HgCdTe(MCT) フォトコンダクティブ赤外検出器　VIGO PHOTONCS

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HgCdTe(MCT) フォトコンダクティブ赤外検出器　VIGO PHOTONCS

HgCdTe (MCT) フォトコンダクティブ検出器

光伝導効果に基づく光伝導検出器。赤外線により半導体活性領域内に電荷キャリアが生成され、その抵抗が減少します。定電圧バイアスを印加することにより、抵抗変化が電流変化として検出されます。このデバイスは、ほぼ線形の電流電圧特性を特徴としています。光伝導体の電場はデバイス全体で一定です。

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セレクト　ライン

Image	型名	冷却	レンズ	最適化波長 λ_opt, µm	検出 D*(λ_opt), cm·Hz^1/2/W	時定数τ, ns	Package
	PCI-3TE-12-1×1-TO8-wZnSeAR-36	Three-stage TE 冷却	Yes	12.0	≥ 9.0×10⁸	≤ 5	TO8

すべての HgCdTe (MCT) フォトコンダクティブ赤外検出器

型名	冷却	レンズ	最適化波長 λ_opt, µm	検出 D*(λ_opt), cm·Hz^1/2/W	時定数 τ, ns	Package
PC-5	冷却なし	No	5.0	≥ 1.0×10⁹	≤ 5000	BNC, TO39
PC-6	冷却なし	No	6.0	≥ 3.0×10⁸	≤ 500	BNC, TO39
PC-9	冷却なし	No	9.0	≥ 2.0×10⁷	≤ 10	BNC, TO39
PC-10.6	冷却なし	No	10.6	≥ 9.0×10⁶	≤ 3	BNC, TO39
PC-2TE-5	二段式 TE 冷却	No	5.0	≥ 1.0×10¹⁰	≤ 20000	TO8, TO66
PC-2TE-6	二段式 TE 冷却	No	6.0	≥ 3.0×10⁹	≤ 4000	TO8, TO66
PC-2TE-9	二段式 TE 冷却	No	9.0	≥ 4.5×10⁸	≤ 40	TO8, TO66
PC-2TE-10.6	二段式 TE 冷却	No	10.6	≥ 1.4×10⁸	≤ 10	TO8, TO66
PC-2TE-12	二段式 TE 冷却	No	12.0	≥ 4.5×10⁷	≤ 3	TO8, TO66
PC-2TE-13	二段式 TE 冷却	No	13.0	≥ 2.3×10⁷	≤ 2	TO8, TO66
PC-3TE-9	三段式 TE 冷却	No	9.0	≥ 1.0×10⁹	≤ 60	TO8, TO66
PC-3TE-10.6	三段式 TE 冷却	No	10.6	≥ 2.5×10⁸	≤ 20	TO8, TO66
PC-3TE-12	三段式 TE 冷却	No	12.0	≥ 9.0×10⁷	≤ 5	TO8, TO66
PC-3TE-13	三段式 TE 冷却	No	13.0	≥ 6.0×10⁷	≤ 4	TO8, TO66
PC-4TE-9	四段式 TE 冷却	No	9.0	≥ 1.5×10⁹	≤ 80	TO8, TO66
PC-4TE-10.6	四段式 TE 冷却	No	10.6	≥ 3.5×10⁸	≤ 30	TO8, TO66
PC-4TE-12	四段式 TE 冷却	No	12.0	≥ 2.0×10⁸	≤ 7	TO8, TO66
PC-4TE-13	四段式 TE 冷却	No	13.0	≥ 1.0×10⁸	≤ 6	TO8, TO66
PC-4TE-14	四段式 TE 冷却	No	14.0	≥ 6.0×10⁷	≤ 5	TO8, TO66
PCI-5	冷却なし	Yes	5.0	≥ 4.0×10⁹	≤ 5000	BNC, TO39
PCI-6	冷却なし	Yes	6.0	≥ 1.0×10⁹	≤ 500	BNC, TO39
PCI-9	冷却なし	Yes	9.0	≥ 1.0×10⁸	≤ 10	BNC, TO39
PCI-10.6	冷却なし	Yes	10.6	≥ 8.0×10⁷	≤ 3	BNC, TO39
PCI-2TE-5	二段式 TE 冷却	Yes	5.0	≥ 2.0×10¹⁰	≤ 20000	TO8, TO66
PCI-2TE-6	二段式 TE 冷却	Yes	6.0	≥ 1.0×10¹⁰	≤ 4000	TO8, TO66
PCI-2TE-9	二段式 TE 冷却	Yes	9.0	≥ 4.0×10⁹	≤ 40	TO8, TO66
PCI-2TE-10.6	二段式 TE 冷却	Yes	10.6	≥ 1.0×10⁹	≤ 10	TO8, TO66
PCI-2TE-12	二段式 TE 冷却	Yes	12.0	≥ 4.5×10⁸	≤ 3	TO8, TO66
PCI-2TE-13	二段式 TE 冷却	Yes	13.0	≥ 2.3×10⁸	≤ 2	TO8, TO66
PCI-3TE-9	三段式 TE 冷却	Yes	9.0	≥ 6.2×10⁹	≤ 60	TO8, TO66
PCI-3TE-10.6	三段式 TE 冷却	Yes	10.6	≥ 2.5×10⁹	≤ 20	TO8, TO66
PCI-3TE-12	三段式 TE 冷却	Yes	12.0	≥ 9.0×10⁸	≤ 5	TO8, TO66
PCI-3TE-13	三段式 TE 冷却	Yes	13.0	≥ 4.5×10⁸	≤ 4	TO8, TO66
PCI-4TE-9	四段式 TE 冷却	Yes	9.0	≥ 1.0×10¹⁰	≤ 80	TO8, TO66
PCI-4TE-10.6	四段式 TE 冷却	Yes	10.6	≥ 3.0×10⁹	≤ 30	TO8, TO66
PCI-4TE-12	四段式 TE 冷却	Yes	12.0	≥ 2.0×10⁹	≤ 7	TO8, TO66
PCI-4TE-13	四段式 TE 冷却	Yes	13.0	≥ 1.0×10⁹	≤ 6	TO8, TO66
PCI-4TE-14	四段式 TE 冷却	Yes	14.0	≥ 3.0×10⁸	≤ 5	TO8, TO66

