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Detectors, measuring instruments and related equipment
HgCdTe (MCT)マルチチャンネル検出モジュール 32素子 4素子
VIGO PHOTONICS
HgCdTe (MCT)Multi Channel Detection Modules - エンジニアリング サンプル
VIGO HgCdTe (MCT) マルチチャンネル検出モジュールは、ガス分析、ビームの動き、移動距離の測定、またはアライメントシステムのフィードバックに最適です。
| Image | Name | Optimal wavelength λopt, µm |
受光エリア A₀, mm×mm |
Detectivity D* (λopt), cm·Hz1/2/W |
Output voltage responsivity Rv (λopt, RL=50Ω), V/W |
-3dB Bandwidth |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
5 | 32×(0.125×1) | ≥ 2.2×109 | ≥ 3.5×104 | DC to ≥ 400 kHz | |
|
5 | 32×(0.1×0.1) | ≥ 2.2×109 | ≥ 4.6×104 | DC to ≥ 650 kHz | |
 |
5 | 4×(0.2×0.2) | ≥ 6.8×109 | ≥ 1.6×105 | DC to ≥ 1 MHz | |
|
5 | 4×(0.2×0.2) | ≥ 6.8×109 | ≥ 1.6×105 | DC to ≥ 1 MHz | |
|
QM-10.6 | 10.6 | 10.6 | ≥ 4.5×106 | ≥ 1.1×102 | DC to ≥ 1 MHz |
HgCdTe (MCT) 32 チャンネル IR 検出モジュール
32EM-5-01
MWIR、熱電冷却型フォトボルテイック 32 素子リニア検出器付き
32EM-5-01 は 32 チャンネルの検出モジュールです。 単一素子の有効面積 0.125 mm × 1 mm を備えた熱電冷却型 MWIR HgCdTe 32 素子光起電力検出器は、DC 結合された 32 チャンネル トランスインピーダンス プリアンプと統合されています。
カタログ
特徴
⦿ 高感度
⦿ 高速応答
⦿ 32チャンネル
⦿ 低クロストーク
⦿ コンパクトな小型サイズ
⦿ 便利な極低温フリー操作
⦿ 外部ヒートシンクが必要です。 (推奨熱抵抗: ~2 K/W)
⦿ 外部TECコントローラーが必要です。
アプリケーション
⦿ 分光法（ガス検知、呼気分析）
⦿ 低速および高速の非接触温度測定 (鉄道輸送、産業および実験室のプロセス監視)
⦿ 光学選別システム
⦿ レーザービームのプロファイリングと位置決め
⦿ 炎および爆発の検知
⦿ 防衛とセキュリティ
⦿ 燃焼プロセス制御
スペクトル応答 (Ta = 20°C, Vb = 0 mV)
DATASHEET カタログ ダウンロード
仕様 (Ta = 20°C)
Parameter |
Typical value |
|
| Optical parameters | ||
| Cut-on wavelength λcut-on (10%) µm | ≤2.0 | |
| Peak wavelength λpeak, µm | 4.25±0.2 | |
| Optimal wavelength λopt, µm | 5.0 | |
| Cut-off wavelength λcut-off (10%) µm | 5.6±0.2 | |
Detectivity D*(λpeak), cm ⋅Hz1/2/W |
≥3.5×109 | |
| Detectivity D*(λopt), cm⋅Hz1/2/W |
≥2.2×109 | |
| Electrical parameters | ||
| Voltage responsivity Rv(λpeak, RLoad = 1 MΩ), V/W | ≥3.5×104 | |
| Voltage responsivity Rv(λopt, RLoad = 1 MΩ), V/W | ≥2.2×104 | |
| Low cut-off frequency flo, Hz | DC | |
| High cut-off frequency fhi, kHz | ≥400 | |
| Output impedance Rout, Ω | 50 | |
| Output voltage swing Vout(RLoad = 1 MΩ), V | -1
(negative output) |
|
| Output voltage offset Voff, mVDC | max –200 | |
