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Optics and Optical Instruments
HgCdTe (MCT) 4分割検出器 VIGO PHOTONICS
VIGO PHOTONICS
フォトダイオードやフォトコンダクタを用いた4分割構造の検出器も提供しています。防衛・セキュリティ用途やXY・差動計測に最適です。
HgCdTe 4分割赤外検出器
| Image | Name | Cooling | Immersion | Optimal wavelength λopt, µm |
Detectivity D*(λopt), cm·Hz1/2/W |
Time constant τ, ns |
Package |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PVMQ-10.6 | Uncooled | No | 10.6 | ≥ 1.0×107 | ≤ 1.5 | TO8 |
 |
PCQ-10.6 | Uncooled | No | 10.6 | ≥ 9.0×106 | ≤ 5 | TO8 |
PVMQ-10.6
HgCdTe(MCT)光電変換素子
2.0 - 12.0 µm、常温、マルチプル ジャンクション 四分割検出器
PVMQ-10.6は、最高の性能と安定性を実現するために、洗練されたHgCdTeヘテロ構造をベースにしたフォトボルテイック マルチジャンクション四分割非冷却赤外検出器です。
検出器は、4つのアクティブな素子が四分割配置されています。このデバイスは、10.6 µmで最大の性能を発揮するように最適化されています。
PVMQディテクタの主な用途は、レーザービームのプロファイリングと位置決めです。
DATASHEET
Spectral response (Ta = 20°C)
特徴
2.0～12.0 µmの波長域で高い性能を発揮します。
常温動作
バイアス不要
1/fノイズなし
DCから高周波まで対応可能
赤外放射の偏光に敏感
Parameter |
PVMQ-10.6 |
|
| Active element material | epitaxial HgCdTe heterostructure | |
| Optimum wavelength λopt, µm | 10.6 | |
Detectivity D*(λpeak), cm ⋅Hz1/2/W |
≥2.0×107 | |
| Detectivity D*(λopt), cm⋅Hz1/2/W |
≥1.0×107 | |
| Current responsivity Ri(λopt), A/W | ≥0.002 | |
| Time constant τ, ns | ≤1.5 | |
| Resistance R, Ω | 30 to 150 | |
| Active area of single element A, mm×mm | 1×1 | |
| Distance between elements, μm | 200 | |
| Package | TO8 | |
| Acceptance angle, Φ | ~70° | |
| Window | none | |
PCQ-10.6
HgCdTe(MCT)光導電検出器
1.0 - 12.0 µm, 室温, 4分割
PCQ-10.6は、最高の性能と安定性を実現するために洗練されたHgCdTeヘテロ構造をベースにした非冷却フォトボルテイック四分割 IR検出器です。4つのアクティブな素子が4分割に配置された構造になっています。このデバイスは、10.6 µmで最大の性能を発揮するように最適化されています。検出器は、最適なバイアス電圧と電流読み出しモードで動作させる必要があります。低周波での性能は、1/fノイズのために低下します。PCQディテクタの主な用途は、レーザービームのプロファイリングと位置決めです。
DATASHEET
Spectral response (Ta = 20°C)
特徴
1.0～12.0 µmの波長域で高い性能を発揮します。
常温動作
長寿命とMTBF
安定性・信頼性
1/fノイズ
Specification (Ta = 20°C)
Parameter |
PCQ-10.6 |
|
| Active element material | epitaxial HgCdTe heterostructure | |
| Optimum wavelength λopt, µm | 10.6 | |
| Detectivity D*(λpeak, 20 kHz), cm⋅Hz1/2/W |
≥1.9×107 | |
| Detectivity D*(λopt, 20 kHz), cm⋅Hz1/2/W |
≥9.0×106 | |
| Current responsivity Ri(λopt), A/W | ≥0.001 | |
| Time constant τ, ns | ≤5 | |
| 1/f noise corner frequency fc, Hz | ≤20k | |
| Bias voltage Vb, V | ≤6.0 | |
| Resistance R, Ω | ≤240 | |
| Active area of single element A, mm×mm | 1×1 | |
| Distance between elements, μm | 50 | |
| Package | TO8 | |
| Acceptance angle, Φ | ~70° | |
| Window | none | |