エンジニアリング　サンプル

	型名	冷却	レンズ	ピーク波長 μm	検出 D*
	PC-9-AF1×1-TO39-NW-90	no	Yes	8.2±0.1	~1.4×10⁷

1.0 – 5.3 µm, 2ステージ TE冷却

PC-2TE-5

最高の性能と安定性を実現する高度なHgCdTeヘテロ構造に基づく2ステージTE冷却赤外フォトコンダクティブ(光伝導体)赤外検出器です。このデバイスは、λopt =5.0μmで最大のパフォーマンスが得られるように最適化されています。デバイスは、最適なバイアス電圧および電流読み出しモードで動作する必要があります。1 / fノイズにより、低周波数でのパフォーマンスが低下します。
3°ウェッジサファイア（Al₂O₃）ウィンドウは、不要な干渉効果を防ぎます。

Spectral response (Ta = 20°C)

特徴

⦿ 1.0〜14.0 µmの広いスペクトル範囲で高い応答性
⦿ 3ステージTE冷却
⦿ ハイパーマイクロレンズテクノロジー (レンズ付き)
⦿ 広いダイナミックレンジ
⦿ 優れた長期安定性と信頼性
⦿ 数量割引価格
⦿ 迅速な納期

応用

⦿ FTIR分光法と分光法

仕様（Ta = 20°C）

パラメータ	PCI-3TE-12-1×1-TO8-wZnSeAR-36
活性元素材料	エピタキシャルHgCdTeヘテロ構造
カットオン波長λカットオン（10％）、µm	≤2.0
ピーク波長λピーク、µm	10.0±0.2
最適波長λopt、µm	12.0
カットオフ波長λカットオフ（10％）、µm	14.0 ±02
検出率D *（λピーク、20 kHz）、cm・Hz ^1/2 / W	≥1.6×10⁹
検出感度D *（λ OPT、20キロヘルツ）、CM ⋅Hz^1/2/ W	≥9.0×10⁸
電流応答性Ri（λピーク）、A / W	≥0.11
現在の応答性Ri（λopt）、A / W	≥0.07
時定数τ、ns	≤5
抵抗R、Ω	≤300
バイアス電圧V B、V	≤1.8
F 1 / Fノイズのコーナー周波数C、キロヘルツ	≤20
有効要素温度Tdet、K	〜210
光学領域AO、mm×mm	1×1
パッケージ	TO8
受容角、Φ	〜36°
ウインドウ	ZnSe　AR

