が減少します。この抵抗値の変化を、一定電圧のバイアスをかけることにより、電流の変化として検出します。このデバイスは、ほぼ直線的な電流-電圧特性を特徴とする。光電変換素子の電界は素子全体で一定です。

エンジニアリング サンプル

Image Name Cooling Immersion Peak
wavelength 
λpeak, µm
Detectivity
D*(λpeak),
cm·Hz1/2/W
Time constant τ,
ns
Package
TO39-no-immersion-scaled.jpeg PC-9-AF1×1-TO39-NW-90 Uncooled No 8.2±0.1 ~1.4×107 ~2 TO39

セレクト ライン

Image Name Cooling Immersion Optimal
wavelength 
λopt, µm
Detectivity
D*(λopt),
cm·Hz1/2/W
Time constant τ,
ns
Package
3TE-scaled.jpg PCI-3TE-12-1×1-TO8-wZnSeAR-36 Three-stage TE cooled Yes 12.0 ≥ 9.0×108 ≤ 5  TO8


すべての HgCdTe (MCT) フォトコンダクティブ赤外検出器
 

Image Name Cooling Immersion Optimal
wavelength 
λopt, µm
Detectivity
D*(λopt),
cm·Hz1/2/W
Time constant τ,
ns
Package
Focus-Result-1-B-8-4-1-1024x707-1.jpeg PC-5 Uncooled No 5.0 ≥ 1.0×109 ≤ 5000 BNC, TO39
Focus-Result-1-B-8-4-1-1200x828-1.jpeg PC-6 Uncooled No 6.0 ≥ 3.0×108 ≤ 500 BNC, TO39
Focus-Result-1-B-8-4-1-1200x828-2.jpeg PC-9 Uncooled No 9.0 ≥ 2.0×107 ≤ 10 BNC, TO39
Focus-Result-1-B-8-4-1-1200x828-3.jpeg PC-10.6 Uncooled No 10.6 ≥ 9.0×106 ≤ 3 BNC, TO39
TO8-TO66-2TE-1200x952-1.jpg PC-2TE-5 Two-stage TE cooled No 5.0 ≥ 1.0×1010 ≤ 20000 TO8, TO66
TO8-TO66-2TE-1200x952-1.jpg PC-2TE-6 Two-stage TE cooled No 6.0 ≥ 3.0×109 ≤ 4000 TO8, TO66
TO8-TO66-2TE-1200x952-2.jpg PC-2TE-9 Two-stage TE cooled No 9.0 ≥ 4.5×108 ≤ 40 TO8, TO66
TO8-TO66-2TE-1200x952-3.jpg PC-2TE-10.6 Two-stage TE cooled No 10.6 ≥ 1.4×108 ≤ 10 TO8, TO66
TO8-TO66-2TE-1200x952-4.jpg PC-2TE-12 Two-stage TE cooled No 12.0 ≥ 4.5×107 ≤ 3 TO8, TO66
TO8-TO66-2TE-1200x952-5.jpg PC-2TE-13 Two-stage TE cooled No 13.0 ≥ 2.3×107 ≤ 2 TO8, TO66
TO8-TO66-3TE-1200x952-1.jpg PC-3TE-9 Three-stage TE cooled No 9.0 ≥ 1.0×109 ≤ 60 TO8, TO66
TO8-TO66-3TE-1200x952-2.jpg PC-3TE-10.6 Three-stage TE cooled No 10.6 ≥ 2.5×108 ≤ 20 TO8, TO66
TO8-TO66-3TE-1200x952-3.jpg PC-3TE-12 Three-stage TE cooled No 12.0 ≥ 9.0×107 ≤ 5 TO8, TO66
TO8-TO66-3TE-1200x952-4.jpg PC-3TE-13 Three-stage TE cooled No 13.0 ≥ 6.0×107 ≤ 4 TO8, TO66
TO8-TO66-4TE-1200x952-1.jpg PC-4TE-9 Four-stage TE cooled No 9.0 ≥ 1.5×109 ≤ 80 TO8, TO66