| Power supply voltage Vsup, VDC | +5 | |
| Other information | ||
| Active elements material | epitaxial HgCdTe heterostructure | |
| Number of elements | 1×32 linear array | |
| Active area of single element A, mm×mm | 0.125×1 | |
| Distance between active elements, μm | 25 | |
| Window | pAl2O3AR | |
| Acceptance angle, Φ | ~70° | |
| Ambient operating temperature Ta, °C | 10 to 30 | |
Mechanical layout, mm
関連ファイル
32EM-5 検出モジュール カタログ
VIGO カタログ
HgCdTe (MCT) 32 チャンネル IR 検出モジュール
32EM-5-02
MWIR、熱電冷却型フォトボルテイック 32 素子リニア検出器付き
32EM-5-02 は 32 チャンネルの検出モジュールです。 単一素子の有効面積 0.1 mm × 0.1 mm を備えた熱電冷却 MWIR HgCdTe 32 素子光起電力検出器は、DC 結合された 32 チャンネル トランスインピーダンス プリアンプと統合されています。
カタログ
特徴
⦿ 高感度
⦿ 高速応答
⦿ 32チャンネル
⦿ 低クロストーク
⦿ コンパクトな小型サイズ
⦿ 便利な極低温フリー操作
⦿ 外部ヒートシンクが必要です。 (推奨熱抵抗: ~2 K/W)
⦿ 外部TECコントローラーが必要です。
アプリケーション
⦿ 分光法（ガス検知、呼気分析）
⦿ 低速および高速の非接触温度測定 (鉄道輸送、産業および実験室のプロセス監視)
⦿ 光学選別システム
⦿ レーザービームのプロファイリングと位置決め
⦿ 炎および爆発の検知
⦿ 防衛とセキュリティ
⦿ 燃焼プロセス制御
スペクトル応答 (Ta = 20°C, Vb = 0 mV)
.jpg)
メカニカル レイアウト (mm)
関連ファイル
32EM-5 検出モジュール シリーズ カタログ
VIGO カタログ
HgCdTe (MCT) 4 チャンネル検出モジュール
4EM-5
3.5 – 6.0 µm、DC – 1 MHz、フォトボルテイック 4 素子リニア検出器付き
4EM-5 は、「オールインワン」IR マルチチャンネル検出モジュールです。 HgCdTe ヘテロ構造に基づく熱電冷却型フォトボルテイック 4 素子リニア検出器は、トランスインピーダンス、DC 結合 4 チャンネル プリアンプ、ファン、および熱電冷却器コントローラーとコンパクトな筐体に統合されています。
カタログ
特徴
⦿ 4つのチャンネル
⦿ 低クロストーク
⦿ 単一電源
⦿ 光学アクセサリとの互換性
アプリケーション
⦿ 非接触温度測定 (鉄道輸送、産業プロセスおよび実験室プロセスの監視)
⦿ 分光測光法
⦿ MWIRレーザー測定
⦿ レーザーパワーの監視と制御
⦿ レーザービームプロファイリング
⦿ レーザー校正
仕様 (Ta = 20°C)
|
Parameter |
Typical value |
|
| Optical parameters | ||
| Cut-on wavelength λcut-on (10%) µm | 3.5±0.5 | |
| Peak wavelength λpeak, µm | 4.5±0.5 | |
| Optimum wavelength λopt, µm | 5.0 | |
| Cut-off wavelength λcut-off (10%) µm | 6.0±0.5 | |
| Detectivity D*(λpeak), cm⋅Hz1/2/W |
≥1.4×109 | |
| Detectivity D*(λopt), cm⋅Hz1/2/W |
≥1.2×109 | |
| Output noise density vn(100 kHz), nV/Hz1/2 | ≤500 | |
| Electrical parameters | ||
| Voltage responsivity Rv(λpeak, R = 1 MΩ*)), V/W | ≥1.7×105 | |
| Voltage responsivity Rv(λopt, R = 1 MΩ*)), V/W | ≥1.6×105 | |
| Low cut-off frequency flo, Hz | DC | |
| High cut-off frequency fhi, Hz | ≥1M | |
| Output impedance Rout, Ω | 50 | |
| Output voltage swing Vout(R = 1 MΩ*)), V | 0 – 4 | |