レイアウト、mm

PC-5　1.0 – 5.4 µm、　室温動作

PC-5は、最高の性能と安定性を実現する洗練されたHgCdTeヘテロ構造に基づく非冷却赤外フォトコンダクティブ(光伝導)検出器です。このデバイスは、λopt =5.0μmで最大のパフォーマンスが得られるように最適化されています。デバイスは、最適なバイアス電圧および電流読み出しモードで動作する必要があります。1 / fノイズにより、低周波数でのパフォーマンスが低下します。

スペクトル応答（Ta = 20°C）

特徴

⦿ 1.0〜5.4 µmのスペクトル範囲で高性能
⦿ 周囲温度動作
⦿ 50×50µmから4mm×4mmまでのアクティブエリア
⦿ 長寿命とMTBF
⦿ 安定性と信頼性
⦿ 1 / fノイズ

仕様（Ta = 20°C）

Parameter	PC-5
Active element material	epitaxial HgCdTe heterostructure
Optimum wavelength λopt, µm	5.0
Detectivity D*(λpeak, 20 kHz), cm⋅Hz^1/2/W	≥1.5×10⁹
Detectivity D*(λopt, 20 kHz), cm⋅Hz^1/2/W	≥1.0×10⁹
Current responsivity-active area length product Ri(λopt)·L, A·mm/W	≥0.07
Time constant τ, ns	≤5000
1/f noise corner frequency fc, Hz	≤10k
Bias voltage-active area length ratio Vb/L, V/mm	≤4.5
Resistance R, Ω	≤1200
Active area A, mm×mm	0.05×0.05, 0.1×0.1, 0.25×0.25, 0.5×0.5, 1×1, 2×2, 3×3, 4×4
Package	TO39	BNC
Acceptance angle, Φ	~90°	~102° ) ~124° *)
Window	none
) Aperture C = Ø4 mm. *) Aperture C = Ø6 mm

Mechanical layout, mm
　　　

PC-6　1.0 – 6.3 µm、室温動作

PC-6は、最高の性能と安定性を実現する洗練されたHgCdTeヘテロ構造に基づく非冷却赤外(光伝導)検出器です。このデバイスは、λopt =6.0μmで最大のパフォーマンスが得られるように最適化されています。デバイスは、最適なバイアス電圧および電流読み出しモードで動作する必要があります。1 / fノイズにより、低周波数でのパフォーマンスが低下します。

スペクトル応答（Ta = 20°C）

特徴

⦿ 1.0〜6.3 µmのスペクトル範囲で高性能
⦿ 周囲温度動作
⦿ 50×50µm ^ 2から4×4mm ^ 2までのアクティブエリア
⦿ 長寿命とMTBF
⦿ 安定性と信頼性
⦿ 1 / fノイズ

仕様（Ta = 20°C）

Parameter	PC-6
Active element material	epitaxial HgCdTe heterostructure
Optimum wavelength λopt, µm	6.0
Detectivity D*(λpeak, 20 kHz), cm⋅Hz^1/2/W	≥7.0×10⁸
Detectivity D*(λopt, 20 kHz), cm⋅Hz^1/2/W	≥3.0×10⁸
Current responsivity-active area length product Ri(λopt)·L, A·mm/W	≥0.02
Time constant τ, ns	≤500
1/f noise corner frequency fc, Hz	≤10k
Bias voltage-active area length ratio Vb/L, V/mm	≤4.0
Resistance R, Ω	≤600
Active area A, mm×mm	0.05×0.05, 0.1×0.1, 0.25×0.25, 0.5×0.5, 1×1, 2×2, 3×3, 4×4
Package	TO39	BNC
Acceptance angle, Φ	~90°	~102° ) ~124° *)
Window	none
) Aperture C = Ø4 mm. *) Aperture C = Ø6 mm

