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光関連装置と部品、研究開発のための装置と部品の販売

Detectors, measuring instruments and related equipment

InAs & InAsSb 赤外検出器 VIGO PHOTONICS 


VIGO Photonics

InAs/InAsSb 検出器
半導体素子が InAs、InAsSb、または InAs/InAsSb T2SL 材料で作られたフォトボルテイックおよびフォトコンダクティブ赤外線検出器。
これらの検出器にはカドミウムと水銀が含まれていません。 その結果、検出器は RoHS 指令に準拠し、消費者市場で使用できます。

NEW InAs and InAsSb IR detectors

  型名から詳細リンク       mm μm 
Image 型名 受光素子 冷却 レンズ アクティブ エリア ピーク波長
PVA-3-1×1-TO39-NW-90 InAs no no 1x1 3.1
PVA-3-d1.2-SMD-pAl2O3-115 InAs no no d1.2 2.9
PVIA-5-1×1-TO39-NW-36 InAsSb no Yes 1x1 4.5
PVMA-1TE-5-1×1-TO39-pSiAR-70 InAsSb 1TE no 1x1 4.0
PVMA-1TE-6-1×1-TO39-pSiAR-70 InAsSb 1TE no 1x1 4.3
PVIA-10.6-1×1-TO39-NW-36 InAsSb no Yes 1x1 7.1


InAs & InAsSb IR 検出器

InAsおよびInAsSb光起電力検出器のすべて

  型名をクリック 詳細リンク     μm  D* nsec.
  型名 冷却 レンズ ピーク波長 検出 時定数
PVA-3-0.1×0.1-TO39-NW-90 no no 2.9±0.3 ≧5.0x109 ≦20
PVIA-3-1×1-TO39-NW-36 no yes 2.9±0.3 ≧5.0x1010 ≦20
PVA-2TE-3-0.1×0.1-TO8-wAl2O3-70 2TE np 2.9±0.3 ≧5.0x1010 ≦15
PVIA-2TE-3-1×1-TO8-wAl2O3-36 2TE yes 2.9±0.3 ≧5.0x1011 ≦15
PVA-2TE-4.5-1×1-TO8-wAl2O3-70 2TE no 4.0±0.3 ~7.0x109 ~10
PVA-5-0.1×0.1-TO39-NW-90 no no 4.5±0.6 ≥ 5.0×108 ≤ 60
PVAS-5-0.1×0.1-TO39-NW-90 no no 4.2±0.3 ~1.2×109 ~11
PVA-2TE-5-0.1×0.1-TO8-wAl2O3-70 2TE no 4.5±0.6 ≥ 4.0×109 ≤ 15
PVAS-2TE-5-0.1×0.1-TO8-wAl2O3-70 2TE no 4.0±0.3 ~9.0×109 ~4
PVIA-2TE-5-1×1-TO8-wAl2O3-36 2TE yes 4.5±0.6 ≥ 4.0×1010 ≤ 5
PCAS-2TE-9-0.1×0.1-TO8-wZnSeAR-70 2TE no 6.2±0.3 ~2.8×108 ~12
PCAS-2TE-9-1×1AR-TO8-wZnSeAR-70 2TE no 4.0±0.5 ~2.6×108 ~17
PCAS-3TE-9-0.1×0.1-TO8-wZnSeAR-70 3TE no 6.1±0.3 ~4.3×108 ~17
PCAS-2TE-11-0.1×0.1-TO8-wZnSeAR-70 2TE no 6.0±0.3 ~1.9×108 ~7
PCAS-3TE-12-0.1×0.1-TO8-wZnSeAR-70 3TE no 10.5±0.3 ~2.5×108 ~4
PCIAS-3TE-12-1×1-TO8-wZnSeAR-36 3TE yes 8.0±1.0 ~2.0×109 ~4
PCAS-2TE-13-0.1×0.1-TO8-wZnSeAR-70 2TE no 10.7±0.3 ~1.2×108 ~3