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Detectors, measuring instruments and related equipment

HgCdTe(MCT)Photovoltaic   光起電赤外検出器 VIGO PHONONICS


VIGO PHOTONICS

 
HgCdTe(MCT)Photovoltaic   光起電赤外検出器


光起電力検出器(フォトダイオード)は、1つ(PV)または複数(PVM)のホモまたはヘテロ接合を持つ半導体構造です。吸収された光子は電荷キャリアを生成し、接点に集められ、外部光電流を発生させる。フォトダイオードは複雑な電流電圧特性を持っています。フォトダイオードはフリッカーフリーのゼロバイアスでも、逆電圧でも動作することができます。逆バイアス電圧は,応答性の向上,差動抵抗の低減,ショットノイズの低減,高周波特性の改善,ダイナミックレンジの拡大などのために頻繁に印加されます。
  

エンジニアリング サンプル

Image Name Cooling Immersion Peak
wavelength 
λpeak, µm
Detectivity
D*(λpeak),
cm·Hz1/2/W
Time constant τ,
ns
Package
TO39-no-immersion-scaled.jpeg PV-5-AF0.1×0.1-TO39-NW-90 Uncooled No 4.4±0.2 ~3.55×109 ~177 TO39
TO39-no-immersion-scaled.jpeg PV-5-AF1×1-TO39-NW-90 Uncooled No 4.4±0.2 ~1.45×109 ~570 TO39