レイアウト、mm

PC-9　1.0〜9.3 µm、室温動作

PC-9は、最高のパフォーマンスと安定性を実現する高度なHgCdTeヘテロ構造に基づく非冷却赤外(光伝導)検出器です。このデバイスは、λopt =9.0μmで最大のパフォーマンスが得られるように最適化されています。デバイスは、最適なバイアス電圧および電流読み出しモードで動作する必要があります。1 / fノイズにより、低周波数でのパフォーマンスが低下します。

スペクトル応答（Ta = 20°C）

特徴

⦿ 1.0〜9.3 µmのスペクトル範囲で高性能
⦿ 周囲温度動作
⦿ 50×50µm ^ 2から4×4mm ^ 2のアクティブエリア
⦿ 長寿命とMTBF
⦿ 安定性と信頼性
⦿ 1 / fノイズ

仕様（Ta = 20°C）

Parameter	PC-9
Active element material	epitaxial HgCdTe heterostructure
Optimum wavelength λopt, µm	9.0
Detectivity D*(λpeak, 20 kHz), cm⋅Hz^1/2/W	≥1.0×10⁸
Detectivity D*(λopt, 20 kHz), cm⋅Hz^1/2/W	≥2.0×10⁸
Current responsivity-active area length product Ri(λopt)·L, A·mm/W	≥0.003
Time constant τ, ns	≤10
1/f noise corner frequency fc, Hz	≤10k
Bias voltage-active area length ratio Vb/L, V/mm	≤3.6
Resistance R, Ω	≤300
Active area A, mm×mm	0.05×0.05, 0.1×0.1, 0.25×0.25, 0.5×0.5, 1×1, 2×2, 3×3, 4×4
Package	TO39	BNC
Acceptance angle, Φ	~90°	~102° ) ~124° *)
Window	none
) Aperture C = Ø4 mm. *) Aperture C = Ø6 mm.

レイアウト、mm
　　　　　

1.0〜12.0 µm、室温動作PC-10.6　

PC-10.6は、最高のパフォーマンスと安定性を実現する高度なHgCdTeヘテロ構造に基づく非冷却赤外(光伝導)検出器です。このデバイスは、λopt =10.6μmで最大のパフォーマンスが得られるように最適化されています。デバイスは、最適なバイアス電圧および電流読み出しモードで動作する必要があります。1 / fノイズにより、低周波数でのパフォーマンスが低下します。

スペクトル応答（Ta = 20°C）

特徴
⦿ 1.0〜12.0 µmのスペクトル範囲で高性能
⦿ 周囲温度動作
5⦿ 0×50µm ^ 2から4×4mm ^ 2のアクティブエリア
⦿ 長寿命とMTBF
⦿ 安定性と信頼性
⦿ 1 / fノイズ

仕様（Ta = 20°C）

Parameter	PC-10.6
Active element material	epitaxial HgCdTe heterostructure
Optimum wavelength λopt, µm	10.6
Detectivity D*(λpeak, 20 kHz), cm⋅Hz^1/2/W	≥1.9×10⁷
Detectivity D*(λopt, 20 kHz), cm⋅Hz^1/2/W	≥9.0×10⁶
Current responsivity-active area length product Ri(λopt)·L, A·mm/W	≥0.001
Time constant τ, ns	≤3
1/f noise corner frequency fc, Hz	≤20k
Bias voltage-active area length ratio Vb/L, V/mm	≤3.0
Resistance R, Ω	≤120
Active area A, mm×mm	0.05×0.05, 0.1×0.1, 0.25×0.25, 0.5×0.5, 1×1, 2×2, 3×3, 4×4
Package	TO39	BNC
Acceptance angle, Φ	~90°	~102° ) ~124° *)
Window	none
) Aperture C = Ø4 mm. *) Aperture C = Ø6 mm.