| Output voltage offset Voff, V | max ±20 | |
| Power supply voltage Vsup, V | +7.5 | |
| Power consumption, W | max 6 | |
| Other information | ||
| Active elements material | epitaxial HgCdTe heterostructure | |
| Active areas A, mm×mm | 4×(0.2×0.2) | |
| Distance between active elements, mm | 0.05 | |
| Window | pSiAR | |
| Acceptance angle, Φ | ~70° | |
| Ambient operating temperature Ta, °C | 10 to 30 | |
| Signal output sockets | 4×MCX | |
| Power supply socket | DC 2.1/5.5 | |
| Mounting hole | M4 | |
| Fan | yes | |
| *) RL – 負荷抵抗 | ||
スペクトル応答 (Ta = 20°C)
.jpg)
メカニカル レイアウト (mm)
.jpg)
関連ファイル
4EM-5 検出モジュール カタログ
4EM-5 検出モジュール 図面
QM-5
HgCdTe (MCT) 4 チャンネル検出モジュール
3.5 – 6.0 µm、DC – 1 MHz、太陽光発電 4 素子象限幾何検出器付き
QM-5 は「オールインワン」位置 IR 検出モジュールです。 HgCdTe ヘテロ構造に基づく熱電冷却型光起電力象限幾何検出器は、トランスインピーダンス、DC 結合 4 チャンネル プリアンプ、ファン、および熱電クーラー コントローラーをコンパクトな筐体に統合しています。 校正された中心に対する入射ビームの変位を正確に測定するように設計されています。 このデバイスは、ビームの動き、移動距離の測定、またはアライメント システムのフィードバックとして最適です。
カタログ
特徴
⦿ 4つのチャンネル
⦿ 低クロストーク
⦿ 単一電源
⦿ 光学アクセサリとの互換性
アプリケーション
⦿ 分光測光法
⦿ MWIRレーザー測定
⦿ レーザーパワーの監視と制御
⦿ レーザービームのプロファイリングと位置決め
⦿ レーザー校正
仕様 (Ta = 20°C)
|
Parameter |
Typical value |
|
| Optical parameters | ||
| Cut-on wavelength λcut-on (10%) µm | 3.5±0.5 | |
| Peak wavelength λpeak, µm | 4.5±0.5 | |
| Optimum wavelength λopt, µm | 5.0 | |
| Cut-off wavelength λcut-off (10%) µm | 6.0±0.5 | |
| Detectivity D*(λpeak), cm⋅Hz1/2/W |
≥1.4×109 | |
| Detectivity D*(λopt), cm⋅Hz1/2/W |
≥1.2×109 | |
| Output noise density vn(100 kHz), nV/Hz1/2 | ≤500 | |
| Electrical parameters | ||
| Voltage responsivity Rv(λpeak, R = 1 MΩ*)), V/W | ≥1.7×105 | |
| Voltage responsivity Rv(λopt, R = 1 MΩ*)), V/W | ≥1.6×105 | |
| Low cut-off frequency flo, Hz | DC | |
| High cut-off frequency fhi, Hz | ≥1M | |
| Output impedance Rout, Ω | 50 | |
| Output voltage swing Vout(R = 1 MΩ*)), V | 0 – 4 | |
| Output voltage offset Voff, V | max ±20 | |
| Power supply voltage Vsup, V | +7.5 | |
| Power consumption, W | max 6 | |
| Other information | ||
| Active elements material | epitaxial HgCdTe heterostructure | |
| Active areas A, mm×mm | 4×(0.2×0.2) | |
| Distance between active elements, mm | 0.02 | |
| Window | pSiAR | |