セレクト ライン

すべての HgCdTe (MCT) フォトコンダクティブ赤外検出器
 

Image Name Cooling Immersion Optimal
wavelength 
λopt, µm
Detectivity
D*(λopt),
cm·Hz1/2/W
Time constant τ,
ns
Package
Focus-Result-1-B-8-4-1-1200x828-1.jpeg PV-3 Uncooled No 3.0 ≥ 6.5×109 ≤ 350 BNC, TO39
Focus-Result-1-B-8-4-1-1200x828-2.jpeg PV-3.4 Uncooled No 3.4 ≥ 5.0×109 ≤ 260 BNC, TO39
Focus-Result-1-B-8-4-1-1200x828-2.jpeg PV-4 Uncooled No 4.0 ≥ 3.0×109 ≤ 150 BNC, TO39
Focus-Result-1-B-8-4-1-1200x828-3.jpeg PV-5 Uncooled No 5.0 ≥ 1.0×109 ≤ 120 BNC, TO39
Focus-Result-1-B-8-4-1-1200x828-4.jpeg PV-6 Uncooled No 6.0 ≥ 5.0×108 ≤80 BNC, TO39
TO8-TO66-2TE-1200x952-12.jpg PV-2TE-3 Two-stage TE cooled No 3.0 ≥ 7.0×1010 ≤ 280 TO8, TO66
TO8-TO66-2TE-1200x952-13.jpg PV-2TE-3.4 Two-stage TE cooled No 3.4 ≥ 4.0×1010 ≤ 200 TO8, TO66
TO8-TO66-2TE-1200x952-14.jpg PV-2TE-4 Two-stage TE cooled No 4.0 ≥ 3.0×1010 ≤ 100 TO8, TO66
TO8-TO66-2TE-1200x952-15.jpg PV-2TE-5 Two-stage TE cooled No 5.0 ≥ 9.0×109 ≤ 80 TO8, TO66
TO8-TO66-2TE-1200x952-16.jpg PV-2TE-6 Two-stage TE cooled No 6.0 ≥ 2.0×109 ≤ 50 TO8, TO66
TO8-TO66-2TE-1200x952-16.jpg PV-2TE-8 Two-stage TE cooled No 8.0 ≥ 2.0×108 ≤ 45 TO8, TO66
TO8-TO66-2TE-1200x952-17.jpg PV-2TE-10.6 Two-stage TE cooled No 10.6 ≥ 1.0×108 ≤ 10 TO8, TO66
TO8-TO66-3TE-1200x952-10.jpg PV-3TE-3 Three-stage TE cooled No 3.0 ≥ 1.0×1011 ≤ 280 TO8, TO66
TO8-TO66-3TE-1200x952-11.jpg PV-3TE-3.4 Three-stage TE cooled No 3.4 ≥ 7.0×1010 ≤ 200 TO8, TO66
TO8-TO66-3TE-1200x952-12.jpg PV-3TE-4 Three-stage TE cooled No 4.0 ≥ 4.0×1010 ≤ 100 TO8, TO66
TO8-TO66-3TE-1200x952-13.jpg PV-3TE-5 Three-stage TE cooled No 5.0 ≥ 1.0×1010 ≤ 80 TO8, TO66
TO8-TO66-3TE-1200x952-14.jpg PV-3TE-6 Three-stage TE cooled No 6.0 ≥ 4.0×109 ≤ 50 TO8, TO66
TO8-TO66-3TE-1200x952-15.jpg PV-3TE-8 Three-stage TE cooled No 8.0 ≥ 3.0×108 ≤ 45 TO8, TO66
TO8-TO66-3TE-1200x952-16.jpg PV-3TE-10.6 Three-stage TE cooled No 10.6 ≥ 1.5×108 ≤ 10 TO8, TO66
TO8-TO66-4TE-1200x952-11.jpg PV-4TE-3 Four-stage TE cooled No 3.0 ≥ 1.5×1011 ≤ 280 TO8, TO66
TO8-TO66-4TE-1200x952-12.jpg PV-4TE-3.4 Four-stage TE cooled No 3.4 ≥ 1.0×1011 ≤ 200 TO8, TO66
TO8-TO66-4TE-1200x952-13.jpg PV-4TE-4 Four-stage TE cooled No 4.0 ≥ 6.0×1010 ≤ 100 TO8, TO66
TO8-TO66-4TE-1200x952-14.jpg PV-4TE-5 Four-stage TE cooled No 5.0 ≥ 1.5×1010 ≤ 80 TO8, TO66
4TE_2-1-1200x952-2.jpg PV-4TE-6 Four-stage TE cooled No 6.0 ≥ 5.0×109 ≤ 50 TO8, TO66
TO8-TO66-4TE-1200x952-15.jpg PV-4TE-8 Four-stage TE cooled No 8.0 ≥ 4.0×108 ≤ 45 TO8, TO66
TO8-TO66-4TE-1200x952-16.jpg PV-4TE-10.6 Four-stage TE cooled No 10.6 ≥ 2.0×108 ≤ 25 TO8, TO66
TO39-BNC-immersion-1200x828-5.jpeg PVI-3 Uncooled Yes 3.0 ≥ 5.0×1010 ≤ 350 TO39, BNC
TO39-BNC-immersion-1200x828-6.jpeg PVI-3.4 Uncooled Yes 3.4 ≥ 4.5×1010 ≤ 260 TO39, BNC
TO39-BNC-immersion-1200x828-7.jpeg PVI-4 Uncooled Yes 4.0 ≥ 2.0×1010 ≤ 150 TO39, BNC
TO39-BNC-immersion-1200x828-8.jpeg PVI-5 Uncooled Yes 5.0 ≥ 9.0×1010 ≤ 120 TO39, BNC
TO39-BNC-immersion-1200x828-9.jpeg PVI-6 Uncooled Yes 6.0 ≥ 4.0×109 ≤ 80 TO39, BNC
TO8-TO66-2TE-1200x952-18.jpg PVI-2TE-3 Two-stage TE cooled Yes 3.0 ≥ 5.5×1011 ≤ 280 TO8, TO66
TO8-TO66-2TE-1200x952-19.jpg PVI-2TE-3.4 Two-stage TE cooled Yes 3.4 ≥ 3.0×1011 ≤ 200 TO8, TO66
TO8-TO66-2TE-1200x952-20.jpg PVI-2TE-4 Two-stage TE cooled Yes 4.0 ≥ 2.0×1011 ≤ 100 TO8, TO66
TO8-TO66-2TE-1200x952-21.jpg PVI-2TE-5 Two-stage TE cooled Yes 5.0 ≥ 6.0×1010 ≤ 80 TO8, TO66
TO8-TO66-2TE-1200x952-22.jpg PVI-2TE-6 Two-stage TE cooled Yes 6.0 ≥ 2.0×1010 ≤ 50 TO8, TO66
TO8-TO66-2TE-1200x952-23.jpg PVI-2TE-8 Two-stage TE cooled Yes 8.0 ≥ 2.0×109 ≤ 45 TO8, TO66
TO8-TO66-2TE-1200x952-24.jpg PVI-2TE-10.6 Two-stage TE cooled Yes 10.6 ≥ 1.0×1010 ≤ 10 TO8, TO66
TO8-TO66-3TE-1200x952-17.jpg PVI-3TE-3 Three-stage TE cooled Yes 3.0 ≥ 7.0×1011 ≤ 280 TO8, TO66
TO8-TO66-3TE-1200x952-18.jpg PVI-3TE-3.4 Three-stage TE cooled Yes 3.4 ≥ 5.0×1011 ≤ 200 TO8, TO66
TO8-TO66-3TE-1200x952-1-1.jpg PVI-3TE-4 Three-stage TE cooled Yes 4.0 ≥ 3.0×1011 ≤ 100 TO8, TO66
TO8-TO66-3TE-1200x952-19.jpg PVI-3TE-5 Three-stage TE cooled Yes 5.0 ≥ 8.0×1010 ≤ 80 TO8, TO66
TO8-TO66-3TE-1200x952-20.jpg PVI-3TE-6 Three-stage TE cooled Yes 6.0 ≥ 3.0×1010 ≤ 50 TO8, TO66
TO8-TO66-3TE-1200x952-21.jpg PVI-3TE-8 Three-stage TE cooled Yes 8.0 ≥ 3.0×109 ≤ 45 TO8, TO66
TO8-TO66-3TE-1200x952-22.jpg PVI-3TE-10.6 Three-stage TE cooled Yes 10.6 ≥ 1.5×109 ≤ 10 TO8, TO66
TO8-TO66-4TE-1200x952-17.jpg PVI-4TE-3 Four-stage TE cooled Yes 3.0 ≥ 8.0×1011 ≤ 280 TO8, TO66
TO8-TO66-4TE-1200x952-18.jpg PVI-4TE-3.4 Four-stage TE cooled Yes 3.4 ≥ 7.0×1011 ≤ 200 TO8, TO66
TO8-TO66-4TE-1200x952-19.jpg PVI-4TE-4 Four-stage TE cooled Yes 4.0 ≥ 4.0×1011 ≤ 100 TO8, TO66
TO8-TO66-4TE-1200x952-20.jpg PVI-4TE-5 Four-stage TE cooled Yes 5.0 ≥ 1.0×1011 ≤ 80 TO8, TO66
TO8-TO66-4TE-1200x952-21.jpg PVI-4TE-6 Four-stage TE cooled Yes 6.0 ≥ 4.0×1010 ≤ 50 TO8, TO66
TO8-TO66-4TE-1200x952-22.jpg PVI-4TE-8 Four-stage TE cooled Yes 8.0 ≥ 4.0×109 ≤ 45 TO8, TO66
TO8-TO66-4TE-1200x952-23.jpg PVI-4TE-10.6 Four-stage TE cooled Yes 10.6 ≥ 2.0×109 ≤ 25 TO8, TO66
TO39-BNC-no-immersion-1200x828-1.jpeg PVM-8 Uncooled No 8.0 ≥ 6.5×107 ≤ 4 TO39, BNC
TO39-BNC-no-immersion-1200x828-2.jpeg PVM-10.6 Uncooled No 10.6 ≥ 1.0×107 ≤ 1.5 TO39, BNC
TO8-TO66-2TE-1200x952-25.jpg PVM-2TE-8 Two-stage TE cooled No 8.0 ≥ 3.0×108 ≤ 4 TO8, TO66
TO8-TO66-2TE-1200x952-26.jpg PVM-2TE-10.6 Two-stage TE cooled No 10.6 ≥ 1.0×108 ≤ 3 TO8, TO66
TO39-BNC-immersion-1200x828-10.jpeg PVMI-8 Uncooled Yes 8.0 ≥ 3.0×108 ≤ 4 TO39, BNC
TO39-BNC-immersion-1200x828-11.jpeg PVMI-10.6 Uncooled Yes 10.6 ≥ 1.0×108 ≤ 1.5 TO39, BNC
TO8-TO66-2TE-1200x952-27.jpg PVMI-2TE-8 Two-stage TE cooled Yes 8.0 ≥ 2.0×109 ≤ 4 TO8, TO66
TO8-TO66-2TE-1200x952-28.jpg PVMI-2TE-10.6 Two-stage TE cooled Yes 10.6 ≥ 1.0×109 ≤ 3 TO8, TO66
TO8-TO66-3TE-1200x952-23.jpg PVMI-3TE-8 Three-stage TE cooled Yes 8.0 ≥ 3.0×109 ≤ 4 TO8, TO66
TO8-TO66-3TE-1200x952-24.jpg PVMI-3TE-10.6 Three-stage TE cooled Yes 10.6 ≥ 1.5×109 ≤ 3 TO8, TO66
TO8-TO66-4TE-1200x952-24.jpg PVMI-4TE-8 Four-stage TE cooled Yes 8.0 ≥ 6.0×109 ≤ 4 TO8, TO66
TO8-TO66-4TE-1200x952-25.jpg PVMI-4TE-10.6 Four-stage TE cooled Yes 10.6 ≥ 2.5×109 ≤ 3 TO8, TO66
PEM-TO8-PEM-SMA-1200x875-1.jpeg PEM-10.6 Uncooled No 10.6 ≥ 1.0×107 ≤ 1.2 PEM-SMA, PEM-TO8
PEM-TO8-PEM-SMA-1200x875-2.jpeg PEMI-10.6 Uncooled Yes 10.6 ≥ 1.0×108 ≤ 1.2 PEM-SMA, PEM-TO8