レイアウト、mm
　　　　　　　

PC-2TE-5　1.0〜5.3 µm、　2ステージTE冷却

PC-2TE-5は、最高の性能と安定性を実現する洗練されたHgCdTeヘテロ構造に基づく2ステージTE冷却赤外(光伝導)検出器です。このデバイスは、λopt =5.0μmで最大のパフォーマンスが得られるように最適化されています。デバイスは、最適なバイアス電圧および電流読み出しモードで動作する必要があります。1 / fノイズにより、低周波数でのパフォーマンスが低下します。
3°のくさび型サファイア（Al₂O₃）ウィンドウは、不要な干渉効果を防ぎます。

スペクトル応答（Ta = 20°C）

特徴

⦿ 1.0〜5.3 µmのスペクトル範囲で高性能
⦿ 二段熱電冷却
⦿ 50×50µm ^ 2から2×2mm ^ 2のアクティブエリア
⦿ 長寿命とMTBF
⦿ 安定性と信頼性
⦿ 1 / fノイズ

仕様（Ta = 20°C）

Parameter	PC-2TE-5
Active element material	epitaxial HgCdTe heterostructure
Optimum wavelength λopt, µm	5.0
Detectivity D*(λpeak, 20 kHz), cm⋅Hz^1/2/W	≥2.0×10¹⁰
Detectivity D*(λopt, 20 kHz), cm⋅Hz^1/2/W	≥1.0×10¹⁰
Current responsivity-active area length product Ri(λopt)·L, A·mm/W	≥0.5
Time constant τ, ns	≤20000
1/f noise corner frequency fc, Hz	≤10k
Bias voltage-active area length ratio Vb/L, V/mm	≤2.0
Resistance R, Ω	≤1200
Active element temperature Tdet, K	~230
Active area A, mm×mm	0.05×0.05, 0.1×0.1, 0.25×0.25, 0.5×0.5, 1×1, 2×2
Package	TO8, TO66
Acceptance angle, Φ	~70°
Window	wAl₂O₃

レイアウト、mm
　　　　　

PC-2TE-6　1.0 – 6.5 µm、 2ステージTE冷却

PC-2TE-6は、最高の性能と安定性を実現する高度なHgCdTeヘテロ構造に基づく2ステージTE冷却赤外(光伝導)検出器です。このデバイスは、λopt =6.0μmで最大のパフォーマンスが得られるように最適化されています。デバイスは、最適なバイアス電圧および電流読み出しモードで動作する必要があります。1 / fノイズにより、低周波数でのパフォーマンスが低下します。3°ウェッジセレン化亜鉛反射防止コーティング（ZnSe AR）ウィンドウは、不要な干渉効果を防ぎます。

スペクトル応答（Ta = 20°C）

特徴

⦿ 1.0〜6.5 µmのスペクトル範囲で高性能
⦿ 二段熱電冷却
⦿ 50×50µm ^ 2から2×2mm ^ 2までのアクティブエリア
⦿ 長寿命とMTBF
⦿ 安定性と信頼性
⦿ 1 / fノイズ

仕様（Ta = 20°C）

Parameter	PC-2TE-6
Active element material	epitaxial HgCdTe heterostructure
Optimum wavelength λopt, µm	6.0
Detectivity D*(λpeak, 20 kHz), cm⋅Hz^1/2/W	≥6.0×10⁹
Detectivity D*(λopt, 20 kHz), cm⋅Hz^1/2/W	≥3.0×10⁹
Current responsivity-active area length product Ri(λopt)·L, A·mm/W	≥0.18
Time constant τ, ns	≤4000
1/f noise corner frequency fc, Hz	≤10k
Bias voltage-active area length ratio Vb/L, V/mm	≤3.2
Resistance R, Ω	≤800
Active element temperature Tdet, K	~230
Active area A, mm×mm	0.05×0.05, 0.1×0.1, 0.25×0.25, 0.5×0.5, 1×1, 2×2
Package	TO8, TO66
Acceptance angle, Φ	~70°
Window	wZnSeAR

