InAs/InAsSb 検出器
半導体素子が InAs、InAsSb、または InAs/InAsSb T2SL 材料で作られたフォトボルテイックおよびフォトコンダクティブ赤外線検出器。
これらの検出器にはカドミウムと水銀が含まれていません。 その結果、検出器は RoHS 指令に準拠し、消費者市場で使用できます。
NEW InAs and InAsSb IR detectors
型名から詳細リンク | mm | μm | ||||
Image | 型名 | 受光素子 | 冷却 | レンズ | アクティブ エリア | ピーク波長 |
PVA-3-1×1-TO39-NW-90 | InAs | no | no | 1x1 | 3.1 | |
PVA-3-d1.2-SMD-pAl2O3-115 | InAs | no | no | d1.2 | 2.9 | |
PVIA-5-1×1-TO39-NW-36 | InAsSb | no | Yes | 1x1 | 4.5 | |
PVMA-1TE-5-1×1-TO39-pSiAR-70 | InAsSb | 1TE | no | 1x1 | 4.0 | |
PVMA-1TE-6-1×1-TO39-pSiAR-70 | InAsSb | 1TE | no | 1x1 | 4.3 | |
PVIA-10.6-1×1-TO39-NW-36 | InAsSb | no | Yes | 1x1 | 7.1 |
InAs & InAsSb IR 検出器
InAsおよびInAsSb光起電力検出器のすべて
型名をクリック 詳細リンク | μm | D* | nsec. | |||
型名 | 冷却 | レンズ | ピーク波長 | 検出 | 時定数 | |
PVA-3-0.1×0.1-TO39-NW-90 | no | no | 2.9±0.3 | ≧5.0x109 | ≦20 | |
PVIA-3-1×1-TO39-NW-36 | no | yes | 2.9±0.3 | ≧5.0x1010 | ≦20 | |
PVA-2TE-3-0.1×0.1-TO8-wAl2O3-70 | 2TE | np | 2.9±0.3 | ≧5.0x1010 | ≦15 | |
PVIA-2TE-3-1×1-TO8-wAl2O3-36 | 2TE | yes | 2.9±0.3 | ≧5.0x1011 | ≦15 | |
PVA-2TE-4.5-1×1-TO8-wAl2O3-70 | 2TE | no | 4.0±0.3 | ~7.0x109 | ~10 | |
PVA-5-0.1×0.1-TO39-NW-90 | no | no | 4.5±0.6 | ≥ 5.0×108 | ≤ 60 | |
PVAS-5-0.1×0.1-TO39-NW-90 | no | no | 4.2±0.3 | ~1.2×109 | ~11 | |
PVA-2TE-5-0.1×0.1-TO8-wAl2O3-70 | 2TE | no | 4.5±0.6 | ≥ 4.0×109 | ≤ 15 | |
PVAS-2TE-5-0.1×0.1-TO8-wAl2O3-70 | 2TE | no | 4.0±0.3 | ~9.0×109 | ~4 | |
PVIA-2TE-5-1×1-TO8-wAl2O3-36 | 2TE | yes | 4.5±0.6 | ≥ 4.0×1010 | ≤ 5 | |
PCAS-2TE-9-0.1×0.1-TO8-wZnSeAR-70 | 2TE | no | 6.2±0.3 | ~2.8×108 | ~12 | |
PCAS-2TE-9-1×1AR-TO8-wZnSeAR-70 | 2TE | no | 4.0±0.5 | ~2.6×108 | ~17 | |
PCAS-3TE-9-0.1×0.1-TO8-wZnSeAR-70 | 3TE | no | 6.1±0.3 | ~4.3×108 | ~17 | |
PCAS-2TE-11-0.1×0.1-TO8-wZnSeAR-70 | 2TE | no | 6.0±0.3 | ~1.9×108 | ~7 | |
PCAS-3TE-12-0.1×0.1-TO8-wZnSeAR-70 | 3TE | no | 10.5±0.3 | ~2.5×108 | ~4 | |
PCIAS-3TE-12-1×1-TO8-wZnSeAR-36 | 3TE | yes | 8.0±1.0 | ~2.0×109 | ~4 | |
PCAS-2TE-13-0.1×0.1-TO8-wZnSeAR-70 | 2TE | no | 10.7±0.3 | ~1.2×108 | ~3 |