PVI-5-1×1-TO39-NW-36 HgCdTe(MCT)Photovoltaic   光起電赤外検出器

2.4 – 5.5 µm、周囲温度 (室温動作)、半球型GaAsマイクロレンズ 

PVI-5-1×1-TO39-NW-36は、最高の性能と安定性を実現する洗練されたHgCdTeヘテロ構造に基づく非冷却IR光起電力検出器です。このデバイスは、λopt = 5 µmで最大のパフォーマンスが得られるように最適化されています。検出器エレメントは、デバイスの性能を向上させるために、超半球型GaAsマイクロレンズとモノリシックに統合されています。逆バイアスV bが著しく応答速度とダイナミックレンジを増加させることができます。また、高周波数でのパフォーマンスが向上しますが、バイアスされたデバイスに発生する1 / fノイズは、低周波数でのパフォーマンスを低下させる可能性があります。

 

スペクトル応答(Ta = 20°C、Vb = 0 mV)

 

特徴

スペクトル範囲 2.4〜5.5 µm
周囲温度動作 (室温動作)
ハイパーヘミマージョンマイクロレンズテクノロジー 半球型GaAsマイクロレンズ
バイアスは必要ありません。
1 / fノイズなし
使い勝手の良さ
小さいサイズ
費用効果の高いソリューション
数量割引価格
迅速な納期

アプリケーション

非接触温度測定(鉄道輸送、産業および実験室プロセスの監視)
炎と爆発の検出
警報システム
ガス検知、監視、分析(CO、CO2、NOx)
呼気分析
固体分析
ガスパイプラインの漏れ制御
燃焼プロセス制御

 

仕様(Ta = 20°C、Vb = 0 mV)

