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Detectors, measuring instruments and related equipment

HgCdTe (MCT)マルチチャンネル検出モジュール 32素子 4素子

VIGO PHOTONICS
HgCdTe (MCT)Multi Channel Detection Modules - エンジニアリング サンプル
VIGO HgCdTe (MCT) マルチチャンネル検出モジュールは、ガス分析、ビームの動き、移動距離の測定、またはアライメントシステムのフィードバックに最適です。
 

Image Name Optimal
wavelength 
λopt,
µm
受光エリア
A₀, mm×mm
Detectivity
D* (λopt),
cm·Hz1/2/W
Output voltage
responsivity
Rv (λopt, RL=50Ω),
V/W
-3dB Bandwidth
32EM-5-01.png

32EM-5-01

5 32×(0.125×1) ≥ 2.2×109 ≥ 3.5×104 DC to ≥ 400 kHz
32EM-5-01.png

32EM-5-02

5 32×(0.1×0.1) ≥ 2.2×109 ≥ 4.6×104 DC to ≥ 650 kHz
UM-10.6-scaled.jpeg

4EM-5

5 4×(0.2×0.2) ≥ 6.8×109 ≥ 1.6×105 DC to ≥ 1 MHz
UM-10.6-scaled.jpeg

QM-5

5 4×(0.2×0.2) ≥ 6.8×109 ≥ 1.6×105 DC to ≥ 1 MHz
UM-10.6-scaled.jpeg QM-10.6 10.6 10.6 ≥ 4.5×106 ≥ 1.1×102 DC to ≥ 1 MHz

HgCdTe (MCT) 32 チャンネル IR 検出モジュール
32EM-5-01
MWIR、熱電冷却型フォトボルテイック 32 素子リニア検出器付き


32EM-5-01 は 32 チャンネルの検出モジュールです。 単一素子の有効面積 0.125 mm × 1 mm を備えた熱電冷却型 MWIR HgCdTe 32 素子光起電力検出器は、DC 結合された 32 チャンネル トランスインピーダンス プリアンプと統合されています。

カタログ

特徴
⦿ 高感度
⦿ 高速応答
⦿ 32チャンネル
⦿ 低クロストーク
⦿ コンパクトな小型サイズ
⦿ 便利な極低温フリー操作
⦿ 外部ヒートシンクが必要です。 (推奨熱抵抗: ~2 K/W)
⦿ 外部TECコントローラーが必要です。

アプリケーション
⦿ 分光法(ガス検知、呼気分析)
⦿ 低速および高速の非接触温度測定 (鉄道輸送、産業および実験室のプロセス監視)
⦿ 光学選別システム
⦿ レーザービームのプロファイリングと位置決め
⦿ 炎および爆発の検知
⦿ 防衛とセキュリティ
⦿ 燃焼プロセス制御

スペクトル応答 (Ta = 20°C, Vb = 0 mV)


DATASHEET カタログ ダウンロード

仕様 (Ta = 20°C)

Parameter
Typical value
Optical parameters
Cut-on wavelength λcut-on (10%) µm ≤2.0
Peak wavelength λpeak, µm 4.25±0.2
Optimal wavelength λopt, µm 5.0
Cut-off wavelength λcut-off (10%) µm 5.6±0.2
Detectivity D*(λpeak), cm⋅Hz1/2/W ≥3.5×109
Detectivity D*(λopt), cm⋅Hz1/2/W ≥2.2×109
Electrical parameters
Voltage responsivity Rv(λpeak, RLoad = 1 MΩ), V/W ≥3.5×104
Voltage responsivity Rv(λopt, RLoad = 1 MΩ), V/W ≥2.2×104
Low cut-off frequency flo, Hz DC
High cut-off frequency fhi, kHz ≥400
Output impedance Rout, Ω 50
Output voltage swing Vout(RLoad = 1 MΩ), V -1

(negative output)

Output voltage offset Voff, mVDC max –200
Power supply voltage Vsup, VDC +5
Other information
Active elements material epitaxial HgCdTe heterostructure
Number of elements 1×32 linear array
Active area of single element A, mm×mm 0.125×1
Distance between active elements, μm 25
Window pAl2O3AR
Acceptance angle, Φ ~70°
Ambient operating temperature Ta, °C 10 to 30

Mechanical layout, mm


関連ファイル
32EM-5 検出モジュール カタログ

VIGO カタログ


HgCdTe (MCT) 32 チャンネル IR 検出モジュール
32EM-5-02
MWIR、熱電冷却型フォトボルテイック 32 素子リニア検出器付き


32EM-5-02 は 32 チャンネルの検出モジュールです。 単一素子の有効面積 0.1 mm × 0.1 mm を備えた熱電冷却 MWIR HgCdTe 32 素子光起電力検出器は、DC 結合された 32 チャンネル トランスインピーダンス プリアンプと統合されています。