TO8-TO66-4TE-1200x952-2.jpg PC-4TE-10.6 Four-stage TE cooled No 10.6 ≥ 3.5×108 ≤ 30 TO8, TO66
TO8-TO66-4TE-1200x952-3.jpg PC-4TE-12 Four-stage TE cooled No 12.0 ≥ 2.0×108 ≤ 7 TO8, TO66
TO8-TO66-4TE-1200x952-4.jpg PC-4TE-13 Four-stage TE cooled No 13.0 ≥ 1.0×108 ≤ 6 TO8, TO66
TO8-TO66-4TE-1200x952-5.jpg PC-4TE-14 Four-stage TE cooled No 14.0 ≥ 6.0×107 ≤ 5 TO8, TO66
TO39-BNC-immersion-1200x828-1.jpeg PCI-5 Uncooled Yes 5.0 ≥ 4.0×109 ≤ 5000 BNC, TO39
TO39-BNC-immersion-1200x828-2.jpeg PCI-6 Uncooled Yes 6.0 ≥ 1.0×109 ≤ 500 BNC, TO39
TO39-BNC-immersion-1200x828-3.jpeg PCI-9 Uncooled Yes 9.0 ≥ 1.0×108 ≤ 10 BNC, TO39
TO39-BNC-immersion-1200x828-4.jpeg PCI-10.6 Uncooled Yes 10.6 ≥ 8.0×107 ≤ 3 BNC, TO39
TO8-TO66-2TE-1200x952-6.jpg PCI-2TE-5 Two-stage TE cooled Yes 5.0 ≥ 2.0×1010 ≤ 20000 TO8, TO66
TO8-TO66-2TE-1200x952-7.jpg PCI-2TE-6 Two-stage TE cooled Yes 6.0 ≥ 1.0×1010 ≤ 4000 TO8, TO66
TO8-TO66-2TE-1200x952-8.jpg PCI-2TE-9 Two-stage TE cooled Yes 9.0 ≥ 4.0×109 ≤ 40 TO8, TO66
TO8-TO66-2TE-1200x952-9.jpg PCI-2TE-10.6 Two-stage TE cooled Yes 10.6 ≥ 1.0×109 ≤ 10 TO8, TO66
TO8-TO66-2TE-1200x952-10.jpg PCI-2TE-12 Two-stage TE cooled Yes 12.0 ≥ 4.5×108 ≤ 3 TO8, TO66
TO8-TO66-2TE-1200x952-11.jpg PCI-2TE-13 Two-stage TE cooled Yes 13.0 ≥ 2.3×108 ≤ 2 TO8, TO66
TO8-TO66-3TE-1200x952-5.jpg PCI-3TE-9 Three-stage TE cooled Yes 9.0 ≥ 6.2×109 ≤ 60 TO8, TO66
TO8-TO66-3TE-1200x952-6.jpg PCI-3TE-10.6 Three-stage TE cooled Yes 10.6 ≥ 2.5×109 ≤ 20 TO8, TO66
TO8-TO66-3TE-1200x952-7.jpg PCI-3TE-12 Three-stage TE cooled Yes 12.0 ≥ 9.0×108 ≤ 5 TO8, TO66
TO8-TO66-3TE-1200x952-8.jpg PCI-3TE-13 Three-stage TE cooled Yes 13.0 ≥ 4.5×108 ≤ 4  TO8, TO66
TO8-TO66-4TE-1200x952-6.jpg PCI-4TE-9 Four-stage TE cooled Yes 9.0 ≥ 1.0×1010 ≤ 80 TO8, TO66
TO8-TO66-4TE-1200x952-7.jpg PCI-4TE-10.6 Four-stage TE cooled Yes 10.6 ≥ 3.0×109 ≤ 30 TO8, TO66
TO8-TO66-4TE-1200x952-8.jpg PCI-4TE-12 Four-stage TE cooled Yes 12.0 ≥ 2.0×109 ≤ 7 TO8, TO66
TO8-TO66-4TE-1200x952-9.jpg PCI-4TE-13 Four-stage TE cooled Yes 13.0 ≥ 1.0×109 ≤ 6 TO8, TO66
TO8-TO66-4TE-1200x952-10.jpg PCI-4TE-14 Four-stage TE cooled Yes 14.0 ≥ 3.0×108 ≤ 5 TO8, TO66