Parameter
PVI-5-1×1-TO39-NW-36
Active element material epitaxial HgCdTe heterostructure
Cut-on wavelength λcut-on (10%) µm 2.4±0.5
Peak wavelength λpeak, µm 4.2±0.5
Optimum wavelength λopt, µm 5.0
Cut-off wavelength λcut-off (10%) µm 5.5±0.3
Detectivity D*(λpeak), cm⋅Hz1/2/W ≥3.0×1010
Detectivity D*(λopt), cm⋅Hz1/2/W ≥1.0×1010
Current responsivity Ri(λpeak), A/W ≥2.0
Current responsivity Ri(λopt), A/W ≥1.0
Time constant τ, ns ≤150
Resistance R, Ω ≥100
Optical area AO, mm×mm 1×1
Package TO39
Acceptance angle, Φ ~36°
Window none

機械的レイアウト、mm


 

PVI-4-1×1-TO39-NW-36 HgCdTe(MCT)光起電赤外検出器

2.4 – 4.5 µm、周囲温度 (室温動作)、半球GaAsマイクロレンズ付き

PVI-4-1×1-TO39-NW-36は、最高の性能と安定性を実現する高度なHgCdTeヘテロ構造に基づく非冷却IR光起電力検出器です。このデバイスは、4 µmで最大のパフォーマンスが得られるように最適化されています。検出器エレメントは、デバイスの性能を向上させるために、超半球型GaAsマイクロレンズとモノリシックに統合されています。逆バイアスは、応答速度とダイナミックレンジを大幅に向上させる可能性があります。また、高周波数でのパフォーマンスが向上しますが、バイアスされたデバイスに発生する1 / fノイズは、低周波数でのパフォーマンスを低下させる可能性があります。

 

スペクトル応答(Ta = 20°C、Vb = 0 mV)

 

特徴

  • スペクトル範囲   2.4〜4.5 µm
  • 周囲温度動作 (室温動作)
  • ハイパーヘミマージョンマイクロレンズテクノロジー(半球型GaAsマイクロレンズ)
  • バイアスは必要ありません
  • 1 / fノイズなし
  • 使い勝手
  • 小さいサイズ
  • 費用効果の高いソリューション
  • 数量割引価格
  • 迅速な納期

アプリケーション

  • ガス検知、監視、分析(CH4、C2H2、CH2O、HCl、NH3、SO2、C2H6
  • 呼気分析
  • 防爆
  • 煙道ガス脱窒
  • 排出制御(排気ガス、温室効果ガス)
 

仕様(Ta = 20°C、Vb = 0 mV)

Parameter
PVI-4-1×1-TO39-NW-36
Active element material epitaxial HgCdTe heterostructure
Cut-on wavelength λcut-on (10%) µm 2.4±0.5
Peak wavelength λpeak, µm 3.4±0.5
Optimum wavelength λopt, µm 4.0
Cut-off wavelength λcut-off (10%) µm 4.5±0.3
Detectivity D*(λpeak), cm⋅Hz1/2/W ≥4.0×1010
Detectivity D*(λopt), cm⋅Hz1/2/W ≥3.0×1010
Current responsivity Ri(λpeak), A/W ≥2.0
Current responsivity Ri(λopt), A/W ≥1.0
Time constant τ, ns ≤150
Resistance R, Ω ≥600
Optical area AO, mm×mm 1×1
Package TO39
Acceptance angle, Φ ~36°
Window none

機械的レイアウト、mm


 

 

PVI-2TE-4-1×1-TO8-wAl2O3-36 HgCdTe(MCT) 光起電赤外検出器

2.4 – 4.3 µm、2ステージTE冷却、半球GaAsマイクロレンズ付き

PVI-2TE-4-1×1-TO8-36-wAL 2 O 3  2ステージTE冷却は、熱電最高の性能と安定性のための洗練されたのHgCdTeヘテロ構造に基づくIR光起電力検出器を冷却します。このデバイスは、λopt = 4.0 µmで最大のパフォーマンスが得られるように最適化されています。検出器エレメントは、デバイスの性能を向上させるために、超半球型GaAsマイクロレンズとモノリシックに統合されています。逆バイアスV bが著しく応答速度とダイナミックレンジを増加させることができます。また、高周波数でのパフォーマンスが向上しますが、バイアスされたデバイスに発生する1 / fノイズは、低周波数でのパフォーマンスを低下させる可能性があります。3°ウェッジサファイア(wAl 2 O 3)ウィンドウは、不要な干渉の影響を防ぎます。

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スペクトル応答(Ta = 20°C、Vb = 0 mV)

 

特徴

  • 2.4〜4.3 µmのスペクトル範囲で高性能
  • 2ステージ熱電冷却
  • ハイパーヘミマージョンマイクロレンズテクノロジー 半球GaAsマイクロレンズ付き
  • バイアスは必要ありません
  • 1 / fノイズなし
  • 同じタイプの非冷却検出器と比較して、D *が1桁優れています
  • 広いダイナミックレンジ
  • 数量割引価格
  • 迅速な納期

アプリケーション

  • ガス検知、監視、分析(CH4、C2H2、CH2O、HCl、NH3、SO2、C2H6
  • 呼気分析
  • 防爆
  • 煙道ガス脱窒
  • 排出制御(排気ガス、温室効果ガス)

