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MWIR InAsSb 検出モジュール AMS3140-01, AMS6140-01 VIGO PHOTONICS
VIGO PHOTONICS
MWIR InAsSb 検出モジュール
AMS3140-01
温度安定化、アンプと温度コントローラーを統合
AMS3140-01 は、大量アプリケーション向けに設計されたコスト効率の高いソリューションです。 内蔵アンプと温度コントローラーにより、広範囲の周囲温度にわたって一定の応答性が得られます。 広い帯域幅と低 1/f ノイズ コーナーにより、MEMS ヒーターやパルス LED またはレーザーなどの一般に入手可能な放射線源を使用した効率的な測定が可能になります。 差動出力を備えた AMS3140-01 は、電磁干渉に対する高い耐性を備えたコネクタを介した簡単な接続を提供します。 寸法が小さいため、ターゲットデバイスとの機械的および熱的統合が容易になります。
AMS3140-01 のパフォーマンスのテストと機能の評価には、評価キットと追加のアクセサリが利用可能です。
カタログ
特徴
◎ スペクトル範囲: 2.5 ～ 5.7 μm
◎ アクティブエリア: 1 mm × 1 mm
◎ 温度コントローラー内蔵
◎ ピンで設定可能なチップ温度
◎ 低1/fノイズコーナー
◎ 帯域幅: DC 最大 4 MHz
◎ 単一低電圧電源: 3.3 V
◎ 差動出力
◎ 小型基板対基板コネクタ
◎ 小型寸法: 30 mm × 19 mm × 10 mm
◎ III-V材
◎ 軽量：5g
◎ 評価キットと追加アクセサリが利用可能
アプリケーション
◎ MEMS、LED、またはレーザー源を備えたガス検知器
◎ 温度センサー
◎ 組み込みシステム
◎ ポータブルデバイス
仕様 (Tamb = 20°C, Rload = 1 MΩ to ground, unless otherwise noted)
|
Parameter |
Typical value |
||
| Chip temperature, Tchip | -20°C | 20°C | |
| Active element material | epitaxial InAsSb heterostructure | ||
| Active area, A | 1 mm × 1 mm | ||
| Cut-on wavelength, λcut-on (10%) | 2.35 μm | 2.40 μm | |
| Peak wavelength, λpeak | 4.3 μm | 4.4 μm | |
| Cut-off wavelength, λcut-off (10%) | 5.4 μm | 5.7 μm | |
| Detectivity, D* (λpeak) | 2.0×109 cm⋅Hz1/2/W | 5.0×108 cm⋅Hz1/2/W | |
| Voltage responsivity Rv (λpeak) | 400 V/W | 360 V/W | |
| Low cut-off frequency, flo | DC | DC | |
| High cut-off frequency, fhi (Rload = 50 Ω) | 4 MHz | 3 MHz | |
| Output impedance, Rout | 50 Ω | ||
| Output voltage swing, Vout | 0.2 V (negative)
2.2 V (positive) |
||
| Power supply voltage, Vsup | 3.3 V | ||
| Detector package | TO39 | ||
| Acceptance angle, Φ | 58 deg. | ||
| Window | pSiAR
(planar silicon, anti-reflection coating) |
||
スペクトル応答
.jpg)
メカニカルレイアウト (mm)
関連ファイル
AMS3140-01, AMS6140-01 カタログ
AMS3140-01, AMS6140-01 図面
AM 評価キット 取扱説明書
AMSxx40 評価キット 図面
フレキシブルプリント基板を使用したアプリケーション例 図面
AMS3140-01 CAD resources
AMS 評価キット CAD resources
VIGO カタログ
MWIR InAsSb 検出モジュール
AMS6140-01
温度安定化、アンプと温度コントローラーを統合
AMS6140-01 は、大量アプリケーション向けに設計されたコスト効率の高いソリューションです。 内蔵アンプと温度コントローラーにより、広範囲の周囲温度にわたって一定の応答性が得られます。 広い帯域幅と低 1/f ノイズ コーナーにより、MEMS ヒーターやパルス LED またはレーザーなどの一般に入手可能な放射線源を使用した効率的な測定が可能になります。 差動出力を備えた AMS6140-01 は、電磁干渉に対する高い耐性を備えたコネクタを介した簡単な接続を提供します。 寸法が小さいため、ターゲットデバイスとの機械的および熱的統合が容易になります。
AMS6140-01 のパフォーマンスのテストと機能の評価には、評価キットと追加のアクセサリが利用可能です。
カタログ
特徴
◎ スペクトル範囲: 1.7 ～ 7.0 μm
◎ アクティブエリア: 1 mm × 1 mm
◎ 温度コントローラー内蔵
◎ ピンで設定可能なチップ温度
◎ 低1/fノイズコーナー
◎ 帯域幅: DC 最大 2.6 MHz
◎ 単一低電圧電源: 3.3 V
◎ 差動出力
◎ 小型寸法: 30 mm × 19 mm × 10 mm
◎ III-V材
◎ 軽量：5g
◎ 評価キットと追加のアクセサリが利用可能
アプリケーション
◎ MEMS、LED、またはレーザー源を備えたガス検知器
◎ 温度センサー
◎ 組み込みシステム
◎ ポータブルデバイス
仕様
(Tamb = 20°C, Rload = 1 MΩ to ground, unless otherwise noted)
|
Parameter |
Typical value |
||
| Chip temperature, Tchip | -20°C | 20°C | |
| Active element material | epitaxial InAsSb heterostructure | ||
| Active area, A | 1 mm × 1 mm | ||
| Cut-on wavelength, λcut-on (10%) | 2.20 μm | 1.7 μm | |
| Peak wavelength, λpeak | 4.20 μm | 4.2 μm | |
| Cut-off wavelength, λcut-off (10%) | 6.58 μm | 7.0 μm | |
| Detectivity, D* (λpeak) | 1.0×109 cm⋅Hz1/2/W | 4.2×108 cm⋅Hz1/2/W | |
| Voltage responsivity Rv (λpeak) | 220 V/W | 160 V/W | |
| Low cut-off frequency, flo | DC | DC | |
| High cut-off frequency, fhi (Rload = 50 Ω) | 2.6 MHz | 2.3 MHz | |
| Output impedance, Rout | 50 Ω | ||
| Output voltage swing, Vout | 0.2 V (negative)
2.2 V (positive) |
||
| Power supply voltage, Vsup | 3.3 V | ||
| Detector package | TO39 | ||
| Acceptance angle, Φ | 58 deg. | ||
| Window | pSiAR
(planar silicon, anti-reflection coating) |
||
スペクトル応答
(Tamb = 20°C)
.jpg)
メカニカル レイアウト (mm)
関連だいる
AMS3140-01, AMS6140-01 カタログ
AMS3140-01, AMS6140-01 図面
AM 評価キット 取扱説明書
AMSxx40 評価キット 図面
フレキシブルプリント基板を使用したアプリケーション例 図面
AMS6140-01 CAD resources
AMS 評価キット CAD resources
VIGO カタログ