 

1.0 – 5.3 µm, 2ステージ TE冷却

PC-2TE-5

最高の性能と安定性を実現する高度なHgCdTeヘテロ構造に基づく2ステージTE冷却赤外フォトコンダクティブ(光伝導体)赤外検出器です。このデバイスは、λopt =5.0μmで最大のパフォーマンスが得られるように最適化されていますデバイスは、最適なバイアス電圧および電流読み出しモードで動作する必要があります。1 / fノイズにより、低周波数でのパフォーマンスが低下します。
3°ウェッジサファイア(Al
2O3)ウィンドウは、不要な干渉効果を防ぎます。 

Spectral response (Ta = 20°C)

特徴

  • 1.0〜14.0 µmの広いスペクトル範囲で高い応答性
  • 3ステージTE冷却
  • ハイパーマイクロレンズ テクノロジー (レンズ付き)
  • 広いダイナミックレンジ
  • 優れた長期安定性と信頼性
  • 数量割引価格
  • 迅速な納期

応用
  • FTIR分光法と分光法
 

仕様(Ta = 20°C)

パラメータ
PCI-3TE-12-1×1-TO8-wZnSeAR-36
活性元素材料 エピタキシャルHgCdTeヘテロ構造
カットオン波長λカットオン(10%)、µm ≤2.0
ピーク波長λピーク、µm 10.0±0.2
最適波長λopt、µm 12.0
カットオフ波長λカットオフ(10%)、µm 14.0 ±02
検出率D *(λピーク、20 kHz)、cm・Hz 1/2 / W ≥1.6×109
検出感度D *(λ OPT、20キロヘルツ)、CM ⋅Hz 1/2 / W ≥9.0×108
電流応答性Ri(λピーク)、A / W ≥0.11
現在の応答性Riλopt)、A / W ≥0.07
時定数τ、ns ≤5
抵抗R、Ω ≤300
バイアス電圧V B、V ≤1.8
F 1 / Fノイズのコーナー周波数C、キロヘルツ ≤20
有効要素温度Tdet、K 〜210
光学領域AO、mm×mm 1×1
パッケージ TO8
受容角、Φ 〜36°
ウインドウ ZnSe AR

レイアウト、mm

 

PC-5 1.0 – 5.4 µm、 室温動作

PC-5は、最高の性能と安定性を実現する洗練されたHgCdTeヘテロ構造に基づく非冷却赤外フォトコンダクティブ(光伝導)検出器です。このデバイスは、λopt =5.0μmで最大のパフォーマンスが得られるように最適化されていますデバイスは、最適なバイアス電圧および電流読み出しモードで動作する必要があります。1 / fノイズにより、低周波数でのパフォーマンスが低下します。



 

スペクトル応答(Ta = 20°C)


 

特徴

  • 1.0〜5.4 µmのスペクトル範囲で高性能
  • 周囲温度動作
  • 50×50µmから4mm×4mmまでのアクティブエリア
  • 長寿命とMTBF
  • 安定性と信頼性
  • 1 / fノイズ
 

仕様(Ta = 20°C)

Parameter
PC-5
Active element material epitaxial HgCdTe heterostructure
Optimum wavelength λopt, µm 5.0
Detectivity D*(λpeak, 20 kHz), cm⋅Hz1/2/W ≥1.5×109
Detectivity D*(λopt, 20 kHz), cm⋅Hz1/2/W ≥1.0×109
Current responsivity-active area length product Ri(λopt)·L, A·mm/W ≥0.07
Time constant τ, ns ≤5000
1/f noise corner frequency fc, Hz ≤10k
Bias voltage-active area length ratio Vb/L, V/mm ≤4.5
Resistance R, Ω ≤1200
Active area A, mm×mm 0.05×0.05, 0.1×0.1, 0.25×0.25, 0.5×0.5, 1×1, 2×2, 3×3, 4×4
Package TO39 BNC
Acceptance angle, Φ ~90° ~102° *)

 

~124° **)

Window none

*)  Aperture C = Ø4 mm.