仕様(Ta = 20°C、Vb = 0 mV)
Parameter
PVI-2TE-4-1×1-TO8-wAl2O3-36
Active element material epitaxial HgCdTe heterostructure
Cut-on wavelength λcut-on (10%) µm 2.4±0.5
Peak wavelength λpeak, µm 3.5±0.5
Optimum wavelength λopt, µm 4.0
Cut-off wavelength λcut-off (10%) µm 4.3±0.3
Detectivity D*(λpeak), cm⋅Hz1/2/W ≥4.0×1011
Detectivity D*(λopt), cm⋅Hz1/2/W ≥3.0×1011
Current responsivity Ri(λpeak), A/W ≥2.0
Current responsivity Ri(λopt), A/W ≥1.3
Time constant τ, ns ≤100
Resistance R, Ω ≥20000
Active element temperature Tdet, K ~230
Optical area AO, mm×mm 1×1
Package TO8
Acceptance angle, Φ ~36°
Window wAl2O3

機械的レイアウト、mm

2TE-TO8パッケージ
 

PVI-2TE-5-1×1-TO8-wAl2O3-36 HgCdTe(MCT)光起電赤外検出器

2.9 – 5.5 µm、2ステージTE冷却、半球型GaAsマイクロレンズ付き

PVI-2TE-5-1×1-TO8-wAL 2 O 3 -36 2ステージTE冷却は、熱電最高の性能と安定性のための洗練されたのHgCdTeヘテロ構造に基づくIR光起電力検出器を冷却します。このデバイスは、λopt = 5.0 µmで最大のパフォーマンスが得られるように最適化されています。検出器エレメントは、デバイスの性能を向上させるために、超半球型GaAsマイクロレンズとモノリシックに統合されています。逆バイアスV bが著しく応答速度とダイナミックレンジを増加させることができます。また、高周波数でのパフォーマンスが向上しますが、バイアスされたデバイスに発生する1 / fノイズは、低周波数でのパフォーマンスを低下させる可能性があります。3°ウェッジサファイア(wAl 2 O 3)ウィンドウは、不要な干渉の影響を防ぎます。

スペクトル応答(Ta = 20°C、Vb = 0 mV)

 

特徴

  • 2.9〜5.5 µmのスペクトル範囲で高性能
  • 2ステージ熱電冷却
  • ハイパーヘミマージョンマイクロレンズテクノロジー 半球GaAsレンズ付き
  • バイアスは必要ありません
  • 1 / fノイズなし
  • 同じタイプの非冷却検出器と比較して、D *が1桁優れています
  • 広いダイナミックレンジ
  • 数量割引価格
  • 迅速な納期
 

アプリケーション

  • 非接触温度測定(鉄道輸送、産業および実験室プロセスの監視)
  • 炎と爆発の検出
  • 警報システム
  • ガス検知、監視、分析(CO、CO2、NOx)
  • インビボアルコール検出
  • 呼気分析
  • 固体分析
  • ガスパイプラインの漏れ制御
  • 燃焼プロセス制御


仕様(Ta = 20°C、Vb = 0 mV)

Parameter
PVI-2TE-5-1×1-TO8-wAl2O3-36
Active element material epitaxial HgCdTe heterostructure
Cut-on wavelength λcut-on (10%) µm 2.9±1.0
Peak wavelength λpeak, µm 4.2±0.5
Optimum wavelength λopt, µm 5.0
Cut-off wavelength λcut-off (10%) µm 5.5±0.3
Detectivity D*(λpeak), cm⋅Hz1/2/W ≥2.0×1011
Detectivity D*(λopt), cm⋅Hz1/2/W ≥9.0×1010
Current responsivity Ri(λpeak), A/W ≥2.0
Current responsivity Ri(λopt), A/W ≥1.3
Time constant τ, ns ≤80
Resistance R, Ω ≥1000
Active element temperature Tdet, K ~230
Optical area AO, mm×mm 1×1
Package TO8
Acceptance angle, Φ ~36°
Window wAl2O3

機械的レイアウト、mm

2TE-TO8パッケージ

 

PVI-2TE-6-1×1-TO8-wZnSeAR-36 HgCdTe(MCT)光起電赤外検出器



 
3.0 – 6.7 µm、2ステージTE冷却、半球型GaAsマイクロレンズ

PVI-2TE-6-1×1-TO8-wZnSeAR-36は、最高の性能と安定性を実現する高度なHgCdTeヘテロ構造に基づく2ステージTE冷却IR光起電力検出器です。このデバイスは、λopt = 6 µmで最大のパフォーマンスが得られるように最適化されています。検出器エレメントは、デバイスの性能を向上させるために、超半球型マイクロレンズとモノリシックに結合されています。逆バイアスV bが著しく応答速度とダイナミックレンジを増加させることができます。3°ウェッジセレン化亜鉛反射防止コーティング(wZnSeAR)ウィンドウは、不要な干渉効果を防ぎます。
 

スペクトル応答(Ta = 20°C、Vb = 0 mV)

 

特徴

  • 3.0〜6.7 µmのスペクトル範囲で高性能
  • 2ステージ熱電冷却
  • ハイパーヘミマージョンマイクロレンズテクノロジー 半球マイクロレンズ付き
  • バイアスは必要ありません
  • 1 / fノイズなし
  • 広いダイナミックレンジ
  • 多様性
  • 数量割引価格
  • 迅速な納期
  • アプリケーション