レイアウト、mm
　　　　　　

PC-2TE-9　1.0 – 10.3 µm、2ステージTE冷却

PC-2TE-9は、最高の性能と安定性を実現する高度なHgCdTeヘテロ構造に基づく2ステージ冷却赤外(光伝導)検出器です。このデバイスは、λopt =9.0μmで最大のパフォーマンスが得られるように最適化されています。デバイスは、最適なバイアス電圧および電流読み出しモードで動作する必要があります。1 / fノイズにより、低周波数でのパフォーマンスが低下します。3°ウェッジセレン化亜鉛反射防止コーティング（wZnSe AR）ウィンドウは、不要な干渉効果を防ぎます。

スペクトル応答（Ta = 20°C）

特徴

⦿ 1.0〜10.3 µmのスペクトル範囲で高性能
⦿ 二段熱電冷却
⦿ 50×50µm ^ 2から2×2mm ^ 2までのアクティブエリア
⦿ 長寿命とMTBF
⦿ 安定性と信頼性
⦿ 1 / fノイズ

仕様（Ta = 20°C）

Parameter	PC-2TE-9
Active element material	epitaxial HgCdTe heterostructure
Optimum wavelength λopt, µm	9.0
Detectivity D*(λpeak, 20 kHz), cm⋅Hz^1/2/W	≥9.0×10⁸
Detectivity D*(λopt, 20 kHz), cm⋅Hz^1/2/W	≥4.5×10⁸
Current responsivity-active area length product Ri(λopt)·L, A·mm/W	≥0.025
Time constant τ, ns	≤40
1/f noise corner frequency fc, Hz	≤10k
Bias voltage-active area length ratio Vb/L, V/mm	≤2.0
Resistance R, Ω	≤400
Active element temperature Tdet, K	~230
Active area A, mm×mm	0.05×0.05, 0.1×0.1, 0.25×0.25, 0.5×0.5, 1×1, 2×2
Package	TO8, TO66
Acceptance angle, Φ	~70°
Window	wZnSeAR

レイアウト、mm
　　　　　　

PC-2TE-10.6　1.0 – 12.1 µm、　2ステージTE冷却

PC-2TE-10.6は、最高の性能と安定性を実現する高度なHgCdTeヘテロ構造に基づく2ステージ冷却赤外(光伝導)検出器です。このデバイスは、λopt =10.6μmで最大のパフォーマンスが得られるように最適化されています。デバイスは、最適なバイアス電圧および電流読み出しモードで動作する必要があります。1 / fノイズにより、低周波数でのパフォーマンスが低下します。
3°ウェッジセレン化亜鉛反射防止コーティング（ZnSe AR）ウィンドウは、不要な干渉効果を防ぎます。

カタログ

特徴
⦿ 1.0 ～ 12.1 µm のスペクトル範囲で高性能
⦿ 二段熱電冷却
⦿ 有効面積 50×50 µm^2 ～ 2×2 mm^2
⦿ 長寿命とMTBF
⦿ 安定性と信頼性
⦿ 1/fノイズ

仕様 (T_a = 20°C)

Parameter	PC-2TE-10.6
Active element material	epitaxial HgCdTe heterostructure
Optimum wavelength λ_opt, µm	10.6
Detectivity D*(λ_peak, 20 kHz), cm⋅Hz^1/2/W	≥4.0×10⁸
Detectivity D*(λ_opt, 20 kHz), cm⋅Hz^1/2/W	≥1.4×10⁸
Current responsivity-active area length product R_i(λ_opt)·L, A·mm/W	≥0.01
Time constant τ, ns	≤10
1/f noise corner frequency f_c, Hz	≤20k
Bias voltage-active area length ratio V_b/L, V/mm	≤2.25
Resistance R, Ω	≤300
Active element temperature T_det, K	~230
Active area A, mm×mm	0.05×0.05, 0.1×0.1, 0.25×0.25, 0.5×0.5, 1×1, 2×2
Package	TO8, TO66
Acceptance angle, Φ	~70°
Window	wZnSeAR

スペクトル応答（Ta = 20°C）

メカニカル　レイアウト　(mm)
　　　　　　
2TE-TO8 package　　　　　　　　　　　　　　　　　2TE-TO66 package

関連ファイル
PC-2TE シリーズ検出器カタログ
TO8 パッケージ図面
TO66 パッケージ図面
VIGO カタログ

光関連装置と部品、研究開発のための装置と部品の販売

Optics and Optical Instruments