**)  Aperture C = Ø6 mm

Mechanical layout, mm
   


 



 

PC-6 1.0 – 6.3 µm、室温動作

PC-6は、最高の性能と安定性を実現する洗練されたHgCdTeヘテロ構造に基づく非冷却赤外(光伝導)検出器です。このデバイスは、λopt =6.0μmで最大のパフォーマンスが得られるように最適化されていますデバイスは、最適なバイアス電圧および電流読み出しモードで動作する必要があります。1 / fノイズにより、低周波数でのパフォーマンスが低下します。

 

スペクトル応答(Ta = 20°C)


 

特徴

  • 1.0〜6.3 µmのスペクトル範囲で高性能
  • 周囲温度動作
  • 50×50µm ^ 2から4×4mm ^ 2までのアクティブエリア
  • 長寿命とMTBF
  • 安定性と信頼性
  • 1 / fノイズ



仕様(Ta = 20°C)

Parameter
PC-6
Active element material epitaxial HgCdTe heterostructure
Optimum wavelength λopt, µm 6.0
Detectivity D*(λpeak, 20 kHz), cm⋅Hz1/2/W ≥7.0×108
Detectivity D*(λopt, 20 kHz), cm⋅Hz1/2/W ≥3.0×108
Current responsivity-active area length product Ri(λopt)·L, A·mm/W ≥0.02
Time constant τ, ns ≤500
1/f noise corner frequency fc, Hz ≤10k
Bias voltage-active area length ratio Vb/L, V/mm ≤4.0
Resistance R, Ω ≤600
Active area A, mm×mm 0.05×0.05, 0.1×0.1, 0.25×0.25, 0.5×0.5, 1×1, 2×2, 3×3, 4×4
Package TO39 BNC
Acceptance angle, Φ ~90° ~102° *)

 

~124° **)

Window none

*)  Aperture C = Ø4 mm.

**)  Aperture C = Ø6 mm

レイアウト、mm
     


 



 

PC-9 1.0〜9.3 µm、室温動作

PC-9は、最高のパフォーマンスと安定性を実現する高度なHgCdTeヘテロ構造に基づく非冷却赤外(光伝導)検出器です。このデバイスは、λopt =9.0μmで最大のパフォーマンスが得られるように最適化されていますデバイスは、最適なバイアス電圧および電流読み出しモードで動作する必要があります。1 / fノイズにより、低周波数でのパフォーマンスが低下します。



スペクトル応答(Ta = 20°C)

特徴

  • 1.0〜9.3 µmのスペクトル範囲で高性能
  • 周囲温度動作
  • 50×50µm ^ 2から4×4mm ^ 2のアクティブエリア
  • 長寿命とMTBF
  • 安定性と信頼性
  • 1 / fノイズ
 

仕様(Ta = 20°C)

Parameter
PC-9
Active element material epitaxial HgCdTe heterostructure
Optimum wavelength λopt, µm 9.0
Detectivity D*(λpeak, 20 kHz), cm⋅Hz1/2/W ≥1.0×108
Detectivity D*(λopt, 20 kHz), cm⋅Hz1/2/W ≥2.0×108
Current responsivity-active area length product Ri(λopt)·L, A·mm/W ≥0.003
Time constant τ, ns ≤10
1/f noise corner frequency fc, Hz ≤10k
Bias voltage-active area length ratio Vb/L, V/mm ≤3.6
Resistance R, Ω ≤300
Active area A, mm×mm 0.05×0.05, 0.1×0.1, 0.25×0.25, 0.5×0.5, 1×1, 2×2, 3×3, 4×4
Package TO39 BNC
Acceptance angle, Φ ~90° ~102° *)

 

~124° **)

Window none

*)  Aperture C = Ø4 mm.

