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Optics and R & D Equipments
InAs/InAsSb Photovoltaic 赤外検出器 VIGO PHOTONICS
半導体層にInAsまたはInAsSb系材料を用いた光電変換素子（フォトダイオード）です。吸収された光子は電荷キャリアを生成し、ダイオードに集められ、複雑な電流電圧特性を持つ。このデバイスはフリッカーフリーゼロバイアスでも逆電圧でも動作することができる。この検出器はカドミウムと水銀を使用していません。その結果、RoHS指令に適合し、民生用として使用することができます。
エンジニアリングサンプル
| Image | Name | Cooling | Immersion | Peak wavelength λpeak, µm |
Detectivity D*(λpeak), cm·Hz1/2/W |
Time constant τ, ns |
Package |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PVA-2TE-4.5-1×1-TO8-wAl2O3-70 | Two-stage TE cooled | No | 4.0±0.3 | ~7.0×109 | ~10 | TO8 |
InAsおよびInAsSb光起電力検出器のすべて
| Image | Name | Cooling | Immersion | Peak wavelength λpeak, µm |
Detectivity D*(λpeak), cm·Hz1/2/W |
Time constant τ, ns |
Package |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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PVA-3-0.1×0.1-TO39-NW-90 | Uncooled | No | 2.95±0.3 | ≥ 5.0×109 | ≤ 20 | TO39 |
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PVA-5-0.1×0.1-TO39-NW-90 | Uncooled | No | 4.7±0.3 | ≥ 5.0×108 | ≤ 60 | TO39 |
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PVA-2TE-3-0.1×0.1-TO8-wAl2O3-70 | Two-stage TE cooled | No | 2.9±0.3 | ≥ 5.0×1010 | ≤ 15 | TO8 |
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PVA-2TE-5-0.1×0.1-TO8-wAl2O3-70 | Two-stage TE cooled | No | 4.7±0.3 | ≥ 4.0×109 | ≤ 15 | TO8 |
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PVIA-3-1×1-TO39-NW-36 | Uncooled | Yes | 2.95±0.3 | ≥ 5.0×1010 | ≤ 20 | TO39 |
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PVIA-5-1×1-TO39-NW-36 | Uncooled | Yes | 4.7±0.3 | ≥ 5.0×109 | ≤ 15 | TO39 |
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PVIA-2TE-3-1×1-TO8-wAl2O3-36 | Two-stage TE cooled | Yes | 2.9±0.3 | ≥ 5.0×1011 | ≤ 15 | TO8 |
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PVIA-2TE-5-1×1-TO8-wAl2O3-36 | Two-stage TE cooled | Yes | 4.7±0.3 | ≥ 4.0×1010 | ≤ 5 | TO8 |