  • ガス検知、監視、分析(CO、CO2、NH3、NOx)
  • 煙道ガス脱窒
  • 発電所やその他の産業施設での燃料燃焼モニタリング
  • 非接触温度測定
 

仕様(Ta = 20°C、Vb = 0 mV)

Parameter
PVI-2TE-6-1×1-TO8-wZnSeAR-36
Active element material epitaxial HgCdTe heterostructure
Cut-on wavelength λcut-on (10%) µm 3.0±1.0
Peak wavelength λpeak, µm 5.2±0.5
Optimum wavelength λopt, µm 6.0
Cut-off wavelength λcut-off (10%) µm 6.7±0.3
Detectivity D*(λpeak), cm⋅Hz1/2/W ≥7.0×1010
Detectivity D*(λopt), cm⋅Hz1/2/W ≥4.0×1010
Current responsivity Ri(λpeak), A/W ≥2.7
Current responsivity Ri(λopt), A/W ≥1.5
Time constant τ, ns ≤50
Resistance R, Ω ≥200
Active element temperature Tdet, K ~230
Optical area AO, mm×mm 1×1
Package TO8
Acceptance angle, Φ ~36°
Window wZnSeAR

機械的レイアウト、mm

2TE-TO8パッケージ
 

 

PVI-4TE-6-1×1-TO8-wZnSeAR-36 HgCdTe(MCT)光起電赤外検出器

3.0 – 6.9 µm、4ステージTE冷却、半球型ZnSeマイクロレンズ

PVI-4TE-6-1×1-TO8-wZnSeAR-36は、最高の性能と安定性を実現する高度なHgCdTeヘテロ構造に基づく4段熱電冷却IR光起電力検出器です。このデバイスは、λopt = 6 µmで最大のパフォーマンスが得られるように最適化されています。検出器エレメントは、デバイスの性能を向上させるために、超半球型マイクロレンズとモノリシックに統合されています。逆バイアスV bが著しく応答速度とダイナミックレンジを増加させることができます。3°ウェッジセレン化亜鉛反射防止コーティング(wZnSeAR)ウィンドウは、不要な干渉効果を防ぎます。

 

スペクトル応答(Ta = 20°C、Vb = 0 mV)

特徴

  • 3.0〜6.9 µmのスペクトル範囲で非常に高性能
  • 4ステージ熱電冷却
  • ハイパーヘミマージョンマイクロレンズテクノロジー 半球面マイクロレンズ
  • バイアスは必要ありません
  • 1 / fノイズなし
  • 広いダイナミックレンジ
  • 多様性
  • 数量割引価格
  • 迅速な納期

アプリケーション

  • ガス検知、監視、分析(CO、CO2、NH3、NOx)
  • 煙道ガス脱窒
  • 発電所やその他の産業施設での燃料燃焼モニタリング
  • 非接触温度測定

仕様(Ta = 20°C、Vb = 0 mV)

Parameter
PVI-4TE-6-1×1-TO8-wZnSeAR-36
Active element material epitaxial HgCdTe heterostructure
Cut-on wavelength λcut-on (10%) µm 3.0±1.0
Peak wavelength λpeak, µm 5.5±0.5
Optimum wavelength λopt, µm 6.0
Cut-off wavelength λcut-off (10%) µm 6.9±0.3
Detectivity D*(λpeak), cm⋅Hz1/2/W ≥8.0×1010
Detectivity D*(λopt), cm⋅Hz1/2/W ≥6.0×1010
Current responsivity Ri(λpeak), A/W ≥2.7
Current responsivity Ri(λopt), A/W ≥1.5
Time constant τ, ns ≤50
Resistance R, Ω ≥300
Active element temperature Tdet, K ~195
Optical area AO, mm×mm 1×1
Package TO8
Acceptance angle, Φ ~36°
Window wZnSeAR

機械的レイアウト、mm

4TE-TO8パッケージ

 

PVM-10.6-1×1-TO39-NW-90 HgCdTe(MCT)光起電10.6μm検出器

2.0 – 12.0 µm、周囲温度(室温動作)、複数接合

PVM-10.6-1×1-TO39-NW-90は、最高のパフォーマンスと安定性を実現する高度なHgCdTeヘテロ構造に基づく非冷却IR光起電性多重接合検出器です。このデバイスは、λopt = 10.6 µmで最大の性能を発揮するように設計されており、CWおよび低周波変調放射を検出するための大活性領域検出器として特に役立ちます。

スペクトル応答(Ta = 20°C)

 

特徴

  • 2.0〜12.0 µmの広いスペクトル範囲
  • 広いアクティブエリア1×1mm2
  • 周囲温度動作 (室温動作)
  • バイアスは必要ありません
  • 1 / fノイズなし
  • 短い時定数≤1.5ns
  • DCから高周波動作
  • 赤外放射偏光に敏感
  • 容易な使用
  • 多様性
  • 小さいサイズ
  • 費用効果の高いソリューション
  • 数量割引価格
  • 迅速な納期

アプリケーション

  • CO2レーザー(10.6 µm)測定
  • レーザー出力の監視と制御
  • レーザービームのプロファイリングとポジショニング
  • レーザーキャリブレーション
  • 歯科

仕様(Ta = 20°C)