**)  Aperture C = Ø6 mm.

レイアウト、mm
     


 

1.0〜12.0 µm、室温動作PC-10.6 

PC-10.6は、最高のパフォーマンスと安定性を実現する高度なHgCdTeヘテロ構造に基づく非冷却赤外(光伝導)検出器です。このデバイスは、λopt =10.6μmで最大のパフォーマンスが得られるように最適化されていますデバイスは、最適なバイアス電圧および電流読み出しモードで動作する必要があります。1 / fノイズにより、低周波数でのパフォーマンスが低下します。


スペクトル応答(Ta = 20°C)

 

特徴

  • 1.0〜12.0 µmのスペクトル範囲で高性能
  • 周囲温度動作
  • 50×50µm ^ 2から4×4mm ^ 2のアクティブエリア
  • 長寿命とMTBF
  • 安定性と信頼性
  • 1 / fノイズ
 

仕様(Ta = 20°C)

Parameter
PC-10.6
Active element material epitaxial HgCdTe heterostructure
Optimum wavelength λopt, µm 10.6
Detectivity D*(λpeak, 20 kHz), cm⋅Hz1/2/W ≥1.9×107
Detectivity D*(λopt, 20 kHz), cm⋅Hz1/2/W ≥9.0×106
Current responsivity-active area length product Ri(λopt)·L, A·mm/W ≥0.001
Time constant τ, ns ≤3
1/f noise corner frequency fc, Hz ≤20k
Bias voltage-active area length ratio Vb/L, V/mm ≤3.0
Resistance R, Ω ≤120
Active area A, mm×mm 0.05×0.05, 0.1×0.1, 0.25×0.25, 0.5×0.5, 1×1, 2×2, 3×3, 4×4
Package TO39 BNC
Acceptance angle, Φ ~90° ~102° *)

 

~124° **)

Window none

*)  Aperture C = Ø4 mm.

**)  Aperture C = Ø6 mm.

レイアウト、mm
       


 

 


 

PC-2TE-5 1.0〜5.3 µm、 2ステージTE冷却

PC-2TE-5は、最高の性能と安定性を実現する洗練されたHgCdTeヘテロ構造に基づく2ステージTE冷却赤外(光伝導)検出器です。このデバイスは、λopt =5.0μmで最大のパフォーマンスが得られるように最適化されていますデバイスは、最適なバイアス電圧および電流読み出しモードで動作する必要があります。1 / fノイズにより、低周波数でのパフォーマンスが低下します。
3°のくさび型サファイア(Al
2O3)ウィンドウは、不要な干渉効果を防ぎます。


スペクトル応答(Ta = 20°C)

 

特徴

  • 1.0〜5.3 µmのスペクトル範囲で高性能
  • 二段熱電冷却
  • 50×50µm ^ 2から2×2mm ^ 2のアクティブエリア
  • 長寿命とMTBF
  • 安定性と信頼性
  • 1 / fノイズ
 

仕様(Ta = 20°C)

Parameter
PC-2TE-5
Active element material epitaxial HgCdTe heterostructure
Optimum wavelength λopt, µm 5.0
Detectivity D*(λpeak, 20 kHz), cm⋅Hz1/2/W ≥2.0×1010
Detectivity D*(λopt, 20 kHz), cm⋅Hz1/2/W ≥1.0×1010
Current responsivity-active area length product Ri(λopt)·L, A·mm/W ≥0.5
Time constant τ, ns ≤20000
1/f noise corner frequency fc, Hz ≤10k
Bias voltage-active area length ratio Vb/L, V/mm ≤2.0
Resistance R, Ω ≤1200
Active element temperature Tdet, K ~230
Active area A, mm×mm 0.05×0.05, 0.1×0.1, 0.25×0.25, 0.5×0.5, 1×1, 2×2
Package TO8, TO66
Acceptance angle, Φ ~70°
Window wAl2O3

レイアウト、mm
     


 

PC-2TE-6 1.0 – 6.5 µm、 2ステージTE冷却

PC-2TE-6は、最高の性能と安定性を実現する高度なHgCdTeヘテロ構造に基づく2ステージTE冷却赤外(光伝導)検出器です。このデバイスは、λopt =6.0μmで最大のパフォーマンスが得られるように最適化されていますデバイスは、最適なバイアス電圧および電流読み出しモードで動作する必要があります。1 / fノイズにより、低周波数でのパフォーマンスが低下します。3°ウェッジセレン化亜鉛反射防止コーティング(ZnSe AR)ウィンドウは、不要な干渉効果を防ぎます。