カタログ

特徴
⦿ 高感度
⦿ 高速応答
⦿ 32チャンネル
⦿ 低クロストーク
⦿ コンパクトな小型サイズ
⦿ 便利な極低温フリー操作
⦿ 外部ヒートシンクが必要です。 (推奨熱抵抗: ~2 K/W)
⦿ 外部TECコントローラーが必要です。

アプリケーション
⦿ 分光法(ガス検知、呼気分析)
⦿ 低速および高速の非接触温度測定 (鉄道輸送、産業および実験室のプロセス監視)
⦿ 光学選別システム
⦿ レーザービームのプロファイリングと位置決め
⦿ 炎および爆発の検知
⦿ 防衛とセキュリティ
⦿ 燃焼プロセス制御

スペクトル応答 (Ta = 20°C, Vb = 0 mV)


メカニカル レイアウト  (mm)

関連ファイル
32EM-5 検出モジュール シリーズ カタログ

VIGO  カタログ



HgCdTe (MCT) 4 チャンネル検出モジュール
4EM-5
3.5 – 6.0 µm、DC – 1 MHz、フォトボルテイック 4 素子リニア検出器付き


4EM-5 は、「オールインワン」IR マルチチャンネル検出モジュールです。 HgCdTe ヘテロ構造に基づく熱電冷却型フォトボルテイック 4 素子リニア検出器は、トランスインピーダンス、DC 結合 4 チャンネル プリアンプ、ファン、および熱電冷却器コントローラーとコンパクトな筐体に統合されています。

カタログ

特徴
⦿ 4つのチャンネル
⦿ 低クロストーク
⦿ 単一電源
⦿ 光学アクセサリとの互換性

アプリケーション
⦿ 非接触温度測定 (鉄道輸送、産業プロセスおよび実験室プロセスの監視)
⦿ 分光測光法
⦿ MWIRレーザー測定
⦿ レーザーパワーの監視と制御
⦿ レーザービームプロファイリング
⦿ レーザー校正
 

仕様 (Ta = 20°C)

Parameter

Typical value

Optical parameters
Cut-on wavelength λcut-on (10%) µm 3.5±0.5
Peak wavelength λpeak, µm 4.5±0.5
Optimum wavelength λopt, µm 5.0
Cut-off wavelength λcut-off (10%) µm 6.0±0.5
Detectivity D*(λpeak), cm⋅Hz1/2/W ≥1.4×109
Detectivity D*(λopt), cm⋅Hz1/2/W ≥1.2×109
Output noise density vn(100 kHz), nV/Hz1/2 ≤500
Electrical parameters
Voltage responsivity Rvpeak, R = 1 MΩ*)), V/W ≥1.7×105
Voltage responsivity Rvopt, R = 1 MΩ*)), V/W ≥1.6×105
Low cut-off frequency flo, Hz DC
High cut-off frequency fhi, Hz ≥1M
Output impedance Rout, Ω 50
Output voltage swing Vout(R = 1 MΩ*)), V 0 – 4
Output voltage offset Voff, V max ±20
Power supply voltage Vsup, V +7.5
Power consumption, W max 6
Other information
Active elements material epitaxial HgCdTe heterostructure
Active areas A, mm×mm 4×(0.2×0.2)
Distance between active elements, mm 0.05
Window pSiAR
Acceptance angle, Φ ~70°
Ambient operating temperature Ta, °C 10 to 30
Signal output sockets 4×MCX
Power supply socket DC 2.1/5.5
Mounting hole M4
Fan yes
*) RL – 負荷抵抗

スペクトル応答 (Ta = 20°C)


メカニカル レイアウト  (mm)


関連ファイル
4EM-5 検出モジュール カタログ

4EM-5 検出モジュール 図面



QM-5
HgCdTe (MCT) 4 チャンネル検出モジュール
3.5 – 6.0 µm、DC – 1 MHz、太陽光発電 4 素子象限幾何検出器付き


QM-5 は「オールインワン」位置 IR 検出モジュールです。 HgCdTe ヘテロ構造に基づく熱電冷却型光起電力象限幾何検出器は、トランスインピーダンス、DC 結合 4 チャンネル プリアンプ、ファン、および熱電クーラー コントローラーをコンパクトな筐体に統合しています。 校正された中心に対する入射ビームの変位を正確に測定するように設計されています。 このデバイスは、ビームの動き、移動距離の測定、またはアライメント システムのフィードバックとして最適です。