Parameter
PVM-10.6-1×1-TO39-NW-90
Active element material epitaxial HgCdTe heterostructure
Cut-on wavelength λcut-on (10%) µm ≤2.0
Peak wavelength λpeak, µm 8.5±1.5
Optimum wavelength λopt, µm 10.6
Cut-off wavelength λcut-off (10%) µm ≥12.0
Detectivity D*(λpeak), cm⋅Hz1/2/W ≥2.0×107
Detectivity D*(λopt), cm⋅Hz1/2/W ≥1.0×107
Current responsivity Ri(λpeak), A/W ≥0.004
Current responsivity Ri(λopt), A/W ≥0.002
Time constant τ, ns ≤1.5
Resistance R, Ω ≥30
Active area A, mm×mm 1×1
Package TO39
Acceptance angle, Φ ~90°
Window  

機械的レイアウト、mm


 


 

PVM-2TE-10.6-1×1-TO8-wZnSeAR-70 HgCdTe(MCT)光起電10.6μm検出器

2.0 – 12.0 µm、2ステージTE冷却、複数接合

PVM-2TE-10.6-1×1-TO8-wZnSeAR-70は、最高の性能と安定性を実現するために洗練されたHgCdTeヘテロ構造をベースにした2段熱電子冷却型IR光起電力多重接合検出器です。

このデバイスは、λopt = 10.6 µmで最大の性能を発揮するように設計されており、特にCWや低周波変調された放射線を検出するための大面積検出器として有用です。

3°ウェッジ付きセレン化亜鉛反射防止コーティング(wZnSeAR)窓が、不要な干渉効果を防止します。


スペクトル応答(Ta = 20°C)


特徴

  • 2.0〜12.0 µmの広いスペクトル範囲
  • 広いアクティブエリア1×1mm2
  • 2ステージTE冷却
  • バイアスは必要ありません
  • 1 / fノイズなし
  • DCから高周波動作
  • IR放射偏光に敏感
  • 多様性
  • 数量割引価格
  • 迅速な納期

アプリケーション

  • CO2レーザー(10.6 µm)測定
  • レーザー出力の監視と制御
  • レーザービームのプロファイリングとポジショニング
  • レーザーキャリブレーション
  • 歯科

仕様(Ta = 20°C)

Parameter
PVM-2TE-10.6-1×1-TO8-wZnSeAR-70
Active element material epitaxial HgCdTe heterostructure
Cut-on wavelength λcut-on (10%) µm ≤2.0
Peak wavelength λpeak, µm 8.5±2.0
Optimum wavelength λopt, µm 10.6
Cut-off wavelength λcut-off (10%) µm ≥12.0
Detectivity D*(λpeak), cm⋅Hz1/2/W ≥2.0×108

Detectivity D*(λopt), cm⋅Hz1/2/W

≥1.0×108
Current responsivity Ri(λpeak), A/W ≥0.015
Current responsivity Ri(λopt), A/W ≥0.01
Time constant τ, ns ≤4
Resistance R, Ω ≥90
Active element temperature Tdet, K ~230
Active area A, mm×mm 1×1
Package TO8
Acceptance angle, Φ ~70°
Window wZnSeAR

機械的レイアウト、mm

2TE-TO8パッケージ

 

PVMI-2TE-10.6-1×1-TO8-wZnSeAR-36 HgCdTe(MCT)光起電10.6μm検出器

2.0 – 12.0 µm、2ステージTE冷却、半球レンズ付き、複数接合

PVMI-2TE-10.6-1×1-TO8-wZnSeAR-36は、最高の性能と安定性を実現するために洗練されたHgCdTeヘテロ構造をベースにした2ステージTE冷却赤外光起電力多重接合検出器です。
このデバイスは、λopt = 10.6 µmで最大の性能を発揮するように設計されており、特にCWや低周波変調された放射線を検出するための大面積検出器として有用です。
3°ウェッジ付きセレン化亜鉛反射防止コーティング(wZnSeAR)窓が、不要な干渉効果を防ぎます。

スペクトル応答(Ta = 20°C)

 

特徴

  • 2.0〜12.0 µmの広いスペクトル範囲
  • ステージTE冷却
  • ハイパーヘミマージョンマイクロレンズテクノロジー 半球マイクロレンズ付き
  • バイアスは必要ありません
  • 1 / fノイズなし
  • DCから高周波動作
  • 赤外放射偏光に敏感
  • 多様性
  • 数量割引価格
  • 迅速な納期

​​​​​​アプリケーション
  • CO2レーザー(10.6 µm)測定
  • レーザー出力の監視と制御
  • レーザービームのプロファイリングとポジショニング
  • レーザーキャリブレーション
  • 歯科

仕様(Ta = 20°C)

Parameter
PVMI-2TE-10.6-1×1-TO8-wZnSeAR-36
Active element material epitaxial HgCdTe heterostructure
Cut-on wavelength λcut-on (10%) µm ≤2.0
Peak wavelength λpeak, µm 8.5±1.5
Optimum wavelength λopt, µm 10.6
Cut-off wavelength λcut-off (10%) µm ≥12.0
Detectivity D*(λpeak), cm⋅Hz1/2/W ≥1.5×109
Detectivity D*(λopt), cm⋅Hz1/2/W ≥1.0×109
Current responsivity Ri(λpeak), A/W ≥0.15
Current responsivity Ri(λopt), A/W ≥0.1
Time constant τ, ns ≤3
Resistance R, Ω ≥90
Active element temperature Tdet, K ~230
Active area A, mm×mm 1×1
Package TO8
Acceptance angle, Φ ~36°
Window wZnSeAR

