InAs/InAsSb 検出器
半導体素子が InAs、InAsSb、または InAs/InAsSb T2SL 材料で作られたフォトボルテイックおよび
フォトコンダクティブ赤外線検出器。
これらの検出器にはカドミウムと水銀が含まれていません。 その結果、検出器は RoHS 指令に準拠し、消費者市場で使用できます。
NEW InAs and InAsSb IR detectors
型名から詳細リンク | mm | μm | ||||
Image | 型名 | 受光素子 | 冷却 | レンズ | アクティブ エリア |
ピーク波長 |
PVA-3-1×1-TO39-NW-90 | InAs | no | no | 1x1 | 3.1 | |
PVA-3-d1.2-SMD-pAl2O3-115 | InAs | no | no | d1.2 | 2.9 | |
PVIA-5-1×1-TO39-NW-36 | InAsSb | no | Yes | 1x1 | 4.5 | |
PVMA-1TE-5-1×1-TO39-pSiAR-70 | InAsSb | 1TE | no | 1x1 | 4.0 | |
PVMA-1TE-6-1×1-TO39-pSiAR-70 | InAsSb | 1TE | no | 1x1 | 4.3 | |
PVIA-10.6-1×1-TO39-NW-36 | InAsSb | no | Yes | 1x1 | 7.1 |
InAs & InAsSb IR 検出器
InAsおよびInAsSb光起電力検出器のすべて
型名をクリック 詳細リンク | μm | D* | nsec. | |||
型名 | 冷却 | レンズ | ピーク波長 | 検出 | 時定数 | |
PVA-3-0.1×0.1-TO39-NW-90 | no | no | 2.9±0.3 | ≧5.0x109 | ≦20 | |
PVIA-3-1×1-TO39-NW-36 | no | yes | 2.9±0.3 | ≧5.0x1010 | ≦20 | |
PVA-2TE-3-0.1×0.1-TO8-wAl2O3-70 | 2TE | np | 2.9±0.3 | ≧5.0x1010 | ≦15 | |
PVIA-2TE-3-1×1-TO8-wAl2O3-36 | 2TE | yes | 2.9±0.3 | ≧5.0x1011 | ≦15 | |
PVA-2TE-4.5-1×1-TO8-wAl2O3-70 | 2TE | no | 4.0±0.3 | ~7.0x109 | ~10 | |
PVA-5-0.1×0.1-TO39-NW-90 | no | no | 4.5±0.6 | ≥ 5.0×108 | ≤ 60 | |
PVAS-5-0.1×0.1-TO39-NW-90 | no | no | 4.2±0.3 | ~1.2×109 | ~11 | |
PVA-2TE-5-0.1×0.1-TO8-wAl2O3-70 | 2TE | no | 4.5±0.6 | ≥ 4.0×109 | ≤ 15 | |
PVAS-2TE-5-0.1×0.1-TO8-wAl2O3-70 | 2TE | no | 4.0±0.3 | ~9.0×109 | ~4 | |
PVIA-2TE-5-1×1-TO8-wAl2O3-36 | 2TE | yes | 4.5±0.6 | ≥ 4.0×1010 | ≤ 5 | |
PCAS-2TE-9-0.1×0.1-TO8-wZnSeAR-70 | 2TE | no | 6.2±0.3 | ~2.8×108 | ~12 | |
PCAS-2TE-9-1×1AR-TO8-wZnSeAR-70 | 2TE | no | 4.0±0.5 | ~2.6×108 | ~17 | |
PCAS-3TE-9-0.1×0.1-TO8-wZnSeAR-70 | 3TE | no | 6.1±0.3 | ~4.3×108 | ~17 | |
PCAS-2TE-11-0.1×0.1-TO8-wZnSeAR-70 | 2TE | no | 6.0±0.3 | ~1.9×108 | ~7 | |
PCAS-3TE-12-0.1×0.1-TO8-wZnSeAR-70 | 3TE | no | 10.5±0.3 | ~2.5×108 | ~4 | |
PCIAS-3TE-12-1×1-TO8-wZnSeAR-36 | 3TE | yes | 8.0±1.0 | ~2.0×109 | ~4 | |
PCAS-2TE-13-0.1×0.1-TO8-wZnSeAR-70 | 2TE | no | 10.7±0.3 | ~1.2×108 | ~3 |