カタログ

特徴
⦿ 4つのチャンネル
⦿ 低クロストーク
⦿ 単一電源
⦿ 光学アクセサリとの互換性

アプリケーション
⦿ 分光測光法
⦿ MWIRレーザー測定
⦿ レーザーパワーの監視と制御
⦿ レーザービームのプロファイリングと位置決め
⦿ レーザー校正

仕様 (Ta = 20°C)
 

Parameter

Typical value

Optical parameters
Cut-on wavelength λcut-on (10%) µm 3.5±0.5
Peak wavelength λpeak, µm 4.5±0.5
Optimum wavelength λopt, µm 5.0
Cut-off wavelength λcut-off (10%) µm 6.0±0.5
Detectivity D*(λpeak), cm⋅Hz1/2/W ≥1.4×109
Detectivity D*(λopt), cm⋅Hz1/2/W ≥1.2×109
Output noise density vn(100 kHz), nV/Hz1/2 ≤500
Electrical parameters
Voltage responsivity Rvpeak, R = 1 MΩ*)), V/W ≥1.7×105
Voltage responsivity Rvopt, R = 1 MΩ*)), V/W ≥1.6×105
Low cut-off frequency flo, Hz DC
High cut-off frequency fhi, Hz ≥1M
Output impedance Rout, Ω 50
Output voltage swing Vout(R = 1 MΩ*)), V 0 – 4
Output voltage offset Voff, V max ±20
Power supply voltage Vsup, V +7.5
Power consumption, W max 6
Other information
Active elements material epitaxial HgCdTe heterostructure
Active areas A, mm×mm 4×(0.2×0.2)
Distance between active elements, mm 0.02
Window pSiAR
Acceptance angle, Φ ~70°
Ambient operating temperature Ta, °C 10 to 30
Signal output sockets 4×MCX
Power supply socket DC 2.1/5.5
Mounting hole M4
Fan yes
*) RL – 負荷抵抗

スペクトル応答 (Ta = 20°C)


メカニカル レイアウト     (mm)



関連ファイル
QM-5 検出モジュール カタログ
QM-5 検出モジュール 図面
VIGO カタログ


HgCdTe (MCT) 4 チャンネル検出モジュール
QM-10.6
3.0 – 12.0 µm、DC – 1 MHz、太陽光発電象限ジオメトリの多重接合検出器付き


QM-10.6 は「オールインワン」位置 IR 検出モジュールです。 HgCdTe ヘテロ構造に基づく非冷却光起電力多接合象限幾何検出器は、トランスインピーダンスの DC 結合 4 チャンネル プリアンプと統合されています。 校正された中心に対する入射ビームの変位を正確に測定するように設計されています。 このデバイスは、ビームの動き、移動距離の測定、またはアライメント システムのフィードバックとして最適です。

カタログ

特徴

⦿ 4つのチャンネル
⦿ 低クロストーク
⦿ 単一電源
I⦿ R放射の偏光に敏感
⦿ 光学アクセサリとの互換性

アプリケーション
⦿ CO2レーザー(10.6μm)測定
⦿ レーザーパワーの監視と制御
⦿ レーザービームのプロファイリングと位置決め
⦿ レーザー校正

仕様 (Ta = 20°C)

Parameter

Typical value

Optical parameters
Cut-on wavelength λcut-on (10%) µm 3.0±1.0
Peak wavelength λpeak, µm 8.0±2.0
Optimum wavelength λopt, µm 10.6
Cut-off wavelength λcut-off (10%) µm 12.0±1.0
Detectivity D*(λpeak), cm⋅Hz1/2/W ≥1.0×107
Detectivity D*(λopt), cm⋅Hz1/2/W ≥4.5×106
Output noise density vn(100 kHz), μV/Hz1/2 ≤4.5
Electrical parameters
Voltage responsivity Rvpeak, RL = 1 MΩ*)), V/W ≥2.2×102
Voltage responsivity Rvopt, RL = 1 MΩ*)), V/W ≥1.1×102
Low cut-off frequency flo, Hz DC
High cut-off frequency fhi, Hz ≥1M
Output impedance Rout, Ω 50
Output voltage swing Vout(RL = 1 MΩ*)), V 0 – 4
Output voltage offset Voff, V max ±20
Power supply voltage Vsup, V +7.5
Power consumption, W max 6
Other information
Active elements material epitaxial HgCdTe heterostructure
Active areas A, mm×mm 4×(1×1)
Distance between active elements, mm 0.15±0.1
Window none
Acceptance angle, Φ ~70°
Ambient operating temperature Ta, °C 10 to 30
Signal output sockets 4×MCX
Power supply socket DC 2.1/5.5
Mounting hole M4
Fan yes
*) RL – 負荷抵抗

スペクトル応答 (Ta = 20°C)



メカニカル レイアウト (mm)


関連ファイル
QM-10.6 検出モジュール カタログ
QM-10.6 検出モジュール 図面
VIGO カタログ