機械的レイアウト、mm

2TE-TO8パッケージ

 

PVMI-4TE-10.6-1×1-TO8-wZnSeAR-36 HgCdTe(MCT)光起電10.6μm検出器

2.0 – 12.0 µm、4ステージTE冷却、半球レンズ付き、複数接合
PVMI-4TE-10.6-1×1-TO8-wZnSeAR-36は、最高の性能と安定性を実現する高度なHgCdTeヘテロ構造に基づく4ステージTE冷却IR光起電性多重接合検出器です。このデバイスは、λopt = 10.6 µmで最大の性能を発揮するように設計されています。検出器エレメントは、デバイスの性能を向上させるために、超半球型GaAsマイクロレンズとモノリシックに統合されています。3°ウェッジセレン化亜鉛反射防止コーティング(wZnSeAR)ウィンドウは、不要な干渉効果を防ぎます。

 

スペクトル応答(Ta = 20°C)

 

特徴

  • 2.0〜12.0 µmの広いスペクトル範囲で高性能
  • 4ステージTE冷却
  • ハイパーヘミマージョンマイクロレンズテクノロジー     半球レンズ付き
  • バイアスは必要ありません
  • 1 / fノイズなし
  • DCから高周波動作
  • 赤外放射偏光に敏感
  • 多様性
  • 数量割引価格
  • 迅速な納期

アプリケーション

  • CO2レーザー(10.6 µm)測定
  • レーザー出力の監視と制御
  • レーザービームのプロファイリングとポジショニング
  • レーザーキャリブレーション
  • 歯科


仕様(Ta = 20°C)

Parameter
PVMI-4TE-10.6-1×1-TO8-wZnSeAR-36
Active element material epitaxial HgCdTe heterostructure
Cut-on wavelength λcut-on (10%) µm ≤2.0
Peak wavelength λpeak, µm 8.5±2.0
Optimum wavelength λopt, µm 10.6
Cut-off wavelength λcut-off (10%) µm ≥12.0
Detectivity D*(λpeak), cm⋅Hz1/2/W ≥3.0×109
Detectivity D*(λopt), cm⋅Hz1/2/W ≥2.5×109
Current responsivity Ripeak), A/W ≥0.25
Current responsivity Ri(λopt), A/W ≥0.18
Time constant τ, ns ≤3
Resistance R, Ω ≥120
Active element temperature Tdet, K ~195
Active area A, mm×mm 1×1
Package TO8
Acceptance angle, Φ ~36°
Window wZnSeAR

機械的レイアウト、mm

4TE-TO8パッケージ

 


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PEM-10.6-2×2-PEM-SMA-wZnSeAR-48 HgCdTe(MCT)光起電10.6μm検出器

2.0 – 12.0 µm、室温動作、複数接合

PEM-10.6-2×2-PEM-SMA-wZnSeAR-48は、半導体の光電磁効果に基づく非冷却IR光起電性多重接合HgCdTe検出器であり、光学的に生成された電子と磁場内の正孔の空間的分離です。このデバイスは、λopt = 10.6 µmで最大の性能を発揮するように設計されており、CWおよび低周波変調放射を検出するための大活性領域検出器として特に役立ちます。このデバイスは、内部に磁気回路とSMA信号出力コネクタが組み込まれた専用パッケージに取り付けられています。3°くさび形のセレン化亜鉛反射防止コーティングされたウィンドウは、不要な干渉効果を防ぎ、汚染から保護します。

 

スペクトル応答(Ta = 20°C)

特徴

  • 2.0〜12.0 µmの広いスペクトル範囲
  • 広いアクティブエリア2×2mm2
  • 周囲温度動作 室温動作
  • 広いダイナミックレンジ
  • バイアスは必要ありません
  • 1 / fノイズなし
  • 短い時定数≤1.2ns
  • 赤外放射偏光に敏感
  • 取扱容易
  • 多様性
  • 小さいサイズ
  • 費用効果の高いソリューション
  • 数量割引価格
  • 迅速な納期

アプリケーション

  • CO2レーザー(10.6 µm)測定
  • レーザー出力の監視と制御
  • レーザービームのプロファイリングとポジショニング
  • レーザーキャリブレーション
  • 歯科


仕様(Ta = 20°C)
 

Parameter
PEM-10.6-2×2-PEM-SMA-wZnSeAR-48
Active element material epitaxial HgCdTe heterostructure
Cut-on wavelength λcut-on (10%) µm ≤2.0
Peak wavelength λpeak, µm 8.5±1.5
Optimum wavelength λopt, µm 10.6
Cut-off wavelength λcut-off (10%) µm ≥12.0
Detectivity D*(λpeak), cm⋅Hz1/2/W ≥2.0×107
Detectivity D*(λopt), cm⋅Hz1/2/W ≥1.0×107
Current responsivity Ri(λpeak), A/W ≥0.002
Current responsivity Ri(λopt), A/W ≥0.001
Time constant τ, ns ≤1.2
Resistance R, Ω ≥40
Active area A, mm×mm 2×2
Package PEM-SMA
Acceptance angle, Φ ~48°
Window wZnSeAR

機械的レイアウト、mm

PEM-SMAパッケージ