スペクトル応答(Ta = 20°C)


 

特徴

  • 1.0〜6.5 µmのスペクトル範囲で高性能
  • 二段熱電冷却
  • 50×50µm ^ 2から2×2mm ^ 2までのアクティブエリア
  • 長寿命とMTBF
  • 安定性と信頼性
  • 1 / fノイズ


仕様(Ta = 20°C)

Parameter
PC-2TE-6
Active element material epitaxial HgCdTe heterostructure
Optimum wavelength λopt, µm 6.0
Detectivity D*(λpeak, 20 kHz), cm⋅Hz1/2/W ≥6.0×109
Detectivity D*(λopt, 20 kHz), cm⋅Hz1/2/W ≥3.0×109
Current responsivity-active area length product Ri(λopt)·L, A·mm/W ≥0.18
Time constant τ, ns ≤4000
1/f noise corner frequency fc, Hz ≤10k
Bias voltage-active area length ratio Vb/L, V/mm ≤3.2
Resistance R, Ω ≤800
Active element temperature Tdet, K ~230
Active area A, mm×mm 0.05×0.05, 0.1×0.1, 0.25×0.25, 0.5×0.5, 1×1, 2×2
Package TO8, TO66
Acceptance angle, Φ ~70°
Window wZnSeAR

レイアウト、mm
      


 

PC-2TE-9 1.0 – 10.3 µm、2ステージTE冷却

PC-2TE-9は、最高の性能と安定性を実現する高度なHgCdTeヘテロ構造に基づく2ステージ冷却赤外(光伝導)検出器です。このデバイスは、λopt =9.0μmで最大のパフォーマンスが得られるように最適化されていますデバイスは、最適なバイアス電圧および電流読み出しモードで動作する必要があります。1 / fノイズにより、低周波数でのパフォーマンスが低下します。3°ウェッジセレン化亜鉛反射防止コーティング(wZnSe AR)ウィンドウは、不要な干渉効果を防ぎます。



スペクトル応答(Ta = 20°C)


 

特徴

  • 1.0〜10.3 µmのスペクトル範囲で高性能
  • 二段熱電冷却
  • 50×50µm ^ 2から2×2mm ^ 2までのアクティブエリア
  • 長寿命とMTBF
  • 安定性と信頼性
  • 1 / fノイズ


仕様(Ta = 20°C)

Parameter
PC-2TE-9
Active element material epitaxial HgCdTe heterostructure
Optimum wavelength λopt, µm 9.0
Detectivity D*(λpeak, 20 kHz), cm⋅Hz1/2/W ≥9.0×108
Detectivity D*(λopt, 20 kHz), cm⋅Hz1/2/W ≥4.5×108
Current responsivity-active area length product Ri(λopt)·L, A·mm/W ≥0.025
Time constant τ, ns ≤40
1/f noise corner frequency fc, Hz ≤10k
Bias voltage-active area length ratio Vb/L, V/mm ≤2.0
Resistance R, Ω ≤400
Active element temperature Tdet, K ~230
Active area A, mm×mm 0.05×0.05, 0.1×0.1, 0.25×0.25, 0.5×0.5, 1×1, 2×2
Package TO8, TO66
Acceptance angle, Φ ~70°
Window wZnSeAR

レイアウト、mm
      


 

PC-2TE-10.6 1.0 – 12.1 µm、 2ステージTE冷却

PC-2TE-10.6は、最高の性能と安定性を実現する高度なHgCdTeヘテロ構造に基づく2ステージ冷却赤外(光伝導)検出器です。このデバイスは、λopt =10.6μmで最大のパフォーマンスが得られるように最適化されていますデバイスは、最適なバイアス電圧および電流読み出しモードで動作する必要があります。1 / fノイズにより、低周波数でのパフォーマンスが低下します。
3°ウェッジセレン化亜鉛反射防止コーティング(ZnSe AR)ウィンドウは、不要な干渉効果を防ぎます。


スペクトル応答(Ta = 20°C)