| Acceptance angle, Φ | ~70° | |
| Ambient operating temperature Ta, °C | 10 to 30 | |
| Signal output sockets | 4×MCX | |
| Power supply socket | DC 2.1/5.5 | |
| Mounting hole | M4 | |
| Fan | yes | |
| *) RL – 負荷抵抗 | ||
スペクトル応答 (Ta = 20°C)
メカニカル レイアウト (mm)
.jpg)
関連ファイル
QM-5 検出モジュール カタログ
QM-5 検出モジュール 図面
VIGO カタログ
HgCdTe (MCT) 4 チャンネル検出モジュール
QM-10.6
3.0 – 12.0 µm、DC – 1 MHz、太陽光発電象限ジオメトリの多重接合検出器付き
QM-10.6 は「オールインワン」位置 IR 検出モジュールです。 HgCdTe ヘテロ構造に基づく非冷却光起電力多接合象限幾何検出器は、トランスインピーダンスの DC 結合 4 チャンネル プリアンプと統合されています。 校正された中心に対する入射ビームの変位を正確に測定するように設計されています。 このデバイスは、ビームの動き、移動距離の測定、またはアライメント システムのフィードバックとして最適です。
カタログ
特徴
⦿ 4つのチャンネル
⦿ 低クロストーク
⦿ 単一電源
I⦿ R放射の偏光に敏感
⦿ 光学アクセサリとの互換性
アプリケーション
⦿ CO2レーザー（10.6μm）測定
⦿ レーザーパワーの監視と制御
⦿ レーザービームのプロファイリングと位置決め
⦿ レーザー校正
仕様 (Ta = 20°C)
|
Parameter |
Typical value |
|
| Optical parameters | ||
| Cut-on wavelength λcut-on (10%) µm | 3.0±1.0 | |
| Peak wavelength λpeak, µm | 8.0±2.0 | |
| Optimum wavelength λopt, µm | 10.6 | |
| Cut-off wavelength λcut-off (10%) µm | 12.0±1.0 | |
| Detectivity D*(λpeak), cm⋅Hz1/2/W |
≥1.0×107 | |
| Detectivity D*(λopt), cm⋅Hz1/2/W |
≥4.5×106 | |
| Output noise density vn(100 kHz), μV/Hz1/2 | ≤4.5 | |
| Electrical parameters | ||
| Voltage responsivity Rv(λpeak, RL = 1 MΩ*)), V/W | ≥2.2×102 | |
| Voltage responsivity Rv(λopt, RL = 1 MΩ*)), V/W | ≥1.1×102 | |
| Low cut-off frequency flo, Hz | DC | |
| High cut-off frequency fhi, Hz | ≥1M | |
| Output impedance Rout, Ω | 50 | |
| Output voltage swing Vout(RL = 1 MΩ*)), V | 0 – 4 | |
| Output voltage offset Voff, V | max ±20 | |
| Power supply voltage Vsup, V | +7.5 | |
| Power consumption, W | max 6 | |
| Other information | ||
| Active elements material | epitaxial HgCdTe heterostructure | |
| Active areas A, mm×mm | 4×(1×1) | |
| Distance between active elements, mm | 0.15±0.1 | |
| Window | none | |
| Acceptance angle, Φ | ~70° | |
| Ambient operating temperature Ta, °C | 10 to 30 | |
| Signal output sockets | 4×MCX | |
| Power supply socket | DC 2.1/5.5 | |
| Mounting hole | M4 | |
| Fan | yes | |
| *) RL – 負荷抵抗 | ||
スペクトル応答 (Ta = 20°C)
.jpg)
メカニカル レイアウト (mm)
関連ファイル
QM-10.6 検出モジュール カタログ
QM-10.6 検出モジュール 図面
VIGO カタログ