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サブナノ秒 パッシブ Q-スイッチ DPSS マイクロチップ レーザー: PULSELAS®-P Series　

ALPHALAS GmbH

Subnanosecond Passively Q-Switched DPSS MICROCHIP Lasers: PULSELAS®-P Series

サブナノ秒　パッシブ Q-スイッチ DPSS マイクロチップ レーザー：　PULSELAS^®-P Series

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ALPHALASは、1 ns以下のパルス幅と1064 nmでの極めて高いピークパワー、優れたTEMooビームプロファイルを持つ幅広い受動Qスイッチレーザーを提供しています。
PULSELAS^®-Pレーザーは、独自のマイクロチップ設計を採用しています。モノリシックレーザー共振器は恒久的に配列されているため、極めて安定しています。
高エネルギーモデルは、1.5mJ以上のパルスを1nsのパルス幅で出力し、市販のマイクロチップレーザーとしては最高のピークパワー1.5MW以上を発振器から（増幅器なしで）直接得ることができます。最大100 kHzの繰り返し周波数で動作し、平均出力は100 mWから1 Wの範囲にあるさまざまなモデルがあります。
周波数発生器内蔵、外部TTLトリガーはほとんどの機種で標準装備されています。オプションで緑色（532nm）、紫外（355nm、266nm）への変換も可能です。
非常に信頼性が高く堅牢なマイクロチップ設計で、高度なOEM産業用アプリケーションに最適です。コンパクトなデザインは、ほとんどすべてのシステム統合に最適です。ファイバーポンプオプションは、さらにコンパクトで柔軟な設計が可能です。
これらのユニークなレーザーは、フォトニック結晶ファイバーでのスーパーコンティニューム発生から、燃焼エンジンの点火やマイクロマシニングまで、非常に幅広い用途に使用できます。

特徴    
⦿ パッシブQスイッチ
⦿ 超小型
⦿ 独自のマイクロチップ設計
⦿ 1064 nmでサブナノ秒のパルスを発生
⦿ 発振器から直接出力可能な最高峰のピークパワー (>1.5 MW) & パルスエネルギー (>1.5 mJ)
⦿ 最大100 kHzの繰り返し周波数
⦿ 最大1Wの平均出力
⦿ 低ジッタで外部トリガ可能
⦿ 532nm、355nm、266nmの周波数変換が可能 (オプション)
その他の波長（例：946 nm、1342 nm）、nsecパルスもご要求に応じます。

応用
⦿ 材料加工
⦿ マイクロマシーニング
⦿ 超硬質材料（ダイヤモンドなど）のマーキング＆カッティング
⦿ 非線形光学
⦿ スーパーコンティニューム発生
⦿ 時間分解蛍光測定
⦿ DNA解析
⦿ LIDARおよびレーザー測距
⦿ 環境汚染モニタリング
⦿ レーザー誘起ブレークダウン分光法(LIBS)
⦿ 火薬、燃焼機関、